专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2012105648A1 非感光性レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成非感光性电阻膜的组合物
公开(公告)号：WO2012105648A1
公开(公告)日：2012-08-09
申请号：PCT/JP2012/052397
申请日：2012-02-02
申请人：日産化学工業株式会社 , 臼井友輝 , 岸岡高広 , 木村茂雄 , 西巻裕和 , 大橋智也
发明人：臼井　友輝 , 岸岡　高広 , 木村　茂雄 , 西巻　裕和 , 大橋　智也
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11
摘要：【課題】新規な非感光性レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】下記式（１）：（式中、Ｒ 1 は水素原子又はメチル基を表し、Ｒ 2 は炭素原子数１乃至３のアルキレン基又は置換基を有してもよいフェニレン基を表し、Ｒ 3 はヒドロキシ基又はカルボキシル基を表す。）で表される構造単位を有するポリマー、ブロックイソシアネート基、メチロール基及び炭素原子数１乃至５のアルコキシメチル基からなる群から選択される置換基を少なくとも２つ有する化合物、及び溶剤を含む、非感光性レジスト下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]提供用于形成非光敏抗蚀剂下层膜的新型组合物。 [溶液]用于形成非光敏抗蚀剂下层膜的组合物，其包含具有式（1）所示结构单元的聚合物（其中R 1表示氢原子或甲基; R 2表示具有1〜 3个碳原子或可以具有取代基的亚苯基; R3表示羟基或羧基），具有至少两个独立地选自嵌段异氰酸酯基，羟甲基和羟甲基的取代基的化合物和具有1至5个碳原子的烷氧基甲基和溶剂。

2. 发明申请

WO2011024545A1 マイクロレンズ用感光性樹脂組成物审中-公开
标题翻译：微光敏感性树脂组合物
公开(公告)号：WO2011024545A1
公开(公告)日：2011-03-03
申请号：PCT/JP2010/060476
申请日：2010-06-21
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 坂口崇洋
发明人：岸岡　高広 , 坂口　崇洋
IPC分类号： G02B1/04 , C08F22/40 , C08L35/00 , G02B3/00 , G03F7/004 , G03F7/023
CPC分类号： C08F26/06 , G02B1/043 , G03F7/0005 , G03F7/0233 , G03F7/40 , C08L33/24
摘要：【課題】マイクロレンズ用感光性樹脂組成物の提供。【解決手段】　（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有するマイクロレンズ用感光性樹脂組成物。（Ａ）成分：下記式（１）で表されるマレイミド構造単位を有する重合体（Ｂ）成分：架橋剤（Ｃ）成分：感光剤
摘要翻译：公开了一种用于微透镜的感光性树脂组合物。用于微透镜的感光性树脂组合物包含以下组分（A），（B）和（C）：（A）具有式（1）所示的马来酰亚胺结构单元的聚合物; （B）交联剂; 和（C）光敏剂。

3. 发明申请

WO2010061883A1 薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成剤审中-公开
标题翻译：薄膜晶体管栅介质的成形剂
公开(公告)号：WO2010061883A1
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/JP2009/069943
申请日：2009-11-26
申请人：日産化学工業株式会社 , 前田真一 , 岸岡高広
发明人：前田　真一 , 岸岡　高広
IPC分类号： H01L29/786 , C08G59/50 , H01L21/336 , H01L51/30
CPC分类号： H01L51/052 , C07D239/60 , C07D403/06 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/28194 , H01L21/312 , H01L51/0541 , H01L51/0545
摘要：【課題】ゲート絶縁膜の絶縁性が高いだけでなく、薄膜トランジスタの素子の電気特性までをも考慮した新規なゲート絶縁膜形成剤を提供すること。【解決手段】　窒素原子上の置換基としてヒドロキシアルキル含有基を有するピリミジントリオン環を有する構造単位を含むオリゴマー化合物又はポリマー化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタ用ゲート絶縁膜形成剤、該形成剤より得られるゲート絶縁膜並びに薄膜トランジスタ。
摘要翻译：提供了一种用于栅极电介质的新型成形剂，其不仅为栅极电介质提供高绝缘性能，而且考虑到薄膜晶体管元件的电性能。用于薄膜晶体管的栅极电介质的形成剂包括低聚物化合物或具有在氮原子上含有羟烷基作为取代基的基团的具有嘧啶四酮环的结构单元的聚合物化合物。还提供了使用成形剂获得的栅极电介质和薄膜晶体管。

