专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2003071357A1 反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成抗反射涂层的组合物
公开(公告)号：WO2003071357A1
公开(公告)日：2003-08-28
申请号：PCT/JP2003/001542
申请日：2003-02-14
申请人：日産化学工業株式会社 , 坂本力丸 , 水沢賢一
发明人：坂本力丸 , 水沢賢一
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S430/108
摘要： A composition for forming an anti-reflection coating usable in a lithography process for manufacturing a semiconductor device, which comprises a polymer compound containing a halogen atom; a method for adjusting the damping coefficient of the anti-reflection coating which comprises changing the content of the halogen atom in the polymer compound; and an anti-reflection coating prepared from the composition. The polymer compound preferably has a halogen atom introduced into the main chain thereof and/or a side chain connected with the main chain. The anti-reflection coating can be used in a lithography process using an irradiation light of F2-excimer laser (wave length: 157 nm), exhibits high effect of preventing the reflection of the light, and does not cause the intermixing with a resist layer.
摘要翻译：一种可用于制造半导体器件的光刻工艺中的抗反射涂层的组合物，其包含含有卤素原子的高分子化合物; 一种用于调节抗反射涂层的阻尼系数的方法，其包括改变高分子化合物中卤素原子的含量; 和由该组合物制备的抗反射涂层。高分子化合物优选具有引入其主链中的卤素原子和/或与主链连接的侧链。抗反射涂层可以使用F2-准分子激光的照射光（波长：157nm）的光刻工艺中使用，具有防止光的反射的高效果，并且不会引起与抗蚀剂层的混合。

2. 发明申请

WO2009057458A1 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成电阻膜的组合物及其形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2009057458A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/068774
申请日：2008-10-16
申请人：日産化学工業株式会社 , 坂本力丸 , 広井佳臣 , 石田智久 , 遠藤貴文
发明人：坂本力丸 , 広井佳臣 , 石田智久 , 遠藤貴文
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC分类号： C08G63/664 , C08G59/1438 , C08L63/00 , G03F7/091
摘要：【課題】ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもＡｒＦエキシマレーザーのような短波長でのｋ値及び屈折率ｎが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を提供することを目的とする。【解決手段】線状ポリマー及び溶剤を含み、前記線状ポリマーの主鎖は２，４－ジヒドロキシ安息香酸がエステル結合及びエーテル結合を介して導入された単位構造を有するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。
摘要翻译：提供一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其具有广泛的干蚀刻速率选择，并且具有短波长（如ArF准分子激光器）的k和折射率（n）的期望值。解决问题的手段用于形成光刻用抗蚀剂下层膜的组合物包括直链状聚合物和溶剂，线性聚合物的主链具有通过酯键引入2,4-二羟基苯甲酸和醚连锁。

3. 发明申请

WO2009104685A1 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：用于形成电阻膜的组合物和使用其形成电阻图案的方法
公开(公告)号：WO2009104685A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2009/052905
申请日：2009-02-19
申请人：日産化学工業株式会社 , 坂本力丸 , 遠藤貴文
发明人：坂本力丸 , 遠藤貴文
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/42
CPC分类号： G03F7/091 , C08G59/1455 , C08G63/20 , C08G63/42 , C08G63/668 , C08G63/6854
摘要：【課題】ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもＡｒＦエキシマレーザーのような短波長でのｋ値及びｎ値が所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。【解決手段】脂環式構造又は脂肪族構造を有するテトラカルボン酸二無水物とエポキシ基を２つ有するジエポキシ化合物とを少なくとも用い、ＯＨ基を有するアルコール系化合物を含む有機溶剤と共に反応させて得られるポリマー、及び溶剤を含むレジスト下層膜形成用組成物。
摘要翻译：公开了一种用于形成具有高选择率的蚀刻速率的抗蚀剂下层膜的组合物，同时具有期望的k值和短波长的n值，例如ArF准分子激光器。具体公开了用于形成含有聚合物和溶剂的抗蚀剂下层膜的组合物。使用至少具有脂环结构或脂肪族结构的四羧酸二酐和具有两个环氧基的二环氧化合物的反应获得聚合物，该反应与含有具有OH基团的醇化合物的有机溶剂一起进行。

4. 发明申请

WO2009008446A1 レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法审中-公开
标题翻译：抗静电膜形成组合物，以及使用组合物形成抗蚀剂图案的方法
公开(公告)号：WO2009008446A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：PCT/JP2008/062399
申请日：2008-07-09
申请人：日産化学工業株式会社 , 坂本力丸
发明人：坂本力丸
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/40 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08G63/21
摘要：【課題】　ドライエッチング速度の選択比が大きく、しかもＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）のような短波長でのｋ値及び屈折率ｎが所望の値を示すレジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。【解決手段】　ポリマー及び溶剤を含み、前記ポリマーの主鎖はけい皮酸誘導体を有するリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。前記けい皮酸誘導体はエステル結合、またはエステル結合とエーテル結合を介して前記ポリマーの主鎖に導入されている。
摘要翻译： [问题]提供一种形成抗蚀剂下层膜的组合物，其在干蚀刻速度选择比大的同时，可以实现短波长期望的k值和折射率（n），如ArF准分子激光（波长：193nm）。解决问题的手段一种包含聚合物和溶剂的用于光刻的抗蚀剂下层膜形成用组合物，该聚合物具有含有肉桂酸衍生物的主链。肉桂酸衍生物通过酯键或酯键和醚键引入聚合物的主链中。

