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1. 发明申请

WO2003071357A1 反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成抗反射涂层的组合物
公开(公告)号：WO2003071357A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001542
申请日：2003-02-14
申请人：日産化学工業株式会社 , 坂本力丸 , 水沢賢一
发明人：坂本力丸 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S430/108
摘要： A composition for forming an anti-reflection coating usable in a lithography process for manufacturing a semiconductor device, which comprises a polymer compound containing a halogen atom; a method for adjusting the damping coefficient of the anti-reflection coating which comprises changing the content of the halogen atom in the polymer compound; and an anti-reflection coating prepared from the composition. The polymer compound preferably has a halogen atom introduced into the main chain thereof and/or a side chain connected with the main chain. The anti-reflection coating can be used in a lithography process using an irradiation light of F2-excimer laser (wave length: 157 nm), exhibits high effect of preventing the reflection of the light, and does not cause the intermixing with a resist layer.
摘要翻译：一种可用于制造半导体器件的光刻工艺中的抗反射涂层的组合物，其包含含有卤素原子的高分子化合物; 一种用于调节抗反射涂层的阻尼系数的方法，其包括改变高分子化合物中卤素原子的含量; 和由该组合物制备的抗反射涂层。高分子化合物优选具有引入其主链中的卤素原子和/或与主链连接的侧链。抗反射涂层可以使用F2-准分子激光的照射光（波长：157nm）的光刻工艺中使用，具有防止光的反射的高效果，并且不会引起与抗蚀剂层的混合。

2. 发明申请

WO2004034148A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2004034148A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2003/012875
申请日：2003-10-08
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
发明人：岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/038 , G03F7/091 , Y10S430/106
摘要：半導体装置の製造に用いられる波長の光に良好な光吸収性を示し、高い反射光防止効果を持ち、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜のための反射防止膜形成組成物を提供する。　具体的には、窒素原子上の置換基としてヒドロキシアルキル構造を有するトリアジントリオン化合物、オリゴマー化合物又は高分子化合物、を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物である。
摘要翻译：用于形成抗反射膜的组合物，其包含化合物，低聚物或包含具有羟烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪 - 三酮部分的聚合物。组合物可以提供对于适用于制造半导体器件的波长的光具有良好吸收性的抗反射膜，具有高抗反射效果，并且表现出比光致抗蚀剂层大的干蚀刻速率。

3. 发明申请

WO2002086624A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2002086624A1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/JP2002/003576
申请日：2002-04-10
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一
发明人：岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , C08G18/791 , C08G73/0655 , C09D179/04 , G03F7/091
摘要： A composition for forming an antireflection film for use in a lithographic process for semiconductor device production, which contains as a component a resin containing structural units derived from cyanuric acid, a derivative thereof, or both. The structural units are preferably represented by the following formula (1): (1) and can be contained in the main chain or side chains of the resin or in both. The antireflection film for lithography obtained from the composition has a high reflection-preventive effect and does not cause intermixing with a resist layer to give an excellent resist pattern. It has higher selectivity in dry etching than the resist.
摘要翻译：一种用于形成用于半导体器件制造的光刻工艺的抗反射膜的组合物，其包含含有衍生自氰尿酸，其衍生物或两者的结构单元的树脂作为组分的组分。结构单元优选由下式（1）表示：（1），并且可以包含在树脂的主链或侧链中或两者中。由组合物得到的用于光刻的防反射膜具有高的防反射效果，并且不会与抗蚀剂层混合，从而产生优异的抗蚀剂图案。干蚀刻比抗蚀剂具有更高的选择性。

4. 发明申请

WO2003017002A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成用于光刻的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2003017002A1
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：PCT/JP2002/008244
申请日：2002-08-13
申请人：日産化学工業株式会社 , 荒瀬慎哉 , 岸岡高広 , 水沢賢一
发明人：荒瀬慎哉 , 岸岡高広 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/038
摘要： A composition for forming an antireflective film for use in a lithographic process for manufacturing a semiconductor device which comprises a resin having a lactone structure. The resin preferably has a ϝ−lactone structure or a &dgr;−lactone structure introduced to the main chain thereof or a side chain bonded to the main chain. The composition provides an antireflective film for a lithographic process which exhibits high effect of reducing a reflected light, causes no intermixing with a resist layer, allows the formation of an excellent resist pattern, exhibits a dry etching speed greater than that of a resist, and has a broader focus depth margin and a higher resolution, compared to those of a conventional antireflective film.
摘要翻译：一种用于形成用于制造半导体器件的光刻工艺的抗反射膜的组合物，其包含具有内酯结构的树脂。树脂优选具有引入其主链或连接至主链的侧链的ϝ-内酯结构或内酯结构。该组合物提供了用于平版印刷工艺的抗反射膜，其具有降低反射光的高效果，不会与抗蚀剂层混合，允许形成优异的抗蚀剂图案，表现出比抗蚀剂大的干蚀刻速度，以及与传统的抗反射膜相比，具有更宽的聚焦深度和更高的分辨率。

5. 发明申请

WO2004008253A1 反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：抗反应膜组成
公开(公告)号：WO2004008253A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008832
申请日：2003-07-11
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
发明人：岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10S430/151
摘要：　ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物及び好ましくは吸光性化合物及び／又は吸光性樹脂を含有する反射防止膜形成組成物、該組成物を用いる半導体装置の反射防止膜の形成方法、並びに該組成物を用いる半導体装置の製造方法。本発明の組成物は、半導体装置の製造に用いられる波長の光に対して良好な光吸収性を示し、それ故、高い反射光防止効果を持ち、またフォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する。
摘要翻译：一种抗反射膜形成用组合物，其包含被羟烷基或烷氧基烷基取代的脲化合物，优选含有吸光性化合物和/或光吸收性树脂; 一种形成用于半导体器件的抗反射膜的方法，其包括使用该组合物; 以及包括使用该组合物的半导体器件的制造方法。该组合物令人满意地吸收用于半导体器件制造的波长的光。因此，组合物在消除反射光方面非常有效。它还具有比光致抗蚀剂层更高的干蚀刻速率。

6. 发明申请

WO2003034152A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2003034152A1
公开(公告)日：2003-04-24
申请号：PCT/JP2002/010372
申请日：2002-10-04
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 安見由章 , 水沢賢一
发明人：竹井敏 , 安見由章 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： C08L63/00 , C08G59/1455 , C08G59/18 , C08G59/3254 , C08G2650/56 , C08L33/00 , C08L71/00 , C09D161/06 , G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10T428/31511 , Y10T428/31855 , C08L2666/02 , C08L2666/04
摘要： A composition for forming an antireflection film used in lithography process of semiconductor device manufacture, comprising a polymer A having a weight-average molecular weight of 5000 or less and a polymer B having a weight-average molecular weight of 2000 or less. The composition is used to produce an antireflection film for lithography, excellent in step coverage of a step on an irregular surface substrate having a hole or a trench, high in antireflection effect, causing no intermixing with a resist layer, enabling formation of an excellent resist pattern, and having a dry-etching rate higher than that of the resist.
摘要翻译：一种用于形成半导体器件制造的光刻工艺中使用的防反射膜的组合物，其包含重均分子量为5000以下的聚合物A和重均分子量为2000以下的聚合物B. 该组合物用于制造光刻用抗反射膜，在具有孔或沟槽的不规则表面基板上的台阶覆盖性优异，抗反射效果高，不与抗蚀剂层混合，能够形成优异的抗蚀剂图案，并且具有比抗蚀剂高的干蚀刻速率。

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