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1. 发明申请

WO2004008253A1 反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：抗反应膜组成
公开(公告)号：WO2004008253A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008832
申请日：2003-07-11
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
发明人：岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10S430/151
摘要：　ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物及び好ましくは吸光性化合物及び／又は吸光性樹脂を含有する反射防止膜形成組成物、該組成物を用いる半導体装置の反射防止膜の形成方法、並びに該組成物を用いる半導体装置の製造方法。本発明の組成物は、半導体装置の製造に用いられる波長の光に対して良好な光吸収性を示し、それ故、高い反射光防止効果を持ち、またフォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する。
摘要翻译：一种抗反射膜形成用组合物，其包含被羟烷基或烷氧基烷基取代的脲化合物，优选含有吸光性化合物和/或光吸收性树脂; 一种形成用于半导体器件的抗反射膜的方法，其包括使用该组合物; 以及包括使用该组合物的半导体器件的制造方法。该组合物令人满意地吸收用于半导体器件制造的波长的光。因此，组合物在消除反射光方面非常有效。它还具有比光致抗蚀剂层更高的干蚀刻速率。

2. 发明申请

WO2002086624A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2002086624A1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/JP2002/003576
申请日：2002-04-10
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一
发明人：岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , C08G18/791 , C08G73/0655 , C09D179/04 , G03F7/091
摘要： A composition for forming an antireflection film for use in a lithographic process for semiconductor device production, which contains as a component a resin containing structural units derived from cyanuric acid, a derivative thereof, or both. The structural units are preferably represented by the following formula (1): (1) and can be contained in the main chain or side chains of the resin or in both. The antireflection film for lithography obtained from the composition has a high reflection-preventive effect and does not cause intermixing with a resist layer to give an excellent resist pattern. It has higher selectivity in dry etching than the resist.
摘要翻译：一种用于形成用于半导体器件制造的光刻工艺的抗反射膜的组合物，其包含含有衍生自氰尿酸，其衍生物或两者的结构单元的树脂作为组分的组分。结构单元优选由下式（1）表示：（1），并且可以包含在树脂的主链或侧链中或两者中。由组合物得到的用于光刻的防反射膜具有高的防反射效果，并且不会与抗蚀剂层混合，从而产生优异的抗蚀剂图案。干蚀刻比抗蚀剂具有更高的选择性。

3. 发明申请

WO2003017002A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成用于光刻的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2003017002A1
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：PCT/JP2002/008244
申请日：2002-08-13
申请人：日産化学工業株式会社 , 荒瀬慎哉 , 岸岡高広 , 水沢賢一
发明人：荒瀬慎哉 , 岸岡高広 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/038
摘要： A composition for forming an antireflective film for use in a lithographic process for manufacturing a semiconductor device which comprises a resin having a lactone structure. The resin preferably has a ϝ−lactone structure or a &dgr;−lactone structure introduced to the main chain thereof or a side chain bonded to the main chain. The composition provides an antireflective film for a lithographic process which exhibits high effect of reducing a reflected light, causes no intermixing with a resist layer, allows the formation of an excellent resist pattern, exhibits a dry etching speed greater than that of a resist, and has a broader focus depth margin and a higher resolution, compared to those of a conventional antireflective film.
摘要翻译：一种用于形成用于制造半导体器件的光刻工艺的抗反射膜的组合物，其包含具有内酯结构的树脂。树脂优选具有引入其主链或连接至主链的侧链的ϝ-内酯结构或内酯结构。该组合物提供了用于平版印刷工艺的抗反射膜，其具有降低反射光的高效果，不会与抗蚀剂层混合，允许形成优异的抗蚀剂图案，表现出比抗蚀剂大的干蚀刻速度，以及与传统的抗反射膜相比，具有更宽的聚焦深度和更高的分辨率。

