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1. 发明专利

TWI450317B 光罩圖案之形成方法及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：光罩图案之形成方法及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI450317B
公开(公告)日：2014-08-21
申请号：TW100111020
申请日：2011-03-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：八重樫英民 , YAEGASHI, HIDETAMI , 五十嵐義樹 , IGARASHI, YOSHIKI , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 武川貴仁 , MUKAWA, TAKAHITO
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31138 , H01J37/32091 , H01L21/02164 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31116 , H01L21/32139

2. 发明专利

TWI469212B 電漿蝕刻方法有权
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI469212B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098109964
申请日：2009-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 增澤健二 , MASUZAWA, KENJI , 中山博之 , NAKAYAMA, HIROYUKI , 岩田學 , IWATA, MANABU , 佐藤學 , SATO, MANABU , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32027 , H01J37/32091

3. 发明专利

TWI550707B 被處理體的處理方法及電腦可讀取的記憶媒體有权
简体标题：被处理体的处理方法及电脑可读取的记忆媒体
公开(公告)号：TWI550707B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：TW099130188
申请日：2010-09-07
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 重田和男 , SHIGETA, KAZUO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31138 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/31116 , H01L21/31144

4. 发明专利

TWI425567B 半導體裝置的製造方法及記憶媒體有权
简体标题：半导体设备的制造方法及记忆媒体
公开(公告)号：TWI425567B
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW097131284
申请日：2008-08-15
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 長倉幸一 , NAGAKURA, KOICHI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31122 , H01L21/31116 , H01L21/31138

5. 发明专利

TWI612577B 半導體裝置之製造方法及電腦記錄媒體有权
简体标题：半导体设备之制造方法及电脑记录媒体
公开(公告)号：TWI612577B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW102107189
申请日：2013-03-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤學 , SATO, MANABU , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 佐藤孝紀 , SATO, TAKANORI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/31144

6. 发明专利

TWI585848B 電漿處理方法及電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TWI585848B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW102124472
申请日：2013-07-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 佐藤孝紀 , SATO, TAKANORI , 佐藤學 , SATO, MANABU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L27/11556 , H01L27/11582

7. 发明专利

TWI544543B 半導體裝置的製造方法及電腦記錄媒體有权
简体标题：半导体设备的制造方法及电脑记录媒体
公开(公告)号：TWI544543B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW101106866
申请日：2012-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：渡部誠一 , WATANABE, SEIICHI , 佐藤學 , SATO, MANABU , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 佐藤孝紀 , SATO, TAKANORI , 勝沼隆幸 , KATSUNUMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213

8. 发明专利

TW201419400A 電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201419400A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102124472
申请日：2013-07-09
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 佐藤孝紀 , SATO, TAKANORI , 佐藤學 , SATO, MANABU
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32568 , H01J37/32715 , H01L21/31144 , H01L21/32137 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L27/11556 , H01L27/11582
摘要：本發明之課題係在蝕刻多層膜時，抑制瓶狀變形(Bowing)同時進行蝕刻。解決方法係使用含有HBr氣體與C4F8氣體之處理氣體並實施複數次電漿蝕刻，以進行逐漸形成從SiN層深至層積膜之凹部的蝕刻處理，此時，在特定時點於處理氣體以特定流量比添加含硼氣體，藉以在露出於凹部之SiN層側壁形成保護膜並進行層積膜之蝕刻。
简体摘要：本发明之课题系在蚀刻多层膜时，抑制瓶状变形(Bowing)同时进行蚀刻。解决方法系使用含有HBr气体与C4F8气体之处理气体并实施复数次等离子蚀刻，以进行逐渐形成从SiN层深至层积膜之凹部的蚀刻处理，此时，在特定时点于处理气体以特定流量比添加含硼气体，借以在露出于凹部之SiN层侧壁形成保护膜并进行层积膜之蚀刻。