4. 发明申请

WO2008047715A1 ４層系積層体による半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用四层层压板制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008047715A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069973
申请日：2007-10-12
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 橋本圭祐 , 岸岡高広
发明人：竹井敏 , 中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 橋本圭祐 , 岸岡高広
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：半導体装置のリソグラフィー工程においてフォトレジストの下層に使用される積層体と、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体基板上に有機下層膜（Ａ層）、ケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）、有機反射防止膜（Ｃ層）、及びフォトレジスト膜（Ｄ層）の順で各層を積層する工程を含む半導体装置の製造方法。フォトレジスト膜（Ｄ層）にレジストパターンを形成し、レジストパターンにより有機反射防止膜（Ｃ層）をエッチングし、パターン化された有機反射防止膜（Ｃ層）によりケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）をエッチングし、パターン化されたケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）により有機下層膜（Ａ層）をエッチングし、パターン化された有機下層膜（Ａ層）により半導体基板を加工する工程を含む。
摘要翻译：公开了在半导体器件制造的光刻工艺中用作光致抗蚀剂的基础层的层压体。还公开了通过使用这种层压体制造半导体器件的方法。具体公开了一种半导体器件的制造方法，其包括形成有机基础膜（A层），含硅硬掩模（B层），有机抗反射膜（C层）和光刻胶膜（层D）。该方法还包括其中将光致抗蚀剂膜（层D）形成为抗蚀剂图案的步骤; 通过使用抗蚀剂图案来蚀刻有机抗反射膜（层C）通过使用图案化的有机抗反射膜（层C）来蚀刻含硅硬掩模（B层）; 通过使用图案化的含硅硬掩模（B层）蚀刻有机基础膜（层A）; 并且通过使用图案化的有机基础膜（层A）来处理半导体衬底。

5. 发明申请

WO2006132088A1 ナフタレン樹脂誘導体を含有するリソグラフィー用塗布型下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有萘甲酸树脂衍生物的涂布型底膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2006132088A1
公开(公告)日：2006-12-14
申请号：PCT/JP2006/310358
申请日：2006-05-24
申请人：日産化学工業株式会社 , 榎本智之 , 岸岡高広 , 坂口崇洋
发明人：榎本智之 , 岸岡高広 , 坂口崇洋
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091
摘要： [PROBLEMS] To provide a coating-type underlayer film forming composition containing a naphthalene resin derivative for lithography. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A coating-type underlayer film forming composition containing a naphthalene resin derivative for lithography, comprising a compound represented by the following general formula (1): [Chemical formula 1] Formula (1) wherein A represents an aromatic group-containing organic group; R 1 represents a hydroxyl, alkyl, alkoxy, halogen, thiol, amino, or amide group; m1 represents the number of A as a substituent of the naphthalene ring and is an integer of 1 to 6; m2 represents the number of R 1 as a substituent of the naphthalene ring and is an integer of 0 to 5; the sum of m1 and m2 is an integer of 1 to 6, provided that, in the case of an integer other than 6, the remaining part represents a hydrogen atom; and n is 2 to 7000 repeating units.
摘要翻译： [问题]提供一种含有用于光刻的萘树脂衍生物的涂布型下层膜形成组合物。 [解决问题的手段]含有用于光刻的萘树脂衍生物的涂布型下层膜形成组合物，其包含由以下通式（1）表示的化合物：[化学式1]式（1）其中A表示芳族基团含有机基团; R 1表示羟基，烷基，烷氧基，卤素，硫醇，氨基或酰胺基; m1表示作为萘环的取代基的A的数，为1〜6的整数。 m2表示作为萘环的取代基的R 1 1的数，为0〜5的整数， m1和m2的和为1〜6的整数，条件是在除6以外的整数的情况下，剩余部分表示氢原子; n为2〜7000个重复单元。

