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1. 发明公开

KR1020110104106A 에칭액 有权
标题翻译：蚀刻液
公开(公告)号：KR1020110104106A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：KR1020117018656
申请日：2010-03-11
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 나카무라신고 , 게즈카다케히코 , 에토우유우스케
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/31111 , C09K13/08
摘要： 불화 수소산(A), 불화 암모늄(B), 불화 수소산(pKa=3.17)보다 큰 pKa를 가지는 산(C1)과 암모니아(pKa=9.24)보다 큰 pKa를 가지는 염기(C2)로 이루어지는 염(C), 및 물(D)을 포함함으로써, 약액의 증발 등에 수반하는 조성 변화가 적고, 약액의 교환 빈도가 적어도 되고, 또한, 경시적으로도 균일하게 실리콘 산화막을 에칭 가능한 에칭액을 제공한다.

2. 发明授权

KR100177568B1 세정제 및 세정방법 失效
标题翻译：清洁剂和方法
公开(公告)号：KR100177568B1
公开(公告)日：1999-03-20
申请号：KR1019960703441
申请日：1995-01-25
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 이타노미츠시 , 구보모토노부
IPC分类号： C11D7/08
CPC分类号： H01L21/02052 , C11D1/004 , C11D3/042 , C11D7/08 , C11D11/0047
摘要： 본 발명은 0.1∼4중량%의 플루오르화수소산, 50∼1500ppm농도의 하기 일반식(1)의 계면활성제 또는 50∼100000ppm농도의 하기 일반식(2) 그렇지 않으면 (3)의 계면활성제 및 잔부가 물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 세정제 및 그것을 사용하여 실리콘 웨이퍼의 표면을 세정하는 방법을 제공한다.

(식중 Rf'는 탄소수 5∼15의 함플루오르탄화수소기, R는 수소 또는 탄소수 1∼4의 알킬기, n는 5∼20을 표시한다.)

3. 发明授权

KR101382935B1 반도체 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액 및 이를 이용한 잔사 제거 방법 有权
公开(公告)号：KR101382935B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020127024955
申请日：2008-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 게즈카다케히코
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要： 본 발명은 종래의 폴리머 박리액으로 해결할 수 없었던, Cu 표면의 균열 및 거칠기를 방지함과 동시에 Cu 표면의 산화를 방지하는 것이 가능한 표면 보호제를 포함하는 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액을 제공하고, 이를 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 드라이 에칭 및/또는 애싱 후의 반도체 기판에 존재하는 잔사의 제거액으로서, (1) 식 :＝N―NH―로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 방향족 화합물(3개의 N이 연속하는 것을 제외한다)을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (2) 식：―N＝C(SH)―X―(식 중, X는 NH, O 또는 S를 나타낸다)로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (3) 질소 원자(N)를 적어도 1개 가지는 헤테로 6원환 방향족 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이상인 것으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물로 이루어지는 Cu 표면 보호제와, Cu(구리)와 착체 또는 킬레이트를 형성할 수 있는 화합물과 물을 포함하고, pH가 4∼9인 잔사 제거액에 관한 것이다.

4. 发明公开

KR1020120115430A 반도체 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액 및 이를 이용한 잔사 제거 방법 有权
标题翻译：用于移除半导体干燥处理后的残留物的方法和使用其的残留物去除方法
公开(公告)号：KR1020120115430A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：KR1020127024953
申请日：2008-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 게즈카다케히코
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要： 본 발명은 종래의 폴리머 박리액으로 해결할 수 없었던, Cu 표면의 균열 및 거칠기를 방지함과 동시에 Cu 표면의 산화를 방지하는 것이 가능한 표면 보호제를 포함하는 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액을 제공하고, 이를 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 드라이 에칭 및/또는 애싱 후의 반도체 기판에 존재하는 잔사의 제거액으로서, (1) 식 :＝N?NH?로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 방향족 화합물(3개의 N이 연속하는 것을 제외한다)을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (2) 식：?N＝C(SH)?X?(식 중, X는 NH, O 또는 S를 나타낸다)로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (3) 질소 원자(N)를 적어도 1개 가지는 헤테로 6원환 방향족 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이상인 것으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물로 이루어지는 Cu 표면 보호제와, Cu(구리)와 착체 또는 킬레이트를 형성할 수 있는 화합물과 물을 포함하고, pH가 4?9인 잔사 제거액에 관한 것이다.

