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1. 发明专利

TW201131638A 腔室內洗淨方法审中-公开
简体标题：腔室内洗净方法
公开(公告)号：TW201131638A
公开(公告)日：2011-09-16
申请号：TW099129694
申请日：2010-09-02
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：本田昌伸 , 花岡秀敏 , 平野太一 , 三村高範 , 岩田學 , 岡城武敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/32862
摘要： [課題]提供一種:能夠將堆積在ESC之外周部處的CF基礎且包含有Si以及Al之肩部堆積以良好效率來除去的腔室內洗淨方法。[解決手段]將O2氣體與含有F之氣體的混合氣體,朝向ESC24之外周部(24a)而以壓力400-800mTorr來作供給,並將由此混合氣體所產生之電漿,選擇性地照射至ESC24之外周部(24a)處,並且,對於ESC24之外周部(24a)以外的上部表面處,作為遮罩氣體而供給O2單氣體,而一面防止ESC24之外周部(24a)以外的上部表面被暴露在F自由基氣體中,一面將附著在該外周部24a處之肩部堆積(50)作分解、除去。
简体摘要： [课题]提供一种:能够将堆积在ESC之外周部处的CF基础且包含有Si以及Al之肩部堆积以良好效率来除去的腔室内洗净方法。[解决手段]将O2气体与含有F之气体的混合气体,朝向ESC24之外周部(24a)而以压力400-800mTorr来作供给,并将由此混合气体所产生之等离子,选择性地照射至ESC24之外周部(24a)处,并且,对于ESC24之外周部(24a)以外的上部表面处,作为遮罩气体而供给O2单气体,而一面防止ESC24之外周部(24a)以外的上部表面被暴露在F自由基气体中,一面将附着在该外周部24a处之肩部堆积(50)作分解、除去。

2. 发明专利

TWI527081B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI527081B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100143047
申请日：2011-11-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：手塚一幸 , TEZUKA, KAZUYUKI , 加藤健一 , KATO, KENICHI , 澤地淳 , SAWACHI, ATSUSHI , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI , 三村高範 , MIMURA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/3244

3. 发明专利

TW201241866A 處理裝置审中-公开
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TW201241866A
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：TW100143047
申请日：2011-11-24
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：手塚一幸 , 加藤健一 , 澤地淳 , 菊地貴倫 , 三村高範
IPC分类号： H01J , H01L
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/3244
摘要：本發明之課題在於提供一種處理裝置,無需以人工作業來進行環狀分隔壁構件之位置的變更、更換或是處理氣體流出部本身之更換,即可變更處理氣體之流出位置。本發明之處理裝置係具備有:處理氣體流出部,係對向於載置台而設置於處理室內,使得處理氣體流出於處理室;對應於被處理體面內當中之中心部分之第1空間、對應於被處理體面內當中之邊緣部分之第2空間、以及設置於第1空間與第2空間之間之至少1個第3空間,係於處理氣體流出部內經由分隔壁而相互區劃設置,且具有流出處理氣體之流出孔;以及處理氣體分配單元,係包含有連通於此等空間之處理氣體分配管、以及將鄰接之處理氣體分配管彼此間加以開閉之閥。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种处理设备,无需以人工作业来进行环状分隔壁构件之位置的变更、更换或是处理气体流出部本身之更换,即可变更处理气体之流出位置。本发明之处理设备系具备有:处理气体流出部,系对向于载置台而设置于处理室内,使得处理气体流出于处理室;对应于被处理体面内当中之中心部分之第1空间、对应于被处理体面内当中之边缘部分之第2空间、以及设置于第1空间与第2空间之间之至少1个第3空间,系于处理气体流出部内经由分隔壁而相互区划设置,且具有流出处理气体之流出孔;以及处理气体分配单元,系包含有连通于此等空间之处理气体分配管、以及将邻接之处理气体分配管彼此间加以开闭之阀。

4. 发明专利

TW201137967A 基板處理裝置及其清潔方法以及記錄有程式之記錄媒體审中-公开
简体标题：基板处理设备及其清洁方法以及记录有进程之记录媒体
公开(公告)号：TW201137967A
公开(公告)日：2011-11-01
申请号：TW099139451
申请日：2010-11-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：本田昌伸 , 村上貴宏 , 三村高範 , 花岡秀敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32862
摘要：本發明關於一種不需提高下部電極的自偏壓,便可提升基板載置台附著物的去除率之基板處理裝置及其清潔方法以及記錄有程式之記錄媒體。當根據特定處理條件來清潔處理室內時,係配合下部電極的自偏壓,若其絕對値愈小,則以減少O2氣體的流量比而增加Ar氣體的流量比之方式所設定的流量比,來將O2氣體與惰性氣體所構成的處理氣體供應至處理室內,並對下部電極與上部電極之電極間施加高頻電功率以產生電漿。
简体摘要：本发明关于一种不需提高下部电极的自偏压,便可提升基板载置台附着物的去除率之基板处理设备及其清洁方法以及记录有进程之记录媒体。当根据特定处理条件来清洁处理室内时,系配合下部电极的自偏压,若其绝对値愈小,则以减少O2气体的流量比而增加Ar气体的流量比之方式所设置的流量比,来将O2气体与惰性气体所构成的处理气体供应至处理室内,并对下部电极与上部电极之电极间施加高频电功率以产生等离子。

