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1. 发明专利

TWI546844B 半導體發光元件及其製作方法有权
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TWI546844B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW102123757
申请日：2013-07-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林俊宇 , LIN, CHUN YU , 倪慶懷 , NI, CHING HUAI , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林敬倍 , LIN, CHING PEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00

2. 发明专利

TW201445770A 具有高效率反射結構之發光元件审中-公开
简体标题：具有高效率反射结构之发光组件
公开(公告)号：TW201445770A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102118593
申请日：2013-05-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：廖文祿 , LIAO, WEN LUH , 呂紹平 , LU, SHAO PING , 鄭鴻達 , CHENG, HUNG TA , 陳世益 , CHEN, SHIH I , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 魏守勤 , WEI, SHOU CHIN , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 彭鈺仁 , PENG, YU REN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 陳威佑 , CHEN, WEI YU , 張峻賢 , CHANG, CHUN HSIEN
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014
摘要：一發光元件，包含一反射層；一第一透光層，位於反射層之上；一發光疊層，包含一主動層，位於該第一透光層之上；以及一孔洞，形成於該第一透光層之中。
简体摘要：一发光组件，包含一反射层；一第一透光层，位于反射层之上；一发光叠层，包含一主动层，位于该第一透光层之上；以及一孔洞，形成于该第一透光层之中。

3. 发明专利

TWI535070B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI535070B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW101150407
申请日：2012-12-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN, SHIH I , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 陳威佑 , CHEN, WEI YO , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 韓政男 , HAN, CHENG NAN , 王盷揚 , WANG, TIEN YANG , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 陳宗熙 , CHEN, ZONG XI , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 彭鈺仁 , PENG, YU REN
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/502 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

4. 发明专利

TW201342670A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201342670A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW101150407
申请日：2012-12-26
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN, SHIH I , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 陳威佑 , CHEN, WEI YO , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 韓政男 , HAN, CHENG NAN , 王盷揚 , WANG, TIEN YANG , 陳星兆 , CHEN, HSING CHAO , 劉欣茂 , LIU, HSIN MAO , 陳宗熙 , CHEN, ZONG XI , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 彭鈺仁 , PENG, YU REN
IPC分类号： H01L33/50 , H01L33/56
CPC分类号： H01L33/502 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/505 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一發光元件，包含一基板；一第一半導體發光結構位於基板上，其中第一半導體發光結構包含一具有一第一導電性的第一半導體層、一具有一第二導電性的第二半導體層，及一第一活性層位於第一半導體層及第二半導體層之間，其中第一活性層可發出一具第一主波長之第一光線；以及一第一熱敏層位於第一光線行進路徑上，其中第一熱敏層具有一材料特性隨溫度變化而變化。
简体摘要：一发光组件，包含一基板；一第一半导体发光结构位于基板上，其中第一半导体发光结构包含一具有一第一导电性的第一半导体层、一具有一第二导电性的第二半导体层，及一第一活性层位于第一半导体层及第二半导体层之间，其中第一活性层可发出一具第一主波长之第一光线；以及一第一热敏层位于第一光线行进路径上，其中第一热敏层具有一材料特性随温度变化而变化。

5. 发明专利

TW201340399A 發光元件审中-公开
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TW201340399A
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW101111652
申请日：2012-03-30
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN, SHIH I , 陳威佑 , CHEN, WEI YO , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種發光元件，包括：一發光疊層，具有一長度與一寬度，包括：一第一電性半導體層；一活性層位於第一電性半導體層之上；以及一第二電性半導體層位於活性層之上；一導電層位於第一電性半導體層之下，具有一寬度大於第一電性半導體層之寬度，包括與第一電性半導體層重疊之一第一重疊部及未與該第一電性半導體層重疊之一第一延伸部；一透明導電層位於第二電性半導體層之上，具有一寬度大於第二電性半導體層之寬度，包括與第二電性半導體層重疊之一第二重疊部及未與第二電性半導體層重疊之一第二延伸部；一第一電極大致只與第一延伸部或第一延伸部之一部份相接；以及一第二電極大致只與第二延伸部或第二延伸部之一部份相接。
简体摘要：一种发光组件，包括：一发光叠层，具有一长度与一宽度，包括：一第一电性半导体层；一活性层位于第一电性半导体层之上；以及一第二电性半导体层位于活性层之上；一导电层位于第一电性半导体层之下，具有一宽度大于第一电性半导体层之宽度，包括与第一电性半导体层重叠之一第一重叠部及未与该第一电性半导体层重叠之一第一延伸部；一透明导电层位于第二电性半导体层之上，具有一宽度大于第二电性半导体层之宽度，包括与第二电性半导体层重叠之一第二重叠部及未与第二电性半导体层重叠之一第二延伸部；一第一电极大致只与第一延伸部或第一延伸部之一部份相接；以及一第二电极大致只与第二延伸部或第二延伸部之一部份相接。

6. 发明专利

TWI575776B 具有高效率反射結構之發光元件有权
简体标题：具有高效率反射结构之发光组件
公开(公告)号：TWI575776B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW102118593
申请日：2013-05-24
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：廖文祿 , LIAO, WEN LUH , 呂紹平 , LU, SHAO PING , 鄭鴻達 , CHENG, HUNG TA , 陳世益 , CHEN, SHIH I , 許嘉良 , HSU, CHIA LIANG , 魏守勤 , WEI, SHOU CHIN , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 彭鈺仁 , PENG, YU REN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 陳威佑 , CHEN, WEI YU , 張峻賢 , CHANG, CHUN HSIEN
IPC分类号： H01L33/46
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/30 , H01L33/405 , H01L33/42 , H01L33/46 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2933/0091 , H01L2924/00014

