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1. 发明专利

TW201907480A 形成鈦矽化物區域之方法审中-公开
简体标题：形成钛硅化物区域之方法
公开(公告)号：TW201907480A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107113481
申请日：2018-04-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 田中健作 , TANAKA, KENSAKU , 小林裕史 , KOBAYASHI, YUJI
IPC分类号： H01L21/31
摘要：提供一種能相對於鈦矽化物區域來選擇性地去除含鈦區域的方法。一實施形態之方法中，係在被加工物之矽層上形成有含鈦區域及鈦矽化物區域。接著，為了相對於鈦矽化物區域來選擇性地蝕刻含鈦區域，而對包含含鈦區域及鈦矽化物區域的被加工物供給有含氟氣體。
简体摘要：提供一种能相对于钛硅化物区域来选择性地去除含钛区域的方法。一实施形态之方法中，系在被加工物之硅层上形成有含钛区域及钛硅化物区域。接着，为了相对于钛硅化物区域来选择性地蚀刻含钛区域，而对包含含钛区域及钛硅化物区域的被加工物供给有含氟气体。

2. 发明专利

TW201903828A 氧化膜去除方法及去除裝置、接觸部形成方法及接觸部形成系統、以及記憶媒體审中-公开
简体标题：氧化膜去除方法及去除设备、接触部形成方法及接触部形成系统、以及记忆媒体
公开(公告)号：TW201903828A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW107107373
申请日：2018-03-06
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小林岳志 , KOBAYASHI, TAKASHI , 佐久間隆 , SAKUMA, TAKASHI , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 清水梨央 , SHIMIZU, RIO , 津田榮之輔 , TSUDA, EINOSUKE
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/311 , H01L21/67 , H01L21/677 , H01L29/45 , H01L29/66
摘要：在去除圖案底部之矽部分所形成的含矽氧化膜時，抑制CD損失。在具形成有既定圖案之絕緣膜，並具圖案底部之矽部分所形成的含矽氧化膜之被處理基板中，去除含矽氧化膜之氧化膜去除方法係具有：藉由碳系氣體電漿的離子性之異向性電漿蝕刻來去除圖案底部所形成之含矽氧化膜的工序；藉由化學蝕刻來去除異向性電漿蝕刻後之含矽氧化膜的殘留部分之工序；以及去除化學蝕刻後所殘留之殘渣的工序。
简体摘要：在去除图案底部之硅部分所形成的含硅氧化膜时，抑制CD损失。在具形成有既定图案之绝缘膜，并具图案底部之硅部分所形成的含硅氧化膜之被处理基板中，去除含硅氧化膜之氧化膜去除方法系具有：借由碳系气体等离子的离子性之异向性等离子蚀刻来去除图案底部所形成之含硅氧化膜的工序；借由化学蚀刻来去除异向性等离子蚀刻后之含硅氧化膜的残留部分之工序；以及去除化学蚀刻后所残留之残渣的工序。

3. 发明专利

TW201817912A 成膜裝置及其所用之氣體吐出構件审中-公开
简体标题：成膜设备及其所用之气体吐出构件
公开(公告)号：TW201817912A
公开(公告)日：2018-05-16
申请号：TW106125699
申请日：2017-07-31
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡部真也 , OKABE, SHINYA , 望月隆 , MOCHIZUKI, TAKASHI , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 平松永泰 , HIRAMATSU, NAGAYASU , 傳寶一樹 , DEMPOH, KAZUKI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/08 , H01L21/285
摘要： [課題] 提供一種如下述之技術：可在藉由電漿CVD進行成膜之際，調整基板外周部之膜厚而獲得所期望的膜厚面內均勻性。　　[解決手段] 成膜裝置（100），係具有：處理容器（1），收容有晶圓（W）：基座（2），在處理容器（1）內載置有晶圓：噴頭（10），與被載置於基座（2）的晶圓（W）相對向配置，將處理氣體朝向基座（2）上的晶圓（W）吐出：及高頻電源（41），在噴頭（10）與基座（2）之間生成電漿而激發處理氣體，藉由被電漿激發的處理氣體，在晶圓（W）上形成預定膜。噴頭（10），係具有與基座（2）相對向的氣體吐出面（17），在氣體吐出面（17），係形成有複數個氣體吐出孔（15），氣體吐出面（17）中之形成有複數個氣體吐出孔（15）的氣體吐出孔形成區域（18），係比氣體吐出面（17）之與晶圓（W）對應的區域小。
简体摘要： [课题] 提供一种如下述之技术：可在借由等离子CVD进行成膜之际，调整基板外周部之膜厚而获得所期望的膜厚面内均匀性。　　[解决手段] 成膜设备（100），系具有：处理容器（1），收容有晶圆（W）：基座（2），在处理容器（1）内载置有晶圆：喷头（10），与被载置于基座（2）的晶圆（W）相对向配置，将处理气体朝向基座（2）上的晶圆（W）吐出：及高频电源（41），在喷头（10）与基座（2）之间生成等离子而激发处理气体，借由被等离子激发的处理气体，在晶圆（W）上形成预定膜。喷头（10），系具有与基座（2）相对向的气体吐出面（17），在气体吐出面（17），系形成有复数个气体吐出孔（15），气体吐出面（17）中之形成有复数个气体吐出孔（15）的气体吐出孔形成区域（18），系比气体吐出面（17）之与晶圆（W）对应的区域小。