9. 发明专利

TW201403705A 半導體裝置之製造方法及電腦記錄媒體审中-公开
简体标题：半导体设备之制造方法及电脑记录媒体
公开(公告)号：TW201403705A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102107189
申请日：2013-03-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：佐藤學 , SATO, MANABU , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 佐藤孝紀 , SATO, TAKANORI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/8247 , H01L27/115
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32091 , H01L21/0273 , H01L21/3065 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：提供一種可效率良好地形成所欲形狀之多段階段狀構造的半導體裝置之製造方法及電腦記錄媒體。一種將具有交互地層積第1膜與第2膜的多層膜、及光阻層之基板加以蝕刻，而形成階段狀構造的半導體裝置之製造方法，係反覆地進行下述工序：第1工序：係將光阻層作為遮罩來將第1膜電漿蝕刻；第2工序：係使用至少具備含矽製構件的上部電極及下部電極的電漿處理裝置，在對上部電極施加負的直流電壓之狀態下，藉由施加至下部電極的高頻來將含有氬氣與氫氣之處理氣體電漿化，並將基板上所形成之光阻層暴露於該電漿；第3工序：將光阻層加以修飾(trimming)；以及第4工序：在第3工序之後將第2膜電漿蝕刻。
简体摘要：提供一种可效率良好地形成所欲形状之多段阶段状构造的半导体设备之制造方法及电脑记录媒体。一种将具有交互地层积第1膜与第2膜的多层膜、及光阻层之基板加以蚀刻，而形成阶段状构造的半导体设备之制造方法，系反复地进行下述工序：第1工序：系将光阻层作为遮罩来将第1膜等离子蚀刻；第2工序：系使用至少具备含硅制构件的上部电极及下部电极的等离子处理设备，在对上部电极施加负的直流电压之状态下，借由施加至下部电极的高频来将含有氩气与氢气之处理气体等离子化，并将基板上所形成之光阻层暴露于该等离子；第3工序：将光阻层加以修饰(trimming)；以及第4工序：在第3工序之后将第2膜等离子蚀刻。

10. 发明专利

TW201303997A 半導體裝置的製造方法及電腦記錄媒體审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及电脑记录媒体
公开(公告)号：TW201303997A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101106866
申请日：2012-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：渡部誠一 , WATANABE, SEIICHI , 佐藤學 , SATO, MANABU , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 佐藤孝紀 , SATO, TAKANORI , 勝沼隆幸 , KATSUNUMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
摘要：本發明之課題在於提供一種可高效率形成多段良好形狀之階梯狀構造的半導體裝置的製造方法及電腦記錄媒體。一種半導體裝置的製造方法，係對於包括由具有第1介電係數的第1膜與具有不同於第1介電係數之第2介電係數的第2膜所交互積層而得之多層膜、以及位於多層膜上層而發揮蝕刻光罩功能的光阻層之基板進行蝕刻，來形成階梯狀構造；具有下述製程：第1製程，係以光阻層為光罩來對第1膜進行電漿蝕刻；第2製程，係使得光阻層暴露於含氫電漿中；第3製程，係對光阻層進行修整；以及第4製程，係以藉由第3製程經過修整之光阻層以及於第1製程經過電漿蝕刻後之第1膜為光罩來蝕刻第2膜；並藉由反覆進行第1製程至第4製程以使得多層膜成為階梯狀構造。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可高效率形成多段良好形状之阶梯状构造的半导体设备的制造方法及电脑记录媒体。一种半导体设备的制造方法，系对于包括由具有第1介电系数的第1膜与具有不同于第1介电系数之第2介电系数的第2膜所交互积层而得之多层膜、以及位于多层膜上层而发挥蚀刻光罩功能的光阻层之基板进行蚀刻，来形成阶梯状构造；具有下述制程：第1制程，系以光阻层为光罩来对第1膜进行等离子蚀刻；第2制程，系使得光阻层暴露于含氢等离子中；第3制程，系对光阻层进行修整；以及第4制程，系以借由第3制程经过修整之光阻层以及于第1制程经过等离子蚀刻后之第1膜为光罩来蚀刻第2膜；并借由反复进行第1制程至第4制程以使得多层膜成为阶梯状构造。

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