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2. 发明专利

TW201303997A 半導體裝置的製造方法及電腦記錄媒體审中-公开
简体标题：半导体设备的制造方法及电脑记录媒体
公开(公告)号：TW201303997A
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：TW101106866
申请日：2012-03-02
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：渡部誠一 , WATANABE, SEIICHI , 佐藤學 , SATO, MANABU , 成重和樹 , NARISHIGE, KAZUKI , 佐藤孝紀 , SATO, TAKANORI , 勝沼隆幸 , KATSUNUMA, TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/3213
摘要：本發明之課題在於提供一種可高效率形成多段良好形狀之階梯狀構造的半導體裝置的製造方法及電腦記錄媒體。一種半導體裝置的製造方法，係對於包括由具有第1介電係數的第1膜與具有不同於第1介電係數之第2介電係數的第2膜所交互積層而得之多層膜、以及位於多層膜上層而發揮蝕刻光罩功能的光阻層之基板進行蝕刻，來形成階梯狀構造；具有下述製程：第1製程，係以光阻層為光罩來對第1膜進行電漿蝕刻；第2製程，係使得光阻層暴露於含氫電漿中；第3製程，係對光阻層進行修整；以及第4製程，係以藉由第3製程經過修整之光阻層以及於第1製程經過電漿蝕刻後之第1膜為光罩來蝕刻第2膜；並藉由反覆進行第1製程至第4製程以使得多層膜成為階梯狀構造。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种可高效率形成多段良好形状之阶梯状构造的半导体设备的制造方法及电脑记录媒体。一种半导体设备的制造方法，系对于包括由具有第1介电系数的第1膜与具有不同于第1介电系数之第2介电系数的第2膜所交互积层而得之多层膜、以及位于多层膜上层而发挥蚀刻光罩功能的光阻层之基板进行蚀刻，来形成阶梯状构造；具有下述制程：第1制程，系以光阻层为光罩来对第1膜进行等离子蚀刻；第2制程，系使得光阻层暴露于含氢等离子中；第3制程，系对光阻层进行修整；以及第4制程，系以借由第3制程经过修整之光阻层以及于第1制程经过等离子蚀刻后之第1膜为光罩来蚀刻第2膜；并借由反复进行第1制程至第4制程以使得多层膜成为阶梯状构造。

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