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2. 发明专利

TWI378150B Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ系統鋁基合金濺鍍靶及其製造方法 A1-Ni-La-Si SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｓｉ系统铝基合金溅镀靶及其制造方法 A1-Ni-La-Si SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI378150B
公开(公告)日：2012-12-01
申请号：TW097127641
申请日：2008-07-21
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , 鋼臂功科研股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 岩崎祐紀 , 得平雅也 , 南部旭 , 越智元隆 , 後藤裕史 , 川上信之
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F2998/10 , C22C1/0491 , C22C21/00 , C22F1/04 , B22F9/082 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18
摘要：本發明有關一種包含Ni、La與Si之Al－Ni－La－Si系統鋁基合金濺鍍靶，其中當以掃描電子顯微鏡在放大倍率2000倍下觀察與該濺鍍靶平面垂直之橫斷面中之(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)部分時，(1)以面積分率計，具有平均粒徑為0.3μm至3μm之Al－Ni系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al－Ni系統金屬間化合物之總面積係70%或更高，該Al－Ni系統金屬間化合物主要由Al與Ni所組成；及(2)以面積分率計，具有平均粒徑為0.2μm至2μm之Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物的總面積相對於整體Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物之總面積係70%或更高，該Al－Ni－La－Si系統金屬間化合物主要由Al、Ni、La與Si所組成。
简体摘要：本发明有关一种包含Ni、La与Si之Al－Ni－La－Si系统铝基合金溅镀靶，其中当以扫描电子显微镜在放大倍率2000倍下观察与该溅镀靶平面垂直之横断面中之(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)部分时，(1)以面积分率计，具有平均粒径为0.3μm至3μm之Al－Ni系统金属间化合物的总面积相对于整体Al－Ni系统金属间化合物之总面积系70%或更高，该Al－Ni系统金属间化合物主要由Al与Ni所组成；及(2)以面积分率计，具有平均粒径为0.2μm至2μm之Al－Ni－La－Si系统金属间化合物的总面积相对于整体Al－Ni－La－Si系统金属间化合物之总面积系70%或更高，该Al－Ni－La－Si系统金属间化合物主要由Al、Ni、La与Si所组成。

3. 发明专利

TWI453293B Ａ１基合金濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：Ａ１基合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI453293B
公开(公告)日：2014-09-21
申请号：TW098110441
申请日：2009-03-30
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：高木勝壽 , TAKAGI, KATSUTOSHI , 岩崎祐紀 , IWASAKI, YUKI , 得平雅也 , EHIRA, MASAYA , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI , 三木綾 , MIKI, AYA , 奧野博行 , OKUNO, HIROYUKI , 越智元隆 , OCHI, MOTOTAKA , 岸智彌 , KISHI, TOMOYA
IPC分类号： C23C14/34 , C22C21/00 , C22C1/04 , C22F1/04
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04

4. 发明专利

TWI367266B Ａｌ-Ｎｉ-Ｌａ系統之Ａｌ基合金濺鍍靶及彼之製法 A1-Ni-La SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：Ａｌ-Ｎｉ-Ｌａ系统之Ａｌ基合金溅镀靶及彼之制法 A1-Ni-La SYSTEM A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI367266B
公开(公告)日：2012-07-01
申请号：TW096142875
申请日：2007-11-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , 鋼臂功科研股份有限公司
发明人：得平雅也 , 高木勝壽 , 釘宮敏洋 , 米田陽一郎 , 後藤裕史
IPC分类号： C23C , C22C
CPC分类号： C23C14/3414 , B22F3/115 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/18 , B22F9/082 , B22F2998/10 , C22C21/00 , C23C4/08 , C23C4/123 , H01J37/3426 , H01J37/3429
摘要：本發明係關於包含Ni及La的Al-Ni-La系統之Al基合金濺鍍靶，其中，當垂直於濺鍍靶平面之橫截面中的(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)之切面以掃瞄式電子顯微鏡在放大倍率2000倍下觀察時，(1)平均粒徑為0.3微米至3微米之Al-Ni系統金屬間化合物的總面積相對於整個Al-Ni系統金屬間化合物的總面積為70%或更多(以面積分率計)，Al-Ni系統金屬間化合物主要包含Al及Ni；且(2)平均粒徑為0.2微米至2微米之Al-La系統金屬間化合物的總面積相對於整個Al-La系統金屬間化合物的總面積為70%或更多(以面積分率計)，Al-La系統金屬間化合物主要包含Al及La。
简体摘要：本发明系关于包含Ni及La的Al-Ni-La系统之Al基合金溅镀靶，其中，当垂直于溅镀靶平面之横截面中的(1/4)t至(3/4)t(t：厚度)之切面以扫瞄式电子显微镜在放大倍率2000倍下观察时，(1)平均粒径为0.3微米至3微米之Al-Ni系统金属间化合物的总面积相对于整个Al-Ni系统金属间化合物的总面积为70%或更多(以面积分率计)，Al-Ni系统金属间化合物主要包含Al及Ni；且(2)平均粒径为0.2微米至2微米之Al-La系统金属间化合物的总面积相对于整个Al-La系统金属间化合物的总面积为70%或更多(以面积分率计)，Al-La系统金属间化合物主要包含Al及La。

