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1. 发明授权

KR102028069B1 불화 메틸의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102028069B1
公开(公告)日：2019-10-02
申请号：KR1020177023103
申请日：2016-02-05
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 에토우유우스케 , 다노게이스케 , 다나카요시노리
IPC分类号： C07C17/361 , C07C17/383 , C07C19/08

2. 发明授权

KR101968029B1 불화메탄의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR101968029B1
公开(公告)日：2019-08-19
申请号：KR1020177013201
申请日：2015-10-22
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 에토우유우스케 , 나카무라신고
IPC分类号： C07C17/361 , C07C19/08

3. 发明授权

KR102000371B1 드라이 에칭 가스의 제조 방법 有权
公开(公告)号：KR102000371B1
公开(公告)日：2019-07-15
申请号：KR1020177001484
申请日：2013-11-12
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 에토유우스케 , 오츠카다츠야 , 후쿠모토가나코 , 나이토마사토
IPC分类号： C07C17/361 , C07C17/383 , C07C19/08 , C07C51/58 , C07C51/64 , C07C53/50 , C07B61/00

4. 发明公开

KR1020110104106A 에칭액 有权
标题翻译：蚀刻液
公开(公告)号：KR1020110104106A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020117018656
申请日：2010-03-11
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 에토우유우스케
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08
摘要： 불화 수소산(A), 불화 암모늄(B), 불화 수소산(pKa=3.17)보다 큰 pKa를 가지는 산(C1)과 암모니아(pKa=9.24)보다 큰 pKa를 가지는 염기(C2)로 이루어지는 염(C), 및 물(D)을 포함함으로써, 약액의 증발 등에 수반하는 조성 변화가 적고, 약액의 교환 빈도가 적어도 되고, 또한, 경시적으로도 균일하게 실리콘 산화막을 에칭 가능한 에칭액을 제공한다.

5. 发明公开

KR1020150076254A 드라이 에칭 가스의 제조 방법 审中-实审
标题翻译：生产干燥气体的方法
公开(公告)号：KR1020150076254A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：KR1020157014192
申请日：2013-11-12
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 에토유우스케 , 오츠카다츠야 , 후쿠모토가나코 , 나이토마사토
IPC分类号： C07C17/361 , C07C17/383 , C07C19/08 , C07C51/58 , C07C51/64 , C07C53/50 , C07B61/00
CPC分类号： C07C51/58 , C07C17/361 , C07C17/38 , C07C17/383 , C07C41/06 , C07C51/64 , C07C19/08 , C07C53/50 , C07C43/12
摘要： 드라이에칭가스등으로유용한불화메탄과 3,3,3-트리플루오로-2-(트리플루오로메틸)프로파노일플루오라이드((CF)CHCOF)를, 고순도로, 안전하며또한염가로제조할수 있는방법을제공한다. 촉매의존재하에서, 1,1,3,3,3-펜타플루오로-2-트리플루오로메틸프로필메틸에테르를기체상상태에서열분해시키는방법에의하면, 염가의원료를이용하여기체상에서의열분해반응과같은간단한방법에의해, 높은원료전화율로, 선택성좋게, 목적으로하는불화메탄과 3,3,3-트리플루오로-2-(트리플루오로메틸)프로파노일플루오라이드를얻을수 있다.

6. 发明公开

KR1020140018989A 반도체 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액 및 이를 이용한 잔사 제거 방법 无效
公开(公告)号：KR1020140018989A
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020137033290
申请日：2008-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 게즈카다케히코
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要： 본 발명은 종래의 폴리머 박리액으로 해결할 수 없었던, Cu 표면의 균열 및 거칠기를 방지함과 동시에 Cu 표면의 산화를 방지하는 것이 가능한 표면 보호제를 포함하는 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액을 제공하고, 이를 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 드라이 에칭 및/또는 애싱 후의 반도체 기판에 존재하는 잔사의 제거액으로서, (1) 식 :＝N―NH―로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 방향족 화합물(3개의 N이 연속하는 것을 제외한다)을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (2) 식：―N＝C(SH)―X―(식 중, X는 NH, O 또는 S를 나타낸다)로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (3) 질소 원자(N)를 적어도 1개 가지는 헤테로 6원환 방향족 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이상인 것으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물로 이루어지는 Cu 표면 보호제와, Cu(구리)와 착체 또는 킬레이트를 형성할 수 있는 화합� ��과 물을 포함하고, pH가 4∼9인 잔사 제거액에 관한 것이다.