5. 发明授权

KR100649418B1 박리액 有权
标题翻译：拆卸解决方案
公开(公告)号：KR100649418B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020057003010
申请日：2003-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 가네무라다카시 , 나카무라신고 , 가미야후미히로 , 게즈카다케히코
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： H01L21/02063 , C11D7/08 , C11D7/24 , C11D7/263 , C11D7/264 , C11D7/265 , C11D7/28 , C11D7/32 , C11D7/3263 , C11D7/34 , C11D11/0047 , G03F7/42 , G03F7/422 , G03F7/423 , G03F7/425 , G03F7/426 , G03F7/428 , H01L21/02071 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/76802 , H01L21/76838 , H05K3/26
摘要： 본 발명은, 유기산 및 유기용매로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종 ; 및 불화수소(HF)를 포함하는, low-k막용의 레지스트 박리액 및 비아홀 또는 캐패시터 세정액 ; 및 이들을 이용한 레지스트 박리 방법 및 비아홀 또는 캐패시터의 세정 방법을 제공한다.

6. 发明授权

KR100540525B1 세정용 조성물 有权
标题翻译：清洁组合物
公开(公告)号：KR100540525B1
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：KR1020027014274
申请日：2001-04-26
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 이타노미츠시
IPC分类号： C11D7/10
摘要： (1) 불화물염 및 중불화물염 중 적어도 1종; (2) 헤테로 원자를 가지는 유기 용매; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 세정용 조성물: 및 상기 조성물을 이용한 메탈 게이트, 콘택홀, 비아홀 및 커패시터의 세정 방법, 레지스트 유래의 잔존 폴리머 박리 방법, 및 CMP후 세정 방법.
세정용 조성물, 폴리머 박리 방법, 불화물염, 중불화물염
摘要翻译：（1）氟化物盐和半氟化物盐中的至少一种; （2）具有杂原子的有机溶剂; 和（3）水;以及使用该组合物清洗金属栅极，接触孔，通路孔和电容器的方法，除去源自抗蚀剂的来自残留聚合物的聚合物的方法以及CMP后清洁方法。

7. 发明公开

KR1020050019721A 식각액, 식각 처리물 및 식각 처리물의 제조 방법 有权
标题翻译：蚀刻解决方案，蚀刻文章和蚀刻文章的方法
公开(公告)号：KR1020050019721A
公开(公告)日：2005-03-03
申请号：KR1020047019111
申请日：1999-11-22
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 스야마마코토 , 이타노미츠시
IPC分类号： C09K13/08
CPC分类号： C09K13/08 , C03C15/00 , H01L21/31111
摘要： 본 발명은, 플루오르화 수소(HF)를 포함하고, (BSG 또는 BPSG의 식각율)/(열산화막(THOX)의 식각율)이 25℃에서 10 이상인 식각액에 관한 것이다.

8. 发明公开

KR1020040047959A 세정용 조성물 有权
标题翻译： 세정용조성
公开(公告)号：KR1020040047959A
公开(公告)日：2004-06-05
申请号：KR1020047006091
申请日：2002-10-23
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 이타노미츠시 , 게즈카다케히코
IPC分类号： C11D7/10
CPC分类号： C11D7/32 , C11D3/26 , C11D3/30 , C11D3/43 , C11D7/3209 , C11D7/3218 , C11D7/5013 , C11D7/5018 , C11D7/5022 , C11D11/0047 , G03F7/423 , G03F7/425
摘要： 본 발명은, (1) 히드록실아민류, 지방족 아민류, 방향족 아민류, 지방족 내지 방향족 제4급 암모늄염으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종과 불화수소산으로 형성된 불화물염 및 중불화물염의 적어도 1종 ; (2) 헤테로 원자를 갖는 유기 용매의 적어도 1종 ; 및 (3) 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 세정용 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译： 1。一种清洁组合物，其包含（1）至少一种由选自羟胺，脂族胺，芳族胺，脂族季铵盐和芳族季铵盐的氢氟酸中的至少一种形成的氟化物和/或氢氟二氟化物盐; （2）至少一种包含一个或多个杂原子的有机溶剂; 和（3）水。

