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1. 发明专利

TW201921501A 去除矽氧化膜之方法审中-公开
简体标题：去除硅氧化膜之方法
公开(公告)号：TW201921501A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107125082
申请日：2018-07-20
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI , 村上誠志 , MURAKAMI, SEISHI
IPC分类号： H01L21/311 , H01L21/768
摘要：提供一種去除矽氧化膜之方法。在適用一實施形態相關之方法的被加工物中，矽氧化膜係被露出於形成在絕緣膜之開口的底部。此方法係在被加工物表面上共形(CONFORMAL)地形成有保護膜。接著，便藉由來自非活性氣體之電漿的離子所致之濺鍍蝕刻，來蝕刻在矽氧化膜上延伸之保護膜與矽氧化膜的部分區域。接著，便藉由化學性蝕刻來去除矽氧化膜之殘渣。在保護膜之形成中，係重複：使用含碳氣體之前驅體層的形成、利用沖淨所致之多餘前驅體的去除以及利用非活性氣體之電漿所致的前驅體層內之雜質之量的降低。
简体摘要：提供一种去除硅氧化膜之方法。在适用一实施形态相关之方法的被加工物中，硅氧化膜系被露出于形成在绝缘膜之开口的底部。此方法系在被加工物表面上共形(CONFORMAL)地形成有保护膜。接着，便借由来自非活性气体之等离子的离子所致之溅镀蚀刻，来蚀刻在硅氧化膜上延伸之保护膜与硅氧化膜的部分区域。接着，便借由化学性蚀刻来去除硅氧化膜之残渣。在保护膜之形成中，系重复：使用含碳气体之前驱体层的形成、利用冲净所致之多余前驱体的去除以及利用非活性气体之等离子所致的前驱体层内之杂质之量的降低。

2. 发明专利

TW201735157A 載置台之表面處理方法、載置台及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：载置台之表面处理方法、载置台及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201735157A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106100922
申请日：2017-01-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡部真也 , OKABE, SHINYA , 山崎英亮 , YAMASAKI, HIDEAKI , 岡純也 , OKA, JUNYA , 小林裕史 , KOBAYASHI, YUUJI , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/44 , C23C16/509 , H01L21/285 , H05H1/46
CPC分类号： C23C4/134 , C23C4/11 , C23C4/137 , C23C4/18 , C23C16/4407 , C23C16/4581 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01J2237/332 , H01L21/68742 , H01L21/68757
摘要：本發明之課題在於提供一種技術，於上部電極與兼做為下部電極之金屬製載置台之間施加高頻電力的電漿處理裝置中，使得處理容器內之電漿安定化。對於設置在處理容器2內之兼用做為下部電極的金屬製載置台3之載置面吹附氧化鋁之微細粒子100來經過第1噴砂處理之後，進行吹附乾冰之微細粒子101的第2噴砂處理。是以，藉由吹附氧化鋁之微細粒子100所形成之凹凸的邊部成為圓滑。因此，從高頻電源51經由氣體供給部5(上部電極)、晶圓W以及載置台3到達地面之高頻電流路徑中，晶圓W與載置台3之間的阻抗變小。從而，由於從電漿產生區域朝處理容器2之側壁等的電流路徑形成受到抑制，故可使得電漿安定化，進行安定的電漿處理。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种技术，于上部电极与兼做为下部电极之金属制载置台之间施加高频电力的等离子处理设备中，使得处理容器内之等离子安定化。对于设置在处理容器2内之兼用做为下部电极的金属制载置台3之载置面吹附氧化铝之微细粒子100来经过第1喷砂处理之后，进行吹附干冰之微细粒子101的第2喷砂处理。是以，借由吹附氧化铝之微细粒子100所形成之凹凸的边部成为圆滑。因此，从高频电源51经由气体供给部5(上部电极)、晶圆W以及载置台3到达地面之高频电流路径中，晶圆W与载置台3之间的阻抗变小。从而，由于从等离子产生区域朝处理容器2之侧壁等的电流路径形成受到抑制，故可使得等离子安定化，进行安定的等离子处理。

3. 发明专利

TWI527081B 處理裝置有权
简体标题：处理设备
公开(公告)号：TWI527081B
公开(公告)日：2016-03-21
申请号：TW100143047
申请日：2011-11-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：手塚一幸 , TEZUKA, KAZUYUKI , 加藤健一 , KATO, KENICHI , 澤地淳 , SAWACHI, ATSUSHI , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI , 三村高範 , MIMURA, TAKANORI
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/306 , H01L21/205 , H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32449 , C23C16/45561 , C23C16/5096 , H01J37/32091 , H01J37/32366 , H01J37/32385 , H01J37/3244

4. 发明专利

TW201810414A 氧化膜去除方法、去除裝置、接點形成方法、接點形成系統及記憶媒體审中-公开
简体标题：氧化膜去除方法、去除设备、接点形成方法、接点形成系统及记忆媒体
公开(公告)号：TW201810414A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106116241
申请日：2017-05-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：小林岳志 , KOBAYASHI, TAKASHI , 村上誠志 , MURAKAMI, SEISHI , 佐久間隆 , SAKUMA, TAKASHI , 富田正彥 , TOMITA, MASAHIKO , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI , 清水昭貴 , SHIMIZU, AKITAKA , 釜石貴之 , KAMAISHI, TAKAYUKI , 津田榮之輔 , TSUDA, EINOSUKE
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/768 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/28512 , H01L21/28518 , H01L21/28556 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/67207
摘要：本發明之課題為在去除形成於圖案底部的矽部分之含矽氧化膜時，可抑制CD損失。其解決手段係提供一種氧化膜去除方法，係在具有形成有特定圖案之絕緣膜，且具有形成於圖案底部的矽部分之含矽氧化膜之被處理基板中，將含矽氧化膜加以去除之氧化膜去除方法，具有以下工序：於包含有絕緣膜的圖案之整面，藉由使用碳原料氣體之ALD來成膜碳系保護膜之工序；藉由異向性電漿處理來選擇性地去除絕緣膜上面與圖案底部的該碳系保護膜之工序；藉由蝕刻來去除形成於圖案底部的該含矽氧化膜之工序；以及去除碳系保護膜的殘留部分之工序。
简体摘要：本发明之课题为在去除形成于图案底部的硅部分之含硅氧化膜时，可抑制CD损失。其解决手段系提供一种氧化膜去除方法，系在具有形成有特定图案之绝缘膜，且具有形成于图案底部的硅部分之含硅氧化膜之被处理基板中，将含硅氧化膜加以去除之氧化膜去除方法，具有以下工序：于包含有绝缘膜的图案之整面，借由使用碳原料气体之ALD来成膜碳系保护膜之工序；借由异向性等离子处理来选择性地去除绝缘膜上面与图案底部的该碳系保护膜之工序；借由蚀刻来去除形成于图案底部的该含硅氧化膜之工序；以及去除碳系保护膜的残留部分之工序。

5. 发明专利

TWI389194B 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體有权
简体标题：基板处理设备、基板处理方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI389194B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW096105189
申请日：2007-02-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：西村榮一 , NISHIMURA, EIICHI , 菊地貴倫 , KIKUCHI, TAKAMICHI
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/02063 , H01L21/02071 , H01L21/67017

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