5. 发明专利

TW201005112A Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｃｕ系Ａｌ基合金濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｃｕ系Ａｌ基合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW201005112A
公开(公告)日：2010-02-01
申请号：TW098110738
申请日：2009-03-31
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , 神戶製鋼所股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 得平雅也 , 岩崎祐紀 , 後藤裕史
IPC分类号： C23C , C22C
CPC分类号： C23C14/3414
摘要：本發明提供一種能減少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al基合金濺鍍靶成膜時產生的飛濺的技術。含有Ni、La以及Cu的 Al-Ni-La-Cu系Al基合金濺鍍靶中，使用掃描型電子顯微鏡（2000倍）觀察垂直於濺鍍靶的平面之截面的1/4t（t為厚度）~3/4t的部位時，（1）關於以Al和Ni為主體的Al-Ni系金屬間化合物，相對於Al-Ni系金屬間化合物的全部面積之平均粒徑為0.3μm~3μm的Al-Ni系金屬間化合物的總面積≧70%，（2）關於以Al、La和Cu為主體的Al-La-Cu系金屬間化合物，相對於Al-La-Cu系金屬間化合物的全部面積之平均粒徑為0.2μm~2μm的Al-La-Cu系金屬間化合物的總面積≧70％。
简体摘要：本发明提供一种能减少使用含有Ni、La以及Cu的Al-Ni-La-Cu系Al基合金溅镀靶成膜时产生的飞溅的技术。含有Ni、La以及Cu的 Al-Ni-La-Cu系Al基合金溅镀靶中，使用扫描型电子显微镜（2000倍）观察垂直于溅镀靶的平面之截面的1/4t（t为厚度）~3/4t的部位时，（1）关于以Al和Ni为主体的Al-Ni系金属间化合物，相对于Al-Ni系金属间化合物的全部面积之平均粒径为0.3μm~3μm的Al-Ni系金属间化合物的总面积≧70%，（2）关于以Al、La和Cu为主体的Al-La-Cu系金属间化合物，相对于Al-La-Cu系金属间化合物的全部面积之平均粒径为0.2μm~2μm的Al-La-Cu系金属间化合物的总面积≧70％。

6. 发明专利

TWI431140B 鋁基合金濺鍍標靶材料之製造方法有权
简体标题：铝基合金溅镀标靶材料之制造方法
公开(公告)号：TWI431140B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW098119219
申请日：2009-06-09
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：得平雅也 , EHIRA, MASAYA , 松崎均 , MATSUZAKI, HITOSHI , 田內裕基 , TAUCHI, YUUKI , 高木勝壽 , TAKAGI, KATSUTOSHI , 岩崎祐紀 , IWASAKI, YUKI , 中井淳一 , NAKAI, JUNICHI
IPC分类号： C23C14/34 , B22F3/12 , B22F9/08 , C22C1/04 , C22C21/00
CPC分类号： C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003

7. 发明专利

TWI365917B Ａ１基合金濺鍍靶及其製造方法 A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME 有权
简体标题：Ａ１基合金溅镀靶及其制造方法 A1-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
公开(公告)号：TWI365917B
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：TW096142872
申请日：2007-11-13
申请人：神戶製鋼所股份有限公司 , 鋼臂功科研股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 得平雅也 , 釘宮敏洋 , 米田陽一郎 , 後藤裕史
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , Y10T428/12229
摘要：本發明是關於一種Al基合金濺鍍靶，含有0.05至10原子百分比之Ni，其中當依據電子背散射繞射圖案法(electron backscatter diffraction pattern method)觀察該Al基合金濺鍍靶之濺鍍表面法線方向的結晶學配向、、、及時，該Al基合金濺鍍靶符合下列條件：(1)P值對濺鍍表面總面積之比例為70%或以上，其中該P值意指 ±15∘、 ±15∘、 ±15∘、及 ±15∘之面積分率的總和；(2) ±15∘之面積分率對P值的比例為30%或以上；及(3) ±15∘之面積分率對P值的比例為10%或以下。
简体摘要：本发明是关于一种Al基合金溅镀靶，含有0.05至10原子百分比之Ni，其中当依据电子背散射绕射图案法(electron backscatter diffraction pattern method)观察该Al基合金溅镀靶之溅镀表面法线方向的结晶学配向<001>、<011>、<111>、及<311>时，该Al基合金溅镀靶符合下列条件：(1)P值对溅镀表面总面积之比例为70%或以上，其中该P值意指<001>±15∘、<011>±15∘、<111>±15∘、及<311>±15∘之面积分率的总和；(2)<011>±15∘之面积分率对P值的比例为30%或以上；及(3)<111>±15∘之面积分率对P值的比例为10%或以下。