4. 发明专利

TW201921501A 去除矽氧化膜之方法审中-公开
简体标题：去除硅氧化膜之方法
公开(公告)号：TW201921501A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107125082
申请日：2018-07-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI , 村上誠志 , MURAKAMI, SEISHI
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要：提供一種去除矽氧化膜之方法。在適用一實施形態相關之方法的被加工物中，矽氧化膜係被露出於形成在絕緣膜之開口的底部。此方法係在被加工物表面上共形(CONFORMAL)地形成有保護膜。接著，便藉由來自非活性氣體之電漿的離子所致之濺鍍蝕刻，來蝕刻在矽氧化膜上延伸之保護膜與矽氧化膜的部分區域。接著，便藉由化學性蝕刻來去除矽氧化膜之殘渣。在保護膜之形成中，係重複：使用含碳氣體之前驅體層的形成、利用沖淨所致之多餘前驅體的去除以及利用非活性氣體之電漿所致的前驅體層內之雜質之量的降低。
简体摘要：提供一种去除硅氧化膜之方法。在适用一实施形态相关之方法的被加工物中，硅氧化膜系被露出于形成在绝缘膜之开口的底部。此方法系在被加工物表面上共形(CONFORMAL)地形成有保护膜。接着，便借由来自非活性气体之等离子的离子所致之溅镀蚀刻，来蚀刻在硅氧化膜上延伸之保护膜与硅氧化膜的部分区域。接着，便借由化学性蚀刻来去除硅氧化膜之残渣。在保护膜之形成中，系重复：使用含碳气体之前驱体层的形成、利用冲净所致之多余前驱体的去除以及利用非活性气体之等离子所致的前驱体层内之杂质之量的降低。

5. 发明专利

TW201837227A 沖淨方法审中-公开
简体标题：冲净方法
公开(公告)号：TW201837227A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106145481
申请日：2017-12-25
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 板谷剛司 , ITATANI, TAKESHI
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/44
摘要：提供一種用以降低粒子污染的沖淨處理。在一實施形態中提供一種沖淨方法，係在基板處理裝置之處理容器內對晶圓實行成膜處理後將該處理容器內沖淨。此沖淨方法係具備有：第1工序，係在藉由基板處理裝置之第1氣體管線所設置之升壓部來升壓第1氣體後，將第1氣體噴出至處理容器內；以及第2工序，係將第2氣體供給至處理容器內。第2工序會在第1工序實行後加以實行。第1氣體係包含非活性氣體，第2氣體係可包含氫氣或含氮氣體，或是稀有氣體，或是該等氣體之組合。
简体摘要：提供一种用以降低粒子污染的冲净处理。在一实施形态中提供一种冲净方法，系在基板处理设备之处理容器内对晶圆实行成膜处理后将该处理容器内冲净。此冲净方法系具备有：第1工序，系在借由基板处理设备之第1气体管线所设置之升压部来升压第1气体后，将第1气体喷出至处理容器内；以及第2工序，系将第2气体供给至处理容器内。第2工序会在第1工序实行后加以实行。第1气体系包含非活性气体，第2气体系可包含氢气或含氮气体，或是稀有气体，或是该等气体之组合。

6. 发明专利

TW201349391A 形成保形金屬矽化物膜之方法审中-公开
简体标题：形成保形金属硅化物膜之方法
公开(公告)号：TW201349391A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102102872
申请日：2013-01-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷川敏夫 , HASEGAWA, TOSHIO , 多田國弘 , TADA, KUNIHIRO , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 歐米拉大衛L , O'MEARA, DAVID L. , 盧森克葛雷特J , LEUSINK, GERRIT J.
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76898 , C23C16/42 , C23C16/45538 , H01L21/28518 , H01L21/28562 , H01L28/91 , H01L29/66181
摘要：提供一種在基板上形成金屬矽化物層的方法。根據一實施例，本方法包含在處理室中提供基板，在第一基板溫度下使該基板暴露於產生自包含金屬前驅物之沉積氣體的電漿，其中該電漿暴露於自限處理中在該基板上形成保形的含金屬層。該方法更包含缺少電漿的情況下，於第二基板溫度下使該含金屬層暴露於還原氣體，其中暴露步驟係交替地執行至少一次以形成該金屬矽化物層，且該沉積氣體並未包含該還原氣體。本方法提供在深凹槽中具有高深寬比之保形金屬矽化物形成。
简体摘要：提供一种在基板上形成金属硅化物层的方法。根据一实施例，本方法包含在处理室中提供基板，在第一基板温度下使该基板暴露于产生自包含金属前驱物之沉积气体的等离子，其中该等离子暴露于自限处理中在该基板上形成保形的含金属层。该方法更包含缺少等离子的情况下，于第二基板温度下使该含金属层暴露于还原气体，其中暴露步骤系交替地运行至少一次以形成该金属硅化物层，且该沉积气体并未包含该还原气体。本方法提供在深凹槽中具有高深宽比之保形金属硅化物形成。

