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1. 发明专利

TWI475610B 電極構造及基板處理裝置有权
简体标题：电极构造及基板处理设备
公开(公告)号：TWI475610B
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW098109962
申请日：2009-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：中山博之 , NAKAYAMA, HIROYUKI , 本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 增澤健二 , MASUZAWA, KENJI , 岩田學 , IWATA, MANABU
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/16
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32541

3. 发明专利

TWI469212B 電漿蝕刻方法有权
简体标题：等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TWI469212B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW098109964
申请日：2009-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：本田昌伸 , HONDA, MASANOBU , 增澤健二 , MASUZAWA, KENJI , 中山博之 , NAKAYAMA, HIROYUKI , 岩田學 , IWATA, MANABU , 佐藤學 , SATO, MANABU , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32027 , H01J37/32091

4. 发明专利

TWI452626B 電漿處理裝置及電漿處理方法以及記憶媒體有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法以及记忆媒体
公开(公告)号：TWI452626B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW098104963
申请日：2009-02-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岩田學 , IWATA, MANABU , 中山博之 , NAKAYAMA, HIROYUKI , 增澤健二 , MASUZAWA, KENJI , 本田昌伸 , HONDA, MASANOBU
IPC分类号： H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32165

5. 发明专利

TW201001530A 電極構造及基板處理裝置审中-公开
简体标题：电极构造及基板处理设备
公开(公告)号：TW201001530A
公开(公告)日：2010-01-01
申请号：TW098109962
申请日：2009-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：中山博之 , 本田昌伸 , 增澤健二 , 岩田學
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32091 , H01J37/32541
摘要：提供可以在處理空間中與基板周緣部相向之部分，充分提高電子密度之電極構造。被配置在對晶圓（W）施予RIE處理之基板處理裝置（10）所具備之處理室（11）內，與在該處理室（11）內被載置在承受器（12）之晶圓（W）相向之上部電極（31），具備：與被載置於承受器（12）之晶圓（W）之中心部相向之內側電極（34），和與該晶圓（W）之周緣部相向之外側電極（35），內側電極（34）連接第1直流電源（37），並且外側電極（35）連接第2直流電源（38），外側電極（35）具有與被載置於承受器（12）之晶圓（W）平行之第1二次電子釋放面（35a），和對該第1二次電子釋放面（35a）朝向晶圓（W）傾斜之第2二次電子釋放面（35b）。
简体摘要：提供可以在处理空间中与基板周缘部相向之部分，充分提高电子密度之电极构造。被配置在对晶圆（W）施予RIE处理之基板处理设备（10）所具备之处理室（11）内，与在该处理室（11）内被载置在承受器（12）之晶圆（W）相向之上部电极（31），具备：与被载置于承受器（12）之晶圆（W）之中心部相向之内侧电极（34），和与该晶圆（W）之周缘部相向之外侧电极（35），内侧电极（34）连接第1直流电源（37），并且外侧电极（35）连接第2直流电源（38），外侧电极（35）具有与被载置于承受器（12）之晶圆（W）平行之第1二次电子释放面（35a），和对该第1二次电子释放面（35a）朝向晶圆（W）倾斜之第2二次电子释放面（35b）。

6. 发明专利

TW201135833A 靜電式夾持裝置 ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE 审中-公开
简体标题：静电式夹持设备 ELECTROSTATIC CHUCK DEVICE
公开(公告)号：TW201135833A
公开(公告)日：2011-10-16
申请号：TW099142753
申请日：2010-12-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , 住友大阪水泥股份有限公司
发明人：佐佐木康晴 , 增澤健二 , 真壁曉之 , 小坂井守 , 佐藤隆 , 石村和典 , 早原龍二 , 河野仁
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J37/32642 , H01J2237/332 , H01J2237/338 , H01L21/67069 , H01L21/67103 , H01L21/67109 , H01L21/67248
摘要：本發明係提供一種靜電式夾持裝置,其係藉由靜電式夾持部、以包圍該靜電式夾持部之方式設置之環狀聚焦環部、及用以冷卻此等靜電式夾持部及聚焦環部之冷卻基座部所構成,前述聚焦環部係具備:環狀聚焦環、環狀導熱薄板、環狀陶瓷環、非磁性體之加熱器、及對該加熱器供電之電極部。
简体摘要：本发明系提供一种静电式夹持设备,其系借由静电式夹持部、以包围该静电式夹持部之方式设置之环状聚焦环部、及用以冷却此等静电式夹持部及聚焦环部之冷却基座部所构成,前述聚焦环部系具备:环状聚焦环、环状导热薄板、环状陶瓷环、非磁性体之加热器、及对该加热器供电之电极部。

