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1. 发明申请

WO2002086624A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2002086624A1
公开(公告)日：2002-10-31
申请号：PCT/JP2002/003576
申请日：2002-04-10
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一
发明人：岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , C08G18/791 , C08G73/0655 , C09D179/04 , G03F7/091
摘要： A composition for forming an antireflection film for use in a lithographic process for semiconductor device production, which contains as a component a resin containing structural units derived from cyanuric acid, a derivative thereof, or both. The structural units are preferably represented by the following formula (1): (1) and can be contained in the main chain or side chains of the resin or in both. The antireflection film for lithography obtained from the composition has a high reflection-preventive effect and does not cause intermixing with a resist layer to give an excellent resist pattern. It has higher selectivity in dry etching than the resist.
摘要翻译：一种用于形成用于半导体器件制造的光刻工艺的抗反射膜的组合物，其包含含有衍生自氰尿酸，其衍生物或两者的结构单元的树脂作为组分的组分。结构单元优选由下式（1）表示：（1），并且可以包含在树脂的主链或侧链中或两者中。由组合物得到的用于光刻的防反射膜具有高的防反射效果，并且不会与抗蚀剂层混合，从而产生优异的抗蚀剂图案。干蚀刻比抗蚀剂具有更高的选择性。

2. 发明申请

WO2003017002A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成用于光刻的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2003017002A1
公开(公告)日：2003-02-27
申请号：PCT/JP2002/008244
申请日：2002-08-13
申请人：日産化学工業株式会社 , 荒瀬慎哉 , 岸岡高広 , 水沢賢一
发明人：荒瀬慎哉 , 岸岡高広 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/038
摘要： A composition for forming an antireflective film for use in a lithographic process for manufacturing a semiconductor device which comprises a resin having a lactone structure. The resin preferably has a ϝ−lactone structure or a &dgr;−lactone structure introduced to the main chain thereof or a side chain bonded to the main chain. The composition provides an antireflective film for a lithographic process which exhibits high effect of reducing a reflected light, causes no intermixing with a resist layer, allows the formation of an excellent resist pattern, exhibits a dry etching speed greater than that of a resist, and has a broader focus depth margin and a higher resolution, compared to those of a conventional antireflective film.
摘要翻译：一种用于形成用于制造半导体器件的光刻工艺的抗反射膜的组合物，其包含具有内酯结构的树脂。树脂优选具有引入其主链或连接至主链的侧链的ϝ-内酯结构或内酯结构。该组合物提供了用于平版印刷工艺的抗反射膜，其具有降低反射光的高效果，不会与抗蚀剂层混合，允许形成优异的抗蚀剂图案，表现出比抗蚀剂大的干蚀刻速度，以及与传统的抗反射膜相比，具有更宽的聚焦深度和更高的分辨率。

3. 发明申请

WO2004008253A1 反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：抗反应膜组成
公开(公告)号：WO2004008253A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008832
申请日：2003-07-11
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
发明人：岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10S430/151
摘要：　ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物及び好ましくは吸光性化合物及び／又は吸光性樹脂を含有する反射防止膜形成組成物、該組成物を用いる半導体装置の反射防止膜の形成方法、並びに該組成物を用いる半導体装置の製造方法。本発明の組成物は、半導体装置の製造に用いられる波長の光に対して良好な光吸収性を示し、それ故、高い反射光防止効果を持ち、またフォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する。
摘要翻译：一种抗反射膜形成用组合物，其包含被羟烷基或烷氧基烷基取代的脲化合物，优选含有吸光性化合物和/或光吸收性树脂; 一种形成用于半导体器件的抗反射膜的方法，其包括使用该组合物; 以及包括使用该组合物的半导体器件的制造方法。该组合物令人满意地吸收用于半导体器件制造的波长的光。因此，组合物在消除反射光方面非常有效。它还具有比光致抗蚀剂层更高的干蚀刻速率。

4. 发明申请

WO2004034148A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2004034148A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2003/012875
申请日：2003-10-08
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
发明人：岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/038 , G03F7/091 , Y10S430/106
摘要：半導体装置の製造に用いられる波長の光に良好な光吸収性を示し、高い反射光防止効果を持ち、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜のための反射防止膜形成組成物を提供する。　具体的には、窒素原子上の置換基としてヒドロキシアルキル構造を有するトリアジントリオン化合物、オリゴマー化合物又は高分子化合物、を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物である。
摘要翻译：用于形成抗反射膜的组合物，其包含化合物，低聚物或包含具有羟烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪 - 三酮部分的聚合物。组合物可以提供对于适用于制造半导体器件的波长的光具有良好吸收性的抗反射膜，具有高抗反射效果，并且表现出比光致抗蚀剂层大的干蚀刻速率。