6. 发明申请

WO2006049045A1 スルホン酸エステルを含有するリソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成抗蚀膜的含硫化合物组合物
公开(公告)号：WO2006049045A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/019612
申请日：2005-10-25
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 畑中真 , 木村茂雄
发明人：岸岡高広 , 畑中真 , 木村茂雄
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G59/1433 , C08G59/1483 , C08G59/26 , C08G59/28 , Y10S438/952
摘要： An antireflection film suitable for use in lithography process using light, such as ArF excimer laser or F2 excimer laser, that is high in the effect of prevention of reflection light, being free from intermixing with photoresist, and that exhibits an etching rate greater than that of photoresist, being capable of forming a photoresist pattern with no footing figuration at its underpart; and a composition for formation of antireflection film for lithography that is suitable for formation of the antireflection film. There is provided a composition for formation of antireflection film for lithography, comprising a polymer compound, a crosslinking compound, a crosslinking catalyst, a sulfonic ester compound and a solvent.
摘要翻译：适用于使用光的光刻工艺（例如ArF准分子激光或F2准分子激光器）的防反射膜，其具有防止反射光效果高，不与光致抗蚀剂混合的效果，并且表现出大于该光刻胶的蚀刻速率的光致抗蚀剂，能够在其下部形成无底纹的光致抗蚀剂图案; 以及用于形成适于形成抗反射膜的用于光刻的抗反射膜的组合物。提供了用于形成用于光刻的抗反射膜的组合物，其包含高分子化合物，交联化合物，交联催化剂，磺酸酯化合物和溶剂。

7. 发明申请

WO2005098542A1 縮合系ポリマーを有する半導体用反射防止膜审中-公开
标题翻译：含有凝聚型聚合物的半导体抗反射膜
公开(公告)号：WO2005098542A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：PCT/JP2005/006785
申请日：2005-04-06
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 坂本力丸 , 広井佳臣 , 丸山大輔
发明人：岸岡高広 , 坂本力丸 , 広井佳臣 , 丸山大輔
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： C08G73/0616 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G73/0638 , C08L79/04 , G02B1/111 , G03F7/091 , Y10S438/952
摘要：【課題】反射光防止効果が高く、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、ＡｒＦエキシマレーザー及びＦ２エキシマレーザー等の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜、及び反射防止膜を形成するための組成物を提供すること。【解決手段】ピリミジントリオン構造、イミダゾリジンジオン構造、イミダゾリジントリオン構造またはトリアジントリオン構造を有するポリマー及び溶剤を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物。
摘要翻译：本发明提供一种具有高反光防止效果的抗反射膜，不与光致抗蚀剂混合，并且可用于使用诸如来自ArF准分子激光器和F2准分子激光器的照射束的光刻工艺，以及进一步提供一种用于形成这种抗反射膜的组合物。解决问题的手段提供一种防反射膜形成组合物，其特征在于含有具有嘧啶四酮结构的聚合物，咪唑烷二酮结构，咪唑烷四酮结构或三嗪三酮结构并含有溶剂。

