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1. 发明专利

TWI453293B Ａ１基合金濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：Ａ１基合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI453293B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW098110441
申请日：2009-03-30
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：高木勝壽 , TAKAGI, KATSUTOSHI , 岩崎祐紀 , IWASAKI, YUKI , 得平雅也 , EHIRA, MASAYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 奧野博行 , OKUNO, HIROYUKI , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA , 岸智彌 , KISHI, TOMOYA
IPC分类号： C23C14/34 , C22C21/00 , C22C1/04 , C22F1/04
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04

2. 发明专利

TWI382428B 觸控面板感應器有权
简体标题：触摸皮肤感应器
公开(公告)号：TWI382428B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW098105736
申请日：2009-02-23
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：三木綾 , MIKI, AYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 奧野博行 , OKUNO, HIROYUKI , 岸智彌 , KISHI, TOMOYA , 南部旭 , NANBU, AKIRA
IPC分类号： H01B1/02 , G06F3/041
CPC分类号： G06F3/041 , C22C21/00 , H05K1/09

3. 发明专利

TWI507554B 薄膜電晶體的半導體層用氧化物及濺鍍靶、以及薄膜電晶體有权
简体标题：薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI507554B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：TW100149224
申请日：2011-12-28
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：森田晉也 , MORITA, SHINYA , 三木綾 , MIKI, AYA , 安野聰 , YASUNO, SATOSHI , 釘宮敏洋 , KUGIMIYA, TOSHIHIRO , 岸智彌 , KISHI, TOMOYA
IPC分类号： C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L27/016 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869

4. 发明专利

TW200948997A Ａ１基合金濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：Ａ１基合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW200948997A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098110441
申请日：2009-03-30
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , 神戶製鋼所股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 岩崎祐紀 , 得平雅也 , 後藤裕史 , 三木綾 , 奧野博行 , 越智元隆 , 岸智彌
IPC分类号： C23C , C22C , C22F
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
摘要：本發明提供一種能減少濺鍍靶在使用初期階段產生的飛濺，藉此防止配線膜等中產生缺陷，提高FPD的成品率和動作性能的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金濺鍍靶及其製造方法。本發明關於構成分別含有選自A群（Ni,Co）中的至少一種、選自B群（Cu,Ge）中的至少一種與選自C群（La,Gd,Nd）中的至少一種的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金濺鍍靶，且其維氏硬度（HV）為35以上的Al基合金濺鍍靶。
简体摘要：本发明提供一种能减少溅镀靶在使用初期阶段产生的飞溅，借此防止配线膜等中产生缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅镀靶及其制造方法。本发明关于构成分别含有选自A群（Ni,Co）中的至少一种、选自B群（Cu,Ge）中的至少一种与选自C群（La,Gd,Nd）中的至少一种的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅镀靶，且其维氏硬度（HV）为35以上的Al基合金溅镀靶。