5. 发明申请

WO2008146847A1 薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成剤审中-公开
标题翻译：盖膜绝缘膜形成薄膜晶体管
公开(公告)号：WO2008146847A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/059819
申请日：2008-05-28
申请人：日産化学工業株式会社 , 前田真一 , 岸岡高広
发明人：前田真一 , 岸岡高広
IPC分类号： H01L29/786 , C08G59/26 , H01L21/312 , H01L51/05
CPC分类号： H01L21/02118 , C08G59/182 , C08G73/0638 , C08G73/0644 , C08G73/065 , C08G73/0655 , C08L79/04 , H01L21/312 , H01L29/4908 , H01L29/513 , H01L29/518 , H01L29/7869 , H01L51/0021 , H01L51/0036 , H01L51/0097 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/102
摘要：【課題】ゲート絶縁膜の製造直後の初期の電気特性だけでなく、ゲート絶縁膜を用いて有機薄膜トランジスタを作製する際の他の工程を経た後の電気特性や、作製された素子の電気特性における信頼性までをも考慮した新規なゲート絶縁膜形成材料の提供。【解決手段】窒素原子上の置換基としてヒドロキシアルキル含有基を有するトリアジントリオン環を有する繰り返し単位を含むオリゴマー化合物又はポリマー化合物並びに溶媒を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成剤、それから得られる薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜及び該絶縁膜を有する薄膜トランジスタ、並びにこれらの製造方法。
摘要翻译： [问题]为了提供一种新颖的栅极绝缘膜形成材料，其不仅在栅极绝缘膜生产之后立即初始电性能，而且在使用栅极绝缘膜制造有机薄膜晶体管的其它步骤之后的电性能，并且考虑到所产生的元件的电性能的均匀可靠性。解决问题的手段用于薄膜晶体管的栅极绝缘膜形成剂，其特征在于包含低聚物化合物或含有在氮原子上含有含羟基烷基的基团作为取代基的三嗪三酮环的重复单元的高分子化合物，以及溶剂，由其制造的薄膜晶体管的栅极绝缘膜，包括绝缘膜的薄膜晶体管及其制造方法。

6. 发明申请

WO2004074938A1 アクリル系ポリマーを含有するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物审中-公开
标题翻译：含丙烯酸聚合物的填料填料组合物
公开(公告)号：WO2004074938A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001981
申请日：2004-02-20
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 石井和久 , 岸岡高広 , 境田康志
发明人：竹井敏 , 石井和久 , 岸岡高広 , 境田康志
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/038 , Y10S430/109 , Y10S430/128
摘要：デュアルダマシンプロセスに使用され、平坦化性、充填性に優れたギャップフィル材を形成する為のリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物を提供する。　具体的には、高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する半導体基板にフォトレジストを被覆し、リソグラフィープロセスを利用して半導体基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用されるポリマー、架橋剤及び溶剤を含有することを特徴とするギャップフィル材形成組成物である。
摘要翻译：公开了用于形成具有优异的平坦化性能和填充性能的间隙填料的双镶嵌工艺中用于光刻的间隙填料形成组合物。具体来说，间隙填料形成组合物的特征在于含有聚合物，交联剂和溶剂，并且用于半导体器件制造中，其中具有纵横比（高度/直径）不小于 1被光致抗蚀剂覆盖，并且通过利用光刻工艺将图像转印到半导体衬底上。

7. 发明申请

WO2005013601A1 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成包含保护性羧基的化合物的LITHOGRAPHY的下层膜的组合物
公开(公告)号：WO2005013601A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/010939
申请日：2004-07-30
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 岸岡高広 , 境田康志 , 新城徹也
发明人：竹井敏 , 岸岡高広 , 境田康志 , 新城徹也
IPC分类号： H04N1/38
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S430/106
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜を提供すること。【解決手段】　保護されたカルボキシル基を有する化合物、カルボキシル基と反応可能な基を有する化合物及び溶剤を含む下層膜形成組成物、またはカルボキシル基と反応可能な基と保護されたカルボキシル基とを有する化合物及び溶剤を含む下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]提供一种用于形成用于制造半导体器件的光刻工艺中的用于光刻的下层膜的组合物，以及下层膜，其表现出比光致抗蚀剂更大的蚀刻速率，并且不会引起与光致抗蚀剂混合。解决问题的手段用于形成下层膜的组合物，其包含具有被保护的羧基的化合物，具有能够与羧基反应的基团的化合物和溶剂，或者包含具有能够与羧基和保护的羧基和溶剂。

