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    • 1. 发明专利
    • 去除矽氧化膜之方法
    • 去除硅氧化膜之方法
    • TW201921501A
    • 2019-06-01
    • TW107125082
    • 2018-07-20
    • 日商東京威力科創股份有限公司TOKYO ELECTRON LIMITED
    • 山崎英亮YAMASAKI, HIDEAKI菊地貴倫KIKUCHI, TAKAMICHI村上誠志MURAKAMI, SEISHI
    • H01L21/311H01L21/768
    • 提供一種去除矽氧化膜之方法。 在適用一實施形態相關之方法的被加工物中,矽氧化膜係被露出於形成在絕緣膜之開口的底部。此方法係在被加工物表面上共形(CONFORMAL)地形成有保護膜。接著,便藉由來自非活性氣體之電漿的離子所致之濺鍍蝕刻,來蝕刻在矽氧化膜上延伸之保護膜與矽氧化膜的部分區域。接著,便藉由化學性蝕刻來去除矽氧化膜之殘渣。在保護膜之形成中,係重複:使用含碳氣體之前驅體層的形成、利用沖淨所致之多餘前驅體的去除以及利用非活性氣體之電漿所致的前驅體層內之雜質之量的降低。
    • 提供一种去除硅氧化膜之方法。 在适用一实施形态相关之方法的被加工物中,硅氧化膜系被露出于形成在绝缘膜之开口的底部。此方法系在被加工物表面上共形(CONFORMAL)地形成有保护膜。接着,便借由来自非活性气体之等离子的离子所致之溅镀蚀刻,来蚀刻在硅氧化膜上延伸之保护膜与硅氧化膜的部分区域。接着,便借由化学性蚀刻来去除硅氧化膜之残渣。在保护膜之形成中,系重复:使用含碳气体之前驱体层的形成、利用冲净所致之多余前驱体的去除以及利用非活性气体之等离子所致的前驱体层内之杂质之量的降低。
    • 6. 发明专利
    • 處理裝置
    • 处理设备
    • TW201241866A
    • 2012-10-16
    • TW100143047
    • 2011-11-24
    • 東京威力科創股份有限公司
    • 手塚一幸加藤健一澤地淳菊地貴倫三村高範
    • H01JH01L
    • H01J37/32449C23C16/45561C23C16/5096H01J37/32091H01J37/32366H01J37/32385H01J37/3244
    • 本發明之課題在於提供一種處理裝置,無需以人工作業來進行環狀分隔壁構件之位置的變更、更換或是處理氣體流出部本身之更換,即可變更處理氣體之流出位置。本發明之處理裝置係具備有:處理氣體流出部,係對向於載置台而設置於處理室內,使得處理氣體流出於處理室;對應於被處理體面內當中之中心部分之第1空間、對應於被處理體面內當中之邊緣部分之第2空間、以及設置於第1空間與第2空間之間之至少1個第3空間,係於處理氣體流出部內經由分隔壁而相互區劃設置,且具有流出處理氣體之流出孔;以及處理氣體分配單元,係包含有連通於此等空間之處理氣體分配管、以及將鄰接之處理氣體分配管彼此間加以開閉之閥。
    • 本发明之课题在于提供一种处理设备,无需以人工作业来进行环状分隔壁构件之位置的变更、更换或是处理气体流出部本身之更换,即可变更处理气体之流出位置。本发明之处理设备系具备有:处理气体流出部,系对向于载置台而设置于处理室内,使得处理气体流出于处理室;对应于被处理体面内当中之中心部分之第1空间、对应于被处理体面内当中之边缘部分之第2空间、以及设置于第1空间与第2空间之间之至少1个第3空间,系于处理气体流出部内经由分隔壁而相互区划设置,且具有流出处理气体之流出孔;以及处理气体分配单元,系包含有连通于此等空间之处理气体分配管、以及将邻接之处理气体分配管彼此间加以开闭之阀。