5. 发明专利

TWI373043B 光資訊記錄媒體及光資訊記錄媒體用之記錄膜 OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND RECORDING FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM 失效
简体标题：光信息记录媒体及光信息记录媒体用之记录膜 OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND RECORDING FILM FOR OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM
公开(公告)号：TWI373043B
公开(公告)日：2012-09-21
申请号：TW097129411
申请日：2008-08-01
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：藤井秀夫 , 柿內宏憲 , 慈幸範洋 , 岸智彌
IPC分类号： G11B
CPC分类号： G11B7/2433
摘要：〔課題〕提供一種：能夠藉由較先前所提案之Super－
RENS碟片為更低之再生功率(亦即是，與先前之BD為同樣的再生功率)，來將短記錄記號以與前述Super－RENS碟片的情況為相同之C/N比(亦即是，較先前之BD為更高的C/N比)而作再生，更具體而言，係例如能夠以0.3mW之再生功率，來將記錄記號長149nm之短記錄記號以45dB以上之C/N比來作再生之光資訊記錄媒體以及光資訊記錄媒體之記錄膜。
〔解決手段〕(1)一種記錄膜，係為：照射波長380
~450nm之雷射光，進行包含有記錄記號長149nm以下之短記錄記號的記錄記號之記錄，而進行此記錄記號之再生的光資訊記錄媒體用之記錄膜，其特徵為：對於波長380~450nm的雷射光之折射率，係為1.8~2.5，且，波長380~450nm之雷射光的衰減係數，係為2.3~2.9、(2)使用有前述記錄膜之光資訊記錄媒體等。
简体摘要：〔课题〕提供一种：能够借由较先前所提案之Super－ RENS盘片为更低之再生功率(亦即是，与先前之BD为同样的再生功率)，来将短记录记号以与前述Super－RENS盘片的情况为相同之C/N比(亦即是，较先前之BD为更高的C/N比)而作再生，更具体而言，系例如能够以0.3mW之再生功率，来将记录记号长149nm之短记录记号以45dB以上之C/N比来作再生之光信息记录媒体以及光信息记录媒体之记录膜。〔解决手段〕(1)一种记录膜，系为：照射波长380 ~450nm之激光光，进行包含有记录记号长149nm以下之短记录记号的记录记号之记录，而进行此记录记号之再生的光信息记录媒体用之记录膜，其特征为：对于波长380~450nm的激光光之折射率，系为1.8~2.5，且，波长380~450nm之激光光的衰减系数，系为2.3~2.9、(2)使用有前述记录膜之光信息记录媒体等。

6. 发明专利

TW201034504A 有機ＥＬ顯示器用之反射陽極電極及其製造方法审中-公开
简体标题：有机ＥＬ显示器用之反射阳极电极及其制造方法
公开(公告)号：TW201034504A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098138072
申请日：2009-11-10
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：越智元隆 , 後藤裕史 , 岸智彌 , 川上信之
IPC分类号： H05B
CPC分类号： H01L51/5218 , H01L27/3244 , H01L2251/5315
摘要：本發明係提供一種可實現與氧化物導電膜之低接觸電阻,同時可達成優異的反射率之具備Al合金反射膜之有機EL顯示器用之反射陽極電極。本發明之有機EL顯示器用反射陽極電極的製造方法,其特徵係於基板上使含有0.1-2原子%之Ni或Co的Al合金膜進行成膜,且使前述Al合金膜在真空或惰性氣體氛圍下以150℃以上的溫度進行熱處理,接著,使氧化物導電膜以與前述Al合金膜直接接觸之方式成膜。
简体摘要：本发明系提供一种可实现与氧化物导电膜之低接触电阻,同时可达成优异的反射率之具备Al合金反射膜之有机EL显示器用之反射阳极电极。本发明之有机EL显示器用反射阳极电极的制造方法,其特征系于基板上使含有0.1-2原子%之Ni或Co的Al合金膜进行成膜,且使前述Al合金膜在真空或惰性气体氛围下以150℃以上的温度进行热处理,接着,使氧化物导电膜以与前述Al合金膜直接接触之方式成膜。

7. 发明专利

TW201033378A 顯示裝置用鋁合金膜、顯示裝置及濺鍍靶审中-公开
简体标题：显示设备用铝合金膜、显示设备及溅镀靶
公开(公告)号：TW201033378A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098137601
申请日：2009-11-05
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：南部旭 , 後藤裕史 , 三木綾 , 奧野博行 , 中井淳一 , 岸智彌 , 高木敏晃 , 難波茂信 , 長尾護 , 小林宣裕
IPC分类号： C22C , C23C , H01L
CPC分类号： C23C14/18 , C23C14/3414 , G02F1/136227 , G02F1/1368 , H01L21/2855 , H01L23/53219 , H01L27/124 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L2924/0002 , Y10T428/12014 , H01L2924/00
摘要：本發明係於使用在顯示裝置的薄膜電晶體基板之配線構造，開發可以使鋁合金膜與透明畫素電極直接接觸，可改善對使用於薄膜電晶體的製造程序中的胺系剝離液的腐蝕性之鋁合金膜，提供具備該鋁合金膜之顯示裝置。本發明係關於在顯示裝置的基板上，與透明導電膜直接連接的鋁合金膜，其特徵為：該鋁合金膜，包含鍺0.05～2.0原子百分比，以及包含元素群X（Ni、Ag、Co、Zn、Cu）所選擇的至少1種元素，與由稀土類元素構成的元素群Q所選擇的至少1種元素0.02～2原子百分比，且於前述鋁合金膜中，存在含鍺析出物及／或鍺濃化部之至少一種之顯示裝置用鋁合金膜，及具備該鋁合金膜之顯示裝置。
简体摘要：本发明系于使用在显示设备的薄膜晶体管基板之配线构造，开发可以使铝合金膜与透明像素电极直接接触，可改善对使用于薄膜晶体管的制造进程中的胺系剥离液的腐蚀性之铝合金膜，提供具备该铝合金膜之显示设备。本发明系关于在显示设备的基板上，与透明导电膜直接连接的铝合金膜，其特征为：该铝合金膜，包含锗0.05～2.0原子百分比，以及包含元素群X（Ni、Ag、Co、Zn、Cu）所选择的至少1种元素，与由稀土类元素构成的元素群Q所选择的至少1种元素0.02～2原子百分比，且于前述铝合金膜中，存在含锗析出物及／或锗浓化部之至少一种之显示设备用铝合金膜，及具备该铝合金膜之显示设备。