7. 发明专利

TWI549170B 選擇性轉移半導體元件的方法有权
简体标题：选择性转移半导体组件的方法
公开(公告)号：TWI549170B
公开(公告)日：2016-09-11
申请号：TW102127217
申请日：2013-07-29
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林俊宇 , LIN, CHUN YU , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 簡崇訓 , CHIEN, CHUNG HSUN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 顧浩民 , KU, HAO MIN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH
IPC分类号： H01L21/30

8. 发明专利

TWI523269B 發光元件有权
简体标题：发光组件
公开(公告)号：TWI523269B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW101111652
申请日：2012-03-30
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：陳世益 , CHEN, SHIH I , 陳威佑 , CHEN, WEI YO , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 李宗憲 , LEE, TSUNG XIAN
IPC分类号： H01L33/36
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/382 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TW201505084A 選擇性轉移半導體元件的方法审中-公开
简体标题：选择性转移半导体组件的方法
公开(公告)号：TW201505084A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW102127217
申请日：2013-07-29
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林俊宇 , LIN, CHUN YU , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 林敬倍 , LIN, CHING PEI , 簡崇訓 , CHIEN, CHUNG HSUN , 黃建富 , HUANG, CHIEN FU , 顧浩民 , KU, HAO MIN , 謝明勳 , HSIEH, MIN HSUN , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH
IPC分类号： H01L21/30
摘要：一種選擇性分離半導體元件的方法，係包含下列步驟：a.提供一基板具有一第一表面及一第二表面；b.提供複數個半導體磊晶疊層位於第一表面上，其中任一複數個半導體磊晶疊層包含一第一半導體磊晶疊層與一第二半導體磊晶疊層，且第二半導體磊晶疊層與第一半導體磊晶疊層隔開，其中第一半導體磊晶疊層與基板之間之黏著力不同於第二半導體磊晶疊層與基板之間之黏著力；c.自基板選擇性地分離第一半導體磊晶疊層或第二半導體磊晶疊層。
简体摘要：一种选择性分离半导体组件的方法，系包含下列步骤：a.提供一基板具有一第一表面及一第二表面；b.提供复数个半导体磊晶叠层位于第一表面上，其中任一复数个半导体磊晶叠层包含一第一半导体磊晶叠层与一第二半导体磊晶叠层，且第二半导体磊晶叠层与第一半导体磊晶叠层隔开，其中第一半导体磊晶叠层与基板之间之黏着力不同于第二半导体磊晶叠层与基板之间之黏着力；c.自基板选择性地分离第一半导体磊晶叠层或第二半导体磊晶叠层。

10. 发明专利

TW201415534A 半導體發光元件及其製作方法审中-公开
简体标题：半导体发光组件及其制作方法
公开(公告)号：TW201415534A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：TW102123757
申请日：2013-07-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：林俊宇 , LIN, CHUN YU , 倪慶懷 , NI, CHING HUAI , 陳怡名 , CHEN, YI MING , 徐子傑 , HSU, TZU CHIEH , 邱新智 , CHIU, HSIN CHIH , 呂志強 , LU, CHIH CHIANG , 林敬倍 , LIN, CHING PEI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L33/00
摘要：一種半導體發光元件的製作方法，包含提供一第一基板、提供一半導體磊晶疊層、提供一第一黏著層連接第一基板及半導體磊晶疊層、圖案化半導體磊晶疊層為複數磊晶單元並使彼此自第一基板上分離，其中上述複數磊晶單元包含複數第一磊晶單元，其中每一第一磊晶單元具有一第一幾何形狀及一第一面積、複數第二磊晶單元，其中每一第二磊晶單元具有一第二幾何形狀及一第二面積、提供一第二基板，具有一表面、轉移上述複數第二磊晶單元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成複數第一半導體發光元件，其中每一個第一半導體發光元件包含至少一第一磊晶單元、以及切割第二基板以形成複數第二半導體發光元件，其中每一個第二半導體發光元件包含至少一第二磊晶單元、其中，第一幾何形狀與第二幾何形狀不相同或第一面積與第二面積不相同。
简体摘要：一种半导体发光组件的制作方法，包含提供一第一基板、提供一半导体磊晶叠层、提供一第一黏着层连接第一基板及半导体磊晶叠层、图案化半导体磊晶叠层为复数磊晶单元并使彼此自第一基板上分离，其中上述复数磊晶单元包含复数第一磊晶单元，其中每一第一磊晶单元具有一第一几何形状及一第一面积、复数第二磊晶单元，其中每一第二磊晶单元具有一第二几何形状及一第二面积、提供一第二基板，具有一表面、转移上述复数第二磊晶单元至第二基板之表面上、切割第一基板以形成复数第一半导体发光组件，其中每一个第一半导体发光组件包含至少一第一磊晶单元、以及切割第二基板以形成复数第二半导体发光组件，其中每一个第二半导体发光组件包含至少一第二磊晶单元、其中，第一几何形状与第二几何形状不相同或第一面积与第二面积不相同。

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