9. 发明公开

KR1019990063592A 웨이퍼 처리액 및 그 제조방법 失效
标题翻译：晶圆加工液及其制造方法
公开(公告)号：KR1019990063592A
公开(公告)日：1999-07-26
申请号：KR1019980702035
申请日：1996-11-11
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 게즈카다케히코 , 스야마마코토 , 가미야후미히로 , 이타노미츠시
IPC分类号： H01L21/304
摘要： 본 발명은 20∼60중량%의 플루오르화수소(HF)에, C
n H
2n+1 ph(SO
3 M)Oph(SO
3 M)(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다), C
n H
2n+1 phO(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다) 및 C
n H
2n+1 O(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다)의 적어도 하나가 0.01∼1000ppm 용해하고 잔부가 물(합계 100중량%)로 이루어지는 웨이퍼 처리액 및 이 처리액에 물, H
2 O
2 , HNO
3 , CH
3 COOH, NH
4 F 등을 첨가하여 저농도의 웨이퍼 처리액을 제조하는 방법에 관한 것이다.
또, HF, H
2 O
2 , HNO
3 , CH
3 COOH, NH
4 F, HCl, H
3 PO
4 및 식
[(R
1 )(R
2 )(R
3 )(R
4 )N]
+ OH
-
(R
1 , R
2 , R
3 , R
4 는 각각 수산기를 가져도 되는 탄소수 1∼6의 알킬기를 나타낸다)으로 표시되는 암모늄히드록시드의 적어도 1종에 C
n H
2n+1 ph(SO
3 M)Oph(SO
3 M)(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다), C
n H
2n+1 phO(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(ph는 페닐렌기, n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다) 및 C
n H
2n+1 O(CH
2 CH
2 O)
m SO
3 M(n은 5∼20, m은 0∼20, M은 수소 또는 염을 나타낸다)으로 표시되는 계면활성제의 적어도 하나가 0.01∼1000ppm 용해하고 잔부가 물(합계 100중량%)로 이루어지는 웨이퍼 처리액에 관한 것이다.

10. 发明授权

KR101382998B1 반도체 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액 및 이를 이용한 잔사 제거 방법 有权
公开(公告)号：KR101382998B1
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：KR1020127024953
申请日：2008-08-21
申请人： 다이킨 고교 가부시키가이샤
发明人： 나카무라신고 , 게즈카다케히코
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/02068 , C11D7/3281 , C11D7/34 , C11D11/0047 , H01L21/02063
摘要： 본 발명은 종래의 폴리머 박리액으로 해결할 수 없었던, Cu 표면의 균열 및 거칠기를 방지함과 동시에 Cu 표면의 산화를 방지하는 것이 가능한 표면 보호제를 포함하는 드라이 프로세스 후의 잔사 제거액을 제공하고, 이를 이용한 반도체 디바이스의 제조 방법을 제공한다. 드라이 에칭 및/또는 애싱 후의 반도체 기판에 존재하는 잔사의 제거액으로서, (1) 식 :＝N―NH―로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 방향족 화합물(3개의 N이 연속하는 것을 제외한다)을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (2) 식：―N＝C(SH)―X―(식 중, X는 NH, O 또는 S를 나타낸다)로 표시되는 구조를 가지는 헤테로 5원환 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이하인 것, 및 (3) 질소 원자(N)를 적어도 1개 가지는 헤테로 6원환 방향족 화합물을 기본 골격으로서 포함하는 화합물이며, 그 수용액(10ppm, 23℃)의 pH가 7 이상인 것으로 이루어지는 군에서 선택되는 적어도 1종의 화합물로 이루어지는 Cu 표면 보호제와, Cu(구리)와 착체 또는 킬레이트를 형성할 수 있는 화합물과 물을 포함하고, pH가 4∼9인 잔사 제거액에 관한 것이다.

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