4. 发明申请

WO2005010615A1 ポジ型感光性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：正型型感光树脂组合物
公开(公告)号：WO2005010615A1
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/JP2004/011103
申请日：2004-07-28
申请人：日産化学工業株式会社 , 辻新祐 , 飯沼洋介 , 荒瀬慎哉
发明人：辻新祐 , 飯沼洋介 , 荒瀬慎哉
IPC分类号： G03F7/022
CPC分类号： G03F7/0233 , G03F7/022 , G03F7/0226 , G03F7/038
摘要：耐熱性、耐溶剤性、長時間焼成耐性等のプロセス耐性、及び透明性に優れる硬化膜を作製することができ、かつ、解像度、感度等の感光特性に優れ、保存安定性が高くプロセスマージンの広いポジ型感光性樹脂組成物、さらには液晶表示素子用途として、電気特性の悪化を招くことのない信頼性の高いポジ型感光性樹脂組成物を提供する。　不飽和カルボン酸誘導体とＮ−置換マレイミドとを必須とする共重合体であり、数平均分子量が２，０００～２０，０００のアルカリ可溶性樹脂と、一般式（１）（式中、Ｄはそれぞれ独立に水素原子又は１，２−キノンジアジド基を有する有機基であり、Ｒ 1 は炭素原子又は４価の有機基である。ただし、Ｄの少なくとも１つは、１，２−キノンジアジド基を有する有機基である。）で示される１，２−キノンジアジド化合物と、アルカリ可溶性樹脂に対して５～５０重量部の一般式（２）（式中、ｎは２～１０の整数、ｍは０～４の整数を示し、Ｒ 2 はｎ価の有機基を表す）で表される架橋性化合物とを含有することを特徴とするポジ型感光性樹脂組成物。
摘要翻译：可以形成耐热性，耐溶剂性，耐长期燃烧和透明性的耐加工性优异的固化膜的正型感光性树脂组合物。其光敏性能优异，包括分辨率和灵敏度，具有较高的储存稳定性，并具有广泛的工艺余量。当用于制造液晶显示器时，组合物具有如此高的可靠性，即组合物的使用不会导致电性能的劣化。正型感光性树脂组合物的特征在于，包含：碱溶性树脂，其是由包含不饱和羧酸衍生物和N-取代马来酰亚胺作为必要成分的单体形成的共聚物，其数均分子量为2,000〜20,000 ; 由通式（1）表示的1,2-醌二叠氮化合物：（其中D各自独立地为氢或具有1,2-醌二叠氮基的有机基团，R 1为碳或四价有机基团，条件是至少一个的D是具有1,2-醌二叠氮基的有机基团）; 和由通式（2）表示的交联性化合物（其中n为2〜10的整数，m为0〜4的整数，R2为n价的有机基），其含量为相对于碱溶性树脂为5〜50重量份。

5. 发明申请

WO2004061526A1 アルカリ溶解型リソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物审中-公开
标题翻译：碱性溶胶填充材料成型用于成像
公开(公告)号：WO2004061526A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/JP2003/016735
申请日：2003-12-25
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 石井和久 , 荒瀬慎哉
发明人：竹井敏 , 石井和久 , 荒瀬慎哉
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/02118 , G03F7/094 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/31058 , H01L21/31133 , H01L21/31144 , H01L21/312 , H01L21/76224 , H01L21/76808
摘要：デュアルダマシンプロセスに使用され、生産効率の向上に寄与するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物を提供する。　具体的には、高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する基板にフォトレジストを被覆しリソグラフィープロセスを利用して基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用され、フォトレジストを被覆する前の該基板に被覆される、水酸基又はカルボキシル基を有するポリマー及び架橋剤を含有することを特徴とするギャップフィル材形成組成物である。かかるギャップフィル材形成組成物から得られたギャップフィル材層はアルカリ水溶液によるエッチバックが可能である。
摘要翻译：一种用于光刻的间隙填充材料形成组合物，其用于双镶嵌工艺中，并且可有助于提高生产效率。具体而言，根据技术的半导体器件的制造中使用的间隙填充材料形成用组合物，其特征在于，包括：提供具有长径比（高/直径）为1以上的孔的基板，用光致抗蚀剂涂布基板并转印图像通过使用光刻工艺在衬底上施加，在光致抗蚀剂涂覆之前将该间隙填充材料形成组合物施加到衬底上，其特征在于，形成间隙填充材料的组合物包含羟基化或羧化聚合物和交联剂。对于从间隙填充材料形成组合物获得的间隙填充材料层，可以进行用碱性水溶液的回蚀。

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