8. 发明专利

TW201011116A 鋁基合金濺鍍標靶材料之製造方法审中-公开
简体标题：铝基合金溅镀标靶材料之制造方法
公开(公告)号：TW201011116A
公开(公告)日：2010-03-16
申请号：TW098119219
申请日：2009-06-09
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , 神戶製鋼所股份有限公司
发明人：得平雅也 , 松崎均 , 田內裕基 , 高木勝壽 , 岩崎祐紀 , 中井淳一
IPC分类号： C23C , B22F , C22C
CPC分类号： C22C1/0416 , B22F2998/10 , C23C14/3414 , B22F9/082 , B22F1/0003
摘要：本發明係提供可以良好合格率製造含有稀土類元素，及熔點高於鋁之高熔點元素的鋁基合金濺鍍標靶材料之方法。本發明係有關包含，準備由霧化法製造的含有稀土類元素之鋁基合金的第一粉末之步驟；混合第一粉末，及含有一種以上熔點高於鋁之高熔點元素X的第二粉末之步驟；使第一粉末及第二粉末之混合粉末細緻化的步驟，又上述混合步驟中，第一粉末之最大粒徑（a）為10至200μm，第二粉末之最大粒徑（b）為10至150μm，前述第一粉末之最大粒徑（a）與第二粉末之最大粒徑（b）的比（a）／（b）為0.5至5之鋁基合金濺鍍標靶材料的製造方法。
简体摘要：本发明系提供可以良好合格率制造含有稀土类元素，及熔点高于铝之高熔点元素的铝基合金溅镀标靶材料之方法。本发明系有关包含，准备由雾化法制造的含有稀土类元素之铝基合金的第一粉末之步骤；混合第一粉末，及含有一种以上熔点高于铝之高熔点元素X的第二粉末之步骤；使第一粉末及第二粉末之混合粉末细致化的步骤，又上述混合步骤中，第一粉末之最大粒径（a）为10至200μm，第二粉末之最大粒径（b）为10至150μm，前述第一粉末之最大粒径（a）与第二粉末之最大粒径（b）的比（a）／（b）为0.5至5之铝基合金溅镀标靶材料的制造方法。

9. 发明专利

TW200948997A Ａ１基合金濺鍍靶及其製造方法审中-公开
简体标题：Ａ１基合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TW200948997A
公开(公告)日：2009-12-01
申请号：TW098110441
申请日：2009-03-30
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , 神戶製鋼所股份有限公司
发明人：高木勝壽 , 岩崎祐紀 , 得平雅也 , 後藤裕史 , 三木綾 , 奧野博行 , 越智元隆 , 岸智彌
IPC分类号： C23C , C22C , C22F
CPC分类号： C23C14/3414 , C22C21/00 , C22F1/04
摘要：本發明提供一種能減少濺鍍靶在使用初期階段產生的飛濺，藉此防止配線膜等中產生缺陷，提高FPD的成品率和動作性能的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金濺鍍靶及其製造方法。本發明關於構成分別含有選自A群（Ni,Co）中的至少一種、選自B群（Cu,Ge）中的至少一種與選自C群（La,Gd,Nd）中的至少一種的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金濺鍍靶，且其維氏硬度（HV）為35以上的Al基合金濺鍍靶。
简体摘要：本发明提供一种能减少溅镀靶在使用初期阶段产生的飞溅，借此防止配线膜等中产生缺陷，提高FPD的成品率和动作性能的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅镀靶及其制造方法。本发明关于构成分别含有选自A群（Ni,Co）中的至少一种、选自B群（Cu,Ge）中的至少一种与选自C群（La,Gd,Nd）中的至少一种的Al-(Ni,Co)-(Cu,Ge)-(La,Gd,Nd)系合金溅镀靶，且其维氏硬度（HV）为35以上的Al基合金溅镀靶。

10. 发明专利

TWI408243B Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｃｕ系Ａｌ基合金濺鍍靶及其製造方法有权
简体标题：Ａｌ－Ｎｉ－Ｌａ－Ｃｕ系Ａｌ基合金溅镀靶及其制造方法
公开(公告)号：TWI408243B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：TW098110738
申请日：2009-03-31
申请人：鋼臂功科研股份有限公司 , KOBELCO RESEARCH INSTITUTE, INC. , 神戶製鋼所股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA KOBE SEIKO SHO (KOBE STEEL, LTD.)
发明人：高木勝壽 , TAKAGI, KATSUTOSHI , 得平雅也 , EHIRA, MASAYA , 岩崎祐紀 , IWASAKI, YUKI , 後藤裕史 , GOTO, HIROSHI
IPC分类号： C23C14/34 , C22C21/00
CPC分类号： C23C14/3414

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