5. 发明专利

TWI590323B 基板處理裝置及其清潔方法有权
简体标题：基板处理设备及其清洁方法
公开(公告)号：TWI590323B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW099139451
申请日：2010-11-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 村上貴宏 , MURAKAMI, TAKAHIRO , 三村高範 , MIMURA, TAKANORI , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： B08B7/0035 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/32449 , H01J37/32862

6. 发明专利

TWI525694B 腔室內洗淨方法有权
简体标题：腔室内洗净方法
公开(公告)号：TWI525694B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW099129694
申请日：2010-09-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 花岡秀敏 , HANAOKA, HIDETOSHI , 平野太一 , HIRANO, TAICHI , 三村高範 , MIMURA, TAKANORI , 岩田學 , IWATA, MANABU , 岡城武敏 , OKAJO, TAKETOSHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683
CPC分类号： C23C16/4405 , H01J37/32862

7. 发明专利

TW506015B 矽之高速蝕刻方法有权
简体标题：硅之高速蚀刻方法
公开(公告)号：TW506015B
公开(公告)日：2002-10-11
申请号：TW090122786
申请日：2001-09-13
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 東芝股份有限公司
发明人：三村高範 , 永關一也 , 酒井伊都子 , 大岩德久
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32137 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3266 , H01J2237/3347 , H01L21/3065 , H01L21/3081
摘要：本發明關於一種矽之高速蝕刻方法，係設置一具有矽領域之被處理體，使與可保持真空狀態之處理室內之處理空間相接觸，且朝該處理空間導入蝕刻氣體而生成氣體壓力為13至1333Pa(100mTorr~10Torr)之氣體環境，使生成一藉高頻電力施加所致之電漿者。該電漿中離子等荷電粒子之個數及原子團之個數之和變大，且矽領域之蝕刻係相較於習如為高速化之矽之高速蝕刻方法。
简体摘要：本发明关于一种硅之高速蚀刻方法，系设置一具有硅领域之被处理体，使与可保持真空状态之处理室内之处理空间相接触，且朝该处理空间导入蚀刻气体而生成气体压力为13至1333Pa(100mTorr~10Torr)之气体环境，使生成一藉高频电力施加所致之等离子者。该等离子中离子等荷电粒子之个数及原子团之个数之和变大，且硅领域之蚀刻系相较于习如为高速化之硅之高速蚀刻方法。

8. 发明专利

TW457616B 成膜裝置(二) 有权
简体标题：成膜设备(二)
公开(公告)号：TW457616B
公开(公告)日：2001-10-01
申请号：TW089100648
申请日：2000-01-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：饗場康 , 三村高範
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68721 , C23C16/4401 , C23C16/4585 , H01L21/68735
摘要：保持載置於可能抽真空的成膜處理用處理容器的載置台上之被處理體W夾持機構其中，包含有:與前述被處理體之周緣部接觸的環狀之夾緊圈本體以及賦與該夾緊圈本體朝下方之勢能的賦與勢能構件，前述夾緊圈本體內周側之接觸面係作為面向前述被處理體之徑方向外方由水平方向以一定之角度θ朝下傾斜之錐狀面形成，將前述一定之角度設定於2~15度之範圍內，同時前述接觸面與前述被處理體之周緣部之重疊量係設定於0.7~3.5公厘之範圍內。由此，適當的抑制朝被處理體之周緣部及側面近旁不需要的附著膜之形成。
简体摘要：保持载置于可能抽真空的成膜处理用处理容器的载置台上之被处理体W夹持机构其中，包含有:与前述被处理体之周缘部接触的环状之夹紧圈本体以及赋与该夹紧圈本体朝下方之势能的赋与势能构件，前述夹紧圈本体内周侧之接触面系作为面向前述被处理体之径方向外方由水平方向以一定之角度θ朝下倾斜之锥状面形成，将前述一定之角度设置于2~15度之范围内，同时前述接触面与前述被处理体之周缘部之重叠量系设置于0.7~3.5公厘之范围内。由此，适当的抑制朝被处理体之周缘部及侧面近旁不需要的附着膜之形成。

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