7. 发明专利

TW200952066A 電漿處理裝置及電漿處理方法以及記憶媒體审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法以及记忆媒体
公开(公告)号：TW200952066A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：TW098104963
申请日：2009-02-17
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：岩田學 , 中山博之 , 增澤健二 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L , H05H
CPC分类号： H01J37/32027 , H01J37/32091 , H01J37/32165
摘要：本發明係一種電漿處理裝置及電漿處理方法以及記憶媒體，其課題為提供電漿處理之均一性控制範圍廣，且不易產生如經由沉澱物之CD不均一之副作用的電漿處理裝置。其解決手段為相互對向於處理室(10)而加以配置，具有外側電極(34a)及內側電極(34b)所成之上部電極(34)及晶圓支撐用之下部電極(16)，於下部電極(16)連接施加40MHz之第1高頻率電力的第1高頻率電源(89)及施加3.2MHz之第2高頻率電力的第2高頻率電源(90)，於外側電極(34a)及內側電極(34b)連接各施加直流電壓之第1直流電壓施加電路(47a)及第2直流電壓施加電路(47b)，在從電漿生成空間側來看上部電極(34)時之外側電極(34a)的頻率數阻抗特性乃隨著施加於外側電極(34a)之直流電壓增加，作為在40MHz，阻抗則減少，在3.2MHz，阻抗則增加的特性。
简体摘要：本发明系一种等离子处理设备及等离子处理方法以及记忆媒体，其课题为提供等离子处理之均一性控制范围广，且不易产生如经由沉淀物之CD不均一之副作用的等离子处理设备。其解决手段为相互对向于处理室(10)而加以配置，具有外侧电极(34a)及内侧电极(34b)所成之上部电极(34)及晶圆支撑用之下部电极(16)，于下部电极(16)连接施加40MHz之第1高频率电力的第1高频率电源(89)及施加3.2MHz之第2高频率电力的第2高频率电源(90)，于外侧电极(34a)及内侧电极(34b)连接各施加直流电压之第1直流电压施加电路(47a)及第2直流电压施加电路(47b)，在从等离子生成空间侧来看上部电极(34)时之外侧电极(34a)的频率数阻抗特性乃随着施加于外侧电极(34a)之直流电压增加，作为在40MHz，阻抗则减少，在3.2MHz，阻抗则增加的特性。

8. 发明专利

TW201003772A 電漿處理裝置及電漿蝕刻方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备及等离子蚀刻方法
公开(公告)号：TW201003772A
公开(公告)日：2010-01-16
申请号：TW098109964
申请日：2009-03-26
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：本田昌伸 , 增澤健二 , 中山博之 , 岩田學 , 佐藤學 , 成重和樹
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01J37/32027 , H01J37/32091
摘要： [課題]輕易且自由地控制被處理基板上之電子密度或製程特性的分布特性。[解決手段]該電容耦合型電漿處理裝置係將上部電極在徑方向二分為內側上部電極60與外側上部電極62，由2個可變直流電源80、82將獨立的第1及第2直流電壓VC、VE同時施加至兩上部電極60、62。藉由適當選擇該等2個直流電壓VC、VE的組合，在各種應用中，可提升電漿製程或蝕刻特性的均一性。
简体摘要： [课题]轻易且自由地控制被处理基板上之电子密度或制程特性的分布特性。[解决手段]该电容耦合型等离子处理设备系将上部电极在径方向二分为内侧上部电极60与外侧上部电极62，由2个可变直流电源80、82将独立的第1及第2直流电压VC、VE同时施加至两上部电极60、62。借由适当选择该等2个直流电压VC、VE的组合，在各种应用中，可提升等离子制程或蚀刻特性的均一性。

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