8. 发明申请

WO2004090640A1 エポキシ化合物及びカルボン酸化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成包含环氧化合物和羧酸化合物的地层的底膜的组合物
公开(公告)号：WO2004090640A1
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/JP2004/004764
申请日：2004-04-01
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広
发明人：岸岡高広
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , C08G59/40 , Y10S438/952
摘要：半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有する下層膜を提供する。　具体的には、強酸触媒による架橋反応を利用することなく下層膜を形成するための組成物であり、エポキシ基を有する成分（高分子化合物、化合物）と、フェノール性水酸基、カルボキシル基、保護されたカルボキシル基または酸無水物構造を有する成分（高分子化合物、化合物）とを含む下層膜形成組成物である。
摘要翻译：用于形成用于制造半导体器件的光刻工艺中的用于光刻的下层膜的组合物; 以及表现出比使用光致抗蚀剂的干蚀刻速率更大的下层膜。特别是，用于形成下层膜的组合物，其能够形成下层膜，而不需要使用由强酸催化的交联反应，该组合物包含具有环氧基的组分（聚合物或化合物）和具有酚类的组分羟基，羧基，保护的羧基或酸酐结构（聚合物或化合物）。

9. 发明申请

WO2008143095A1 感光性樹脂及びマイクロレンズの製造方法审中-公开
标题翻译：光敏树脂和生产微生物的方法
公开(公告)号：WO2008143095A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/058860
申请日：2008-05-14
申请人：日産化学工業株式会社 , 根木隆之 , 坂口崇洋 , 岸岡高広
发明人：根木隆之 , 坂口崇洋 , 岸岡高広
IPC分类号： G03F7/023 , G02B3/00 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0233 , G02B3/00 , G03F7/0005 , G03F7/38
摘要：【課題】耐熱性、高解像度、高い光取り出し効率を有するマイクロレンズ用材料を提供する。【解決手段】芳香族縮合環又はその誘導体を有する単位構造を含むアルカリ可溶性ポリマー（Ａ）と、光分解しアルカリ可溶性基を生ずる有機基を有する化合物（Ｂ）とを含むポジ型レジスト組成物である。該ポジ型レジスト組成物は、波長６３３ｎｍで屈折率１．６以上であり、波長４００ないし７３０ｎｍにおいて透過率８０％以上の塗膜物性を有する。ポジ型レジスト組成物を基板上に塗布し、乾燥し、露光し、そして現像する工程を含むマイクロレンズの製造方法である。
摘要翻译： [问题]提供具有耐热性，高分辨率和高光提取效率的微透镜材料。解决问题的手段该材料是正型抗蚀剂组合物，其包含：（A）包含具有芳香稠环或其衍生物的单元结构的碱溶性聚合物; 和（B）具有经历光分解以产生碱溶性基团的有机基团的化合物。该正性抗蚀剂组合物得到在波长633nm下测定的折射率为1.6以上的涂膜，在波长400-730nm下测定的透射率为80％以上。还提供了一种生产微透镜的方法，其包括将正性抗蚀剂组合物施加到基底上的步骤以及干燥，曝光和显影所用组合物的步骤。

10. 发明申请

WO2007148627A1 水酸基含有縮合系樹脂を含有するレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有羟基化冷凝树脂的组合物，用于形成薄膜
公开(公告)号：WO2007148627A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/JP2007/062142
申请日：2007-06-15
申请人：日産化学工業株式会社 , 広井佳臣 , 岸岡高広 , 坂本力丸
发明人：広井佳臣 , 岸岡高広 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/11 , C08G63/58 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G63/19 , C08G63/672 , C08G63/6856 , G03F7/094 , G03F7/11
摘要：【課題】半導体基板上に形成されたフォトレジストへの露光照射光の基板からの反射を軽減させる下層反射防止膜、凹凸のある半導体基板を平坦化するための平坦化膜、加熱焼成時に半導体基板から発生する物質によるフォトレジストの汚染を防止する膜等として使用できるリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】　下記式（１）：【化１】（但し、Ｙは炭素数１～１０のアルキレン基、又は炭素数６～１４の芳香族環を示し、アルキレン基及び芳香族環は水酸基を1個以上、且つ該アルキレン基及び芳香族環の水素原子に置換可能な数以下に有する。）の構造を有するポリマー、及び溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。
摘要翻译： [问题]提供用于形成抗蚀剂下面的膜的平版印刷组合物。它可用作例如防止在半导体衬底上形成的形成在光致抗蚀剂上的曝光光从衬底反射的下层抗反射膜，用于使具有粗糙表面的半导体衬底变平的平坦化膜，以及在加热/燃烧期间防止光致抗蚀剂被由半导体衬底产生的物质污染的膜。用于形成抗蚀剂下的膜的光刻胶组合物包括：具有由以下通式（1）表示的结构的聚合物：式（1）（其中Y表示C 1-10，亚烷基或C 6-14芳香环，条件是亚烷基或芳环具有一个或多个羟基，羟基数不大于可置换氢原子的数目的亚烷基或芳环）; 和溶剂。

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