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1. 发明专利

TW201031024A 發光元件及其製造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法 LIGHT-EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW201031024A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW098104423
申请日：2009-02-11
申请人：晶元光電股份有限公司
发明人：徐宸科 , 蘇文正 , 莊家銘 , 歐震
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/20
摘要：本發明揭示一種發光元件及其製造方法,其步驟至少包含:提供一基板,此基板具有一第一主要表面與一第二主要表面;形成複數發光疊層於上述基板之第一主要表面上;形成一蝕刻保護層於發光疊層上;以不連續性雷射於基板上形成複數不連續之孔洞;蝕刻複數不連續之孔洞;以及沿著複數不連續之孔洞劈裂基板以形成發光元件。上述發光元件之基板側壁至少包含一第一結構面與一第二結構面,其中第一結構面係一實質平整表面而第二結構面係一實質不平整表面。
简体摘要：本发明揭示一种发光组件及其制造方法,其步骤至少包含:提供一基板,此基板具有一第一主要表面与一第二主要表面;形成复数发光叠层于上述基板之第一主要表面上;形成一蚀刻保护层于发光叠层上;以不连续性激光于基板上形成复数不连续之孔洞;蚀刻复数不连续之孔洞;以及沿着复数不连续之孔洞噼裂基板以形成发光组件。上述发光组件之基板侧壁至少包含一第一结构面与一第二结构面,其中第一结构面系一实质平整表面而第二结构面系一实质不平整表面。

2. 发明专利

TWI470823B 發光元件及其製造方法有权
简体标题：发光组件及其制造方法
公开(公告)号：TWI470823B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：TW098104423
申请日：2009-02-11
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：徐宸科 , HSU, CHEN KE , 蘇文正 , SU, WIN JIM , 莊家銘 , CHUANG, CHIA MING , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0095 , H01L33/20

3. 发明专利

TWI320606B 使用無電電鍍法製造發光二極體之方法 A METHOD FOR MAKING A LIGHT EMITTING DIODE BY ELECTROLESS PLATING 有权
简体标题：使用无电电镀法制造发光二极管之方法 A METHOD FOR MAKING A LIGHT EMITTING DIODE BY ELECTROLESS PLATING
公开(公告)号：TWI320606B
公开(公告)日：2010-02-11
申请号：TW095128980
申请日：2006-08-07
申请人：晶元光電股份有限公司
发明人：莊家銘 , 邵聿珩 , 紀喨勝 , 黃毓傑 , 霍大成
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/0095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種形成發光二極體之方法，此方法包含形成一絕緣層於p型半導體層與n型半導體層中至少其一上，且未被晶種層覆蓋之一區域，此區域中之表面雜質濃度係呈不均勻分布，及將晶種層至少一部分置入電解液中，電解液中包含有金屬離子，此金屬離子在無外加電壓下會還原沉積於晶種層之上。 The invention relates to a method for making a light emitting diode. The method includes forming an insulating layer on an area, not covered by a seed layer, of at least one of a p－type semiconductor layer and an n－type semiconductor layer, wherein the impurity concentration varies on the surface of the area；and immersing at least part of the seed layer into an electrolyte having metal ions which tend to reduce and deposit on the seed layer under no bias voltage. 【創作特點】本發明揭露一種發光二極體之製造方法，包含：提供一基板、形成一半導體疊層於該基板上方，該半導體疊層包含一p型半導體層、一n型半導體層及一位於該p型半導體層與該n型半導體層間之發光區、形成一預覆層於該半導體疊層上方，以與該p型半導體層及該n型半導體層中之至少其一電連接、形成一絕緣層於一未被該預覆層覆蓋之區域，該p型半導體層與該n型半導體層中之表面雜質濃度於該區域中係呈不均勻分布、以及將該預覆層置入一電解液中，該電解液中包含有金屬離子，該金屬離子在無外加電壓下會還原沉積於該預覆層上。
简体摘要：本发明系关于一种形成发光二极管之方法，此方法包含形成一绝缘层于p型半导体层与n型半导体层中至少其一上，且未被晶种层覆盖之一区域，此区域中之表面杂质浓度系呈不均匀分布，及将晶种层至少一部分置入电解液中，电解液中包含有金属离子，此金属离子在无外加电压下会还原沉积于晶种层之上。 The invention relates to a method for making a light emitting diode. The method includes forming an insulating layer on an area, not covered by a seed layer, of at least one of a p－type semiconductor layer and an n－type semiconductor layer, wherein the impurity concentration varies on the surface of the area；and immersing at least part of the seed layer into an electrolyte having metal ions which tend to reduce and deposit on the seed layer under no bias voltage. 【创作特点】本发明揭露一种发光二极管之制造方法，包含：提供一基板、形成一半导体叠层于该基板上方，该半导体叠层包含一p型半导体层、一n型半导体层及一位于该p型半导体层与该n型半导体层间之发光区、形成一预覆层于该半导体叠层上方，以与该p型半导体层及该n型半导体层中之至少其一电连接、形成一绝缘层于一未被该预覆层覆盖之区域，该p型半导体层与该n型半导体层中之表面杂质浓度于该区域中系呈不均匀分布、以及将该预覆层置入一电解液中，该电解液中包含有金属离子，该金属离子在无外加电压下会还原沉积于该预覆层上。

4. 发明专利

TWI389351B 高效率發光裝置及其製造方法有权
简体标题：高效率发光设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI389351B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW098106774
申请日：2009-03-02
申请人：晶元光電股份有限公司 , EPISTAR CORPORATION
发明人：莊家銘 , CHUANG, CHIA MING , 張家禎 , CHANG, CHIA CHEN , 楊姿玲 , YANG, TZU LING , 歐震 , OU, CHEN
IPC分类号： H01L33/00

5. 发明专利

TW201013972A 發光元件及其製造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEROF 审中-公开
简体标题：发光组件及其制造方法 LIGHT EMITTING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEROF
公开(公告)号：TW201013972A
公开(公告)日：2010-04-01
申请号：TW097135940
申请日：2008-09-18
申请人：晶元光電股份有限公司
发明人：歐震 , 徐宸科 , 莊家銘
IPC分类号： H01L
摘要：本發明係關於一種發光元件之結構與製造方法，尤其關於一種使用化學鍍膜法於發光元件形成焊墊之方法。此發光元件，包含一基板、一半導體疊層，位於基板之上，其中半導體疊層包含一p型半導體層、一n型半導體層、及一位於p型半導體層與n型半導體層間之發光層、以及一焊墊，位於p型半導體層與n型半導體層中至少其一之上方，此焊墊包含一以物理鍍膜法形成之晶種層與一以化學鍍膜法形成之化鍍層，且晶種層厚度小於化鍍層之厚度。
简体摘要：本发明系关于一种发光组件之结构与制造方法，尤其关于一种使用化学镀膜法于发光组件形成焊垫之方法。此发光组件，包含一基板、一半导体叠层，位于基板之上，其中半导体叠层包含一p型半导体层、一n型半导体层、及一位于p型半导体层与n型半导体层间之发光层、以及一焊垫，位于p型半导体层与n型半导体层中至少其一之上方，此焊垫包含一以物理镀膜法形成之晶种层与一以化学镀膜法形成之化镀层，且晶种层厚度小于化镀层之厚度。

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