7. 发明公开

KR1020100051717A 반도체 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액 및 이를 이용한 잔사 제거 방법 有权
标题翻译：用于移除半导体干燥处理后的残留物的方法和使用其的残留物去除方法
公开(公告)号：KR1020100051717A
公开(公告)日：2010-05-17
申请号：KR1020107005120
申请日：2008-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 게즈카다케히코
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/3065 , C07D249/00
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要： Disclosed is a solution for removing a residue after a dry processing, which can prevent the cracking or roughening of a Cu surface which cannot be overcome by a conventional liquid polymer stripper, which can prevent the oxidation of a Cu surface, and which contains a surface-protecting agent. Also disclosed is a method for producing a semiconductor device by using the solution. Specifically disclosed is a solution for removing a residue remaining on a semiconductor substrate after dry etching and/or ashing, which comprises: a Cu surface-protecting agent comprising at least one compound selected from the group consisting of (1) a compound which has, as a basic skeleton, a 5-membered heterocyclic aromatic compound having a structure represented by the formula: =N-NH-(provided that one having three contiguous N atoms is excluded) and which shows a pH value of 7 or less in the form of an aqueous solution (10 ppm, 23°C); (2) a compound which has, as a basic skeleton, a 5-membered heterocyclic compound having a structure represented by the formula:-N=C(SH)-X-[wherein X represents NH, O or S] and which shows a pH value of 7 or less in the form of an aqueous solution (10 ppm, 23°C) and (3) a compound which has, as a basic skeleton, a 6-membered heterocyclic aromatic compound having at least one nitrogen atom (N) and which shows a pH value of 7 or more in the form of an aqueous solution (10 ppm, 23°C); a compound capable of forming a complex or chelate in coordination with Cu (copper); and water. The solution has a pH value ranging from 4 to 9.
摘要翻译：公开了一种在干法加工后除去残渣的溶液，其可以防止Cu表面的破裂或粗糙化，这是常规的液体聚合物汽提器无法克服的，其可以防止Cu表面的氧化，并且其包含表面保护剂。还公开了通过使用该解决方案来制造半导体器件的方法。具体公开的是用于去除在干法蚀刻和/或灰化之后残留在半导体衬底上的残余物的溶液，其包括：包含至少一种选自以下的化合物的Cu表面保护剂：（1）作为基本骨架，具有由式= N-NH-表示的结构的5元杂环芳族化合物（条件是排除具有三个相邻的N原子的那些），其pH值为7以下的水溶液（10ppm，23℃）; （2）作为基本骨架的具有由下式表示的结构的5元杂环化合物的化合物：-N = C（SH）-X- [其中X表示NH，O或S]，表示水溶液形式的pH值为7以下（10ppm，23℃）和（3）以具有至少一个氮原子的6元杂环芳香族化合物为基本骨架的化合物（ N），其水溶液形式（10ppm，23℃）的pH值为7以上。能够与Cu（铜）配位形成络合物或螯合物的化合物; 和水。该溶液的pH值范围为4至9。

8. 发明公开

KR1020050058448A 박리액 有权
标题翻译：拆卸解决方案
公开(公告)号：KR1020050058448A
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：KR1020057003010
申请日：2003-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 가네무라다카시 , 나카무라신고 , 가미야후미히로 , 게즈카다케히코
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/24 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , G03F7/428 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H05K3/26
摘要： A resist removing solution for low-k film and a via hole or capacitor cleaning solution each comprising at least one member selected from the group consisting of organic acids and organic solvents together with hydrogen fluoride (HF); and a method of removing a resist and a method of cleaning a via hole or capacitor comprising application thereof.
摘要翻译：一种用于低k膜和通孔或电容器清洁溶液的抗蚀剂去除溶液，每个包含选自有机酸和有机溶剂与氟化氢（HF）的组中的至少一种; 以及去除抗蚀剂的方法和包括其应用的通孔或电容器的清洁方法。

9. 发明公开

KR1020030051786A 드라이 에칭 가스 및 드라이 에칭 방법 有权
标题翻译：干法刻蚀气体和干法刻蚀法
公开(公告)号：KR1020030051786A
公开(公告)日：2003-06-25
申请号：KR1020037006277
申请日：2001-11-08
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 이타노미츠시
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/31116
摘要： 삼중 결합에 직접 결합한 CF
3 C 부분을 갖는 화합물을 함유하는 드라이 에칭 가스.
摘要翻译：含有具有与三键直接结合的CF 3 C片段的化合物的干蚀刻气体。

10. 发明公开

KR1020030031180A 드라이 에칭 가스 및 드라이 에칭 방법 有权
标题翻译： 드라이에칭가스및드라이에칭방법
公开(公告)号：KR1020030031180A
公开(公告)日：2003-04-18
申请号：KR1020037003418
申请日：2001-09-05
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 히로세마사타카 , 나카무라신고 , 이타노미츠시 , 아오야마히로카즈
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76802 , H01L21/31056 , H01L21/31116
摘要： 본 발명은 이중결합으로 직접 결합한 CF
3 CF 프래그먼트를 갖는 화합물(단, CF
3 CF=CFCF=CF
2 를 제외한다.)을 포함하는 드라이 에칭 가스에 관한 것이다. 이 드라이 에칭 가스에 의하면, 고 종횡비의 콘택트 홀 등의 패턴을 형성하는 것이 가능해진다.
摘要翻译：包含具有直接键合到双键上的CF 3 CF片段的化合物（条件是该化合物不包括CF 3 CF＆amp; boxH; CFCF＆amp; boxH; CF 2）的干蚀刻气体。所述干法蚀刻气体允许形成诸如具有高纵横比的接触孔的图案。

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