7. 发明专利

TWI389184B 成膜方法，成膜裝置及記憶媒體失效
简体标题：成膜方法，成膜设备及记忆媒体
公开(公告)号：TWI389184B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW095124851
申请日：2006-07-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中村和仁 , NAKAMURA, KAZUHITO , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 河野有美子 , KAWANO, YUMIKO
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/768 , H01L21/8239 , C23C16/34

8. 发明专利

TWI613309B ＴｉＮ膜之成膜方法及記憶媒體有权
简体标题：ＴｉＮ膜之成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI613309B
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW102100185
申请日：2013-01-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 山本健史 , YAMAMOTO, TAKESHI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/02274

9. 发明专利

TW201527573A 用以在使用金屬氯化物前驅體之含鍺膜上沉積金屬層的方法审中-公开
简体标题：用以在使用金属氯化物前驱体之含锗膜上沉积金属层的方法
公开(公告)号：TW201527573A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103138754
申请日：2014-11-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：長谷川敏夫 , HASEGAWA, TOSHIO , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI
IPC分类号： C23C16/06 , C23C16/455 , C23C16/50 , C23C16/52
CPC分类号： H01L21/32051 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L29/66795
摘要：提供一種形成半導體元件的方法。根據一實施例，該方法包括設置在其上具有含鍺膜的基板，確認使用金屬氯化物前驅體並以高於含鍺膜受金屬氯化物前驅體蝕刻的速度在含鍺膜上沉積第一金屬層的第一電漿處理配方，確認使用金屬氯化物前驅體並以高於在含鍺膜上由金屬氯化物而沉積第二金屬層的速度蝕刻含鍺膜的第二電漿處理配方，進行第一電漿處理配方以在含鍺膜上沉積第一金屬層，以及進行第二電漿處理配方以在第一金屬層上沉積第二金屬層，且其中第二金屬層以高於第一金屬層的速度沉積。
简体摘要：提供一种形成半导体组件的方法。根据一实施例，该方法包括设置在其上具有含锗膜的基板，确认使用金属氯化物前驱体并以高于含锗膜受金属氯化物前驱体蚀刻的速度在含锗膜上沉积第一金属层的第一等离子处理配方，确认使用金属氯化物前驱体并以高于在含锗膜上由金属氯化物而沉积第二金属层的速度蚀刻含锗膜的第二等离子处理配方，进行第一等离子处理配方以在含锗膜上沉积第一金属层，以及进行第二等离子处理配方以在第一金属层上沉积第二金属层，且其中第二金属层以高于第一金属层的速度沉积。

10. 发明专利

TW201348495A ＴｉＮ膜之成膜方法及記憶媒體审中-公开
简体标题：ＴｉＮ膜之成膜方法及记忆媒体
公开(公告)号：TW201348495A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102100185
申请日：2013-01-04
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 山本健史 , YAMAMOTO, TAKESHI
IPC分类号： C23C16/34 , C23C16/455 , C23C16/50
CPC分类号： H01L21/0332 , C23C16/34 , C23C16/56 , H01L21/02274
摘要：本發明關於一種TiN膜之成膜方法及記憶媒體，在作為針對形成於被處理基板之蝕刻對象膜進行蝕刻用的金屬硬遮罩而形成TiN膜時，係複數次重複交互地進行下列步驟以形成膜應力經降低後的TiN膜：TiN單位膜成形步驟(步驟1)，係將被處理基板搬入處理容器內，在使處理容器內保持於減壓狀態的狀態下，將TiCl4氣體及氮化氣體供給至處理容器內，產生前述氣體之電漿以形成TiN單位膜；以及電漿氮化處理實施步驟(步驟2)，係對處理容器內供給氮化氣體，產生前述氣體之電漿以對TiN單位膜實施電漿氮化處理。
简体摘要：本发明关于一种TiN膜之成膜方法及记忆媒体，在作为针对形成于被处理基板之蚀刻对象膜进行蚀刻用的金属硬遮罩而形成TiN膜时，系复数次重复交互地进行下列步骤以形成膜应力经降低后的TiN膜：TiN单位膜成形步骤(步骤1)，系将被处理基板搬入处理容器内，在使处理容器内保持于减压状态的状态下，将TiCl4气体及氮化气体供给至处理容器内，产生前述气体之等离子以形成TiN单位膜；以及等离子氮化处理实施步骤(步骤2)，系对处理容器内供给氮化气体，产生前述气体之等离子以对TiN单位膜实施等离子氮化处理。

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