8. 发明专利

TW200947467A 觸控面板感應器审中-公开
简体标题：触摸皮肤感应器
公开(公告)号：TW200947467A
公开(公告)日：2009-11-16
申请号：TW098105736
申请日：2009-02-23
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：三木綾 , 後藤裕史 , 奧野博行 , 岸智彌 , 南部旭
IPC分类号： H01B , G06F
CPC分类号： G06F3/041 , C22C21/00 , H05K1/09
摘要：本發明係提供一種不易引起歷久的電阻之增加、斷線且顯示低電阻率，同時具有可確保與透明導電膜之導電性、可直接與該透明導電膜連接之圍繞配線之信賴性高的觸控面板感應器。本發明係關於具有透明膜及與其直接連接之由鋁合金膜所構成的圍繞配線之觸控面板感應器，前述鋁合金膜含有合計0.2～10原子％之選自Ni及Co所成之X群的至少1種元素，且前述鋁合金膜的硬度為2～15GPa。
简体摘要：本发明系提供一种不易引起历久的电阻之增加、断线且显示低电阻率，同时具有可确保与透明导电膜之导电性、可直接与该透明导电膜连接之围绕配线之信赖性高的触摸皮肤感应器。本发明系关于具有透明膜及与其直接连接之由铝合金膜所构成的围绕配线之触摸皮肤感应器，前述铝合金膜含有合计0.2～10原子％之选自Ni及Co所成之X群的至少1种元素，且前述铝合金膜的硬度为2～15GPa。

9. 发明专利

TW201243070A 薄膜電晶體的半導體層用氧化物及濺鍍靶、以及薄膜電晶體审中-公开
简体标题：薄膜晶体管的半导体层用氧化物及溅镀靶、以及薄膜晶体管
公开(公告)号：TW201243070A
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：TW100149224
申请日：2011-12-28
申请人：神戶製鋼所股份有限公司
发明人：森田晉也 , 三木綾 , 安野聰 , 釘宮敏洋 , 岸智彌
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： H01L27/016 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/7869
摘要：〔課題〕提供一種具備有未含有Ga之In-Zn-O的氧化物半導體的薄膜電晶體的切換特性及應力耐性良好，尤其正偏壓應力施加前後的臨限值電壓變化量小且安定性優異的薄膜電晶體半導體層用氧化物。〔解決手段〕本發明之薄膜電晶體的半導體層用氧化物係含有：In；Zn；及選自由Al、Si、Ta、Ti、La、Mg、及Nb所成群組之至少一種元素(X群元素)。
简体摘要：〔课题〕提供一种具备有未含有Ga之In-Zn-O的氧化物半导体的薄膜晶体管的切换特性及应力耐性良好，尤其正偏压应力施加前后的临限值电压变化量小且安定性优异的薄膜晶体管半导体层用氧化物。〔解决手段〕本发明之薄膜晶体管的半导体层用氧化物系含有：In；Zn；及选自由Al、Si、Ta、Ti、La、Mg、及Nb所成群组之至少一种元素(X群元素)。

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