8. 发明申请

WO2004034148A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2004034148A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2003/012875
申请日：2003-10-08
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
发明人：岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/038 , G03F7/091 , Y10S430/106
摘要：半導体装置の製造に用いられる波長の光に良好な光吸収性を示し、高い反射光防止効果を持ち、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜のための反射防止膜形成組成物を提供する。　具体的には、窒素原子上の置換基としてヒドロキシアルキル構造を有するトリアジントリオン化合物、オリゴマー化合物又は高分子化合物、を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物である。
摘要翻译：用于形成抗反射膜的组合物，其包含化合物，低聚物或包含具有羟烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪 - 三酮部分的聚合物。组合物可以提供对于适用于制造半导体器件的波长的光具有良好吸收性的抗反射膜，具有高抗反射效果，并且表现出比光致抗蚀剂层大的干蚀刻速率。

9. 发明申请

WO2004008253A1 反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：抗反应膜组成
公开(公告)号：WO2004008253A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008832
申请日：2003-07-11
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
发明人：岸岡高広 , 荒瀬慎哉 , 水沢賢一 , 中山圭介
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , H01L21/0276 , Y10S430/151
摘要：　ヒドロキシアルキル基又はアルコキシアルキル基で置換された尿素化合物及び好ましくは吸光性化合物及び／又は吸光性樹脂を含有する反射防止膜形成組成物、該組成物を用いる半導体装置の反射防止膜の形成方法、並びに該組成物を用いる半導体装置の製造方法。本発明の組成物は、半導体装置の製造に用いられる波長の光に対して良好な光吸収性を示し、それ故、高い反射光防止効果を持ち、またフォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する。
摘要翻译：一种抗反射膜形成用组合物，其包含被羟烷基或烷氧基烷基取代的脲化合物，优选含有吸光性化合物和/或光吸收性树脂; 一种形成用于半导体器件的抗反射膜的方法，其包括使用该组合物; 以及包括使用该组合物的半导体器件的制造方法。该组合物令人满意地吸收用于半导体器件制造的波长的光。因此，组合物在消除反射光方面非常有效。它还具有比光致抗蚀剂层更高的干蚀刻速率。

10. 发明申请

WO2012050065A1 単分子層又は多分子層形成用組成物审中-公开
标题翻译：用于形成单层或多层的组合物
公开(公告)号：WO2012050065A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/JP2011/073239
申请日：2011-10-07
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 佐久間大輔 , 木村茂雄 , 西巻裕和 , 大橋智也 , 臼井友輝
发明人：岸岡　高広 , 佐久間　大輔 , 木村　茂雄 , 西巻　裕和 , 大橋　智也 , 臼井　友輝
IPC分类号： C09D183/08 , C07F7/18 , C08G77/392 , C09D5/02 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0752 , C07F7/1836 , C08G77/28 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/165 , G03F7/20 , G03F7/30
摘要：【課題】基板上に単分子層又は多分子層を形成するための組成物を提供する。【解決手段】下記式（１Ａ）又は下記式（１Ｂ）：［式中、Ｒ 1 はそれぞれ独立にメチル基又はエチル基を表し、Ｘはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０の連結基を表し、Ｚはそれぞれ独立に炭素原子数１乃至１０のアルキル基又は置換基を有してもよいフェニル基を表し、前記Ｘは少なくとも１つの酸素原子又は硫黄原子を主鎖に含んでいてもよく、前記Ｚがアルキル基を表す場合該アルキル基の少なくとも１つの水素原子はフッ素原子で置換されていてもよい。］で表されるシラン化合物及び有機溶剤を含む、単分子層又は多分子層形成用組成物である。
摘要翻译：提供在基材上形成单层或多层的组合物。 [溶液]用于形成单层或多层的组合物，所述组合物含有有机溶剂和由式（1A）或式（1B）表示的硅烷化合物。（式中，R 1各自独立地表示甲基或乙基，各X独立地表示碳原子数1〜10的连接基团，各Z独立地表示碳原子数为1〜10的烷基或可以具有取代基的苯基; X可以至少含有其主链中的一个氧原子或硫原子;当Z表示烷基时，烷基中的至少一个氢原子可被氟原子取代。）

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式