5. 发明申请

WO2006115074A1 エチレンジカルボニル構造を有するポリマーを含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：包含具有乙烯 - 二甲苯结构的聚合物的组合物用于形成用于光刻的抗反射涂层
公开(公告)号：WO2006115074A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/JP2006/307848
申请日：2006-04-13
申请人：日産化学工業株式会社 , 坂本力丸
发明人：坂本力丸
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G59/4207 , Y10S438/952
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、優れた反射防止効果を示し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、フォトレジストより大きなエッチング速度を有する反射防止膜、及び当該反射防止膜を形成するための組成物を提供すること。【解決手段】エチレンジカルボニル構造を有するポリマー及び溶剤を含むリソグラフィー用反射防止膜形成組成物、当該組成物より形成される反射防止膜、及び当該組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法。
摘要翻译：为了提供用于制造半导体器件的光刻工艺中的抗反射涂层，显示出优异的抗反射效果，不会引起与光致抗蚀剂的混合，并且表现出比光致抗蚀剂更大的蚀刻速率; 和用于形成抗反射涂层的组合物。解决问题的手段用于形成用于光刻的抗反射涂层的组合物，其包含具有乙烯 - 二羰基结构和溶剂的聚合物; 由该组合物形成的抗反射涂层; 以及形成抗蚀剂图案的方法，其包括使用该组合物。

6. 发明申请

WO2005098542A1 縮合系ポリマーを有する半導体用反射防止膜审中-公开
标题翻译：含有凝聚型聚合物的半导体抗反射膜
公开(公告)号：WO2005098542A1
公开(公告)日：2005-10-20
申请号：PCT/JP2005/006785
申请日：2005-04-06
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 坂本力丸 , 広井佳臣 , 丸山大輔
发明人：岸岡高広 , 坂本力丸 , 広井佳臣 , 丸山大輔
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： C08G73/0616 , C08G61/122 , C08G61/123 , C08G73/0638 , C08L79/04 , G02B1/111 , G03F7/091 , Y10S438/952
摘要：【課題】反射光防止効果が高く、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、ＡｒＦエキシマレーザー及びＦ２エキシマレーザー等の照射光を用いたリソグラフィープロセスにおいて使用できる反射防止膜、及び反射防止膜を形成するための組成物を提供すること。【解決手段】ピリミジントリオン構造、イミダゾリジンジオン構造、イミダゾリジントリオン構造またはトリアジントリオン構造を有するポリマー及び溶剤を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物。
摘要翻译：本发明提供一种具有高反光防止效果的抗反射膜，不与光致抗蚀剂混合，并且可用于使用诸如来自ArF准分子激光器和F2准分子激光器的照射束的光刻工艺，以及进一步提供一种用于形成这种抗反射膜的组合物。解决问题的手段提供一种防反射膜形成组合物，其特征在于含有具有嘧啶四酮结构的聚合物，咪唑烷二酮结构，咪唑烷四酮结构或三嗪三酮结构并含有溶剂。

7. 发明申请

WO2004034148A1 リソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成图像的抗反射膜的组合物
公开(公告)号：WO2004034148A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2003/012875
申请日：2003-10-08
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
发明人：岸岡高広 , 水沢賢一 , 榎本智之 , 坂本力丸 , 中山圭介 , 河村保夫
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0276 , G03F7/038 , G03F7/091 , Y10S430/106
摘要：半導体装置の製造に用いられる波長の光に良好な光吸収性を示し、高い反射光防止効果を持ち、フォトレジスト層と比較して大きなドライエッチング速度を有する反射防止膜のための反射防止膜形成組成物を提供する。　具体的には、窒素原子上の置換基としてヒドロキシアルキル構造を有するトリアジントリオン化合物、オリゴマー化合物又は高分子化合物、を含むことを特徴とする反射防止膜形成組成物である。
摘要翻译：用于形成抗反射膜的组合物，其包含化合物，低聚物或包含具有羟烷基结构作为氮原子上的取代基的三嗪 - 三酮部分的聚合物。组合物可以提供对于适用于制造半导体器件的波长的光具有良好吸收性的抗反射膜，具有高抗反射效果，并且表现出比光致抗蚀剂层大的干蚀刻速率。

8. 发明申请

WO2008105266A1 電子線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：电阻层析法制备低层膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2008105266A1
公开(公告)日：2008-09-04
申请号：PCT/JP2008/052740
申请日：2008-02-19
申请人：日産化学工業株式会社 , 榎本智之 , 坂口崇洋 , 坂本力丸 , 永井雅規
发明人：榎本智之 , 坂口崇洋 , 坂本力丸 , 永井雅規
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2059
摘要：【課題】電子線リソグラフィーを用いたデバイス作製工程に用いられ、電子線によって及ぼされる悪影響を低減し、良好なレジストパターンを得るのに有効な電子線リソグラフィー用レジスト下層膜組成物、並びに該電子線リソグラフィー用レジスト下層膜組成物を用いるレジストパターン形成法を提供する【解決手段】　ハロゲン原子を含有する繰り返し単位構造を有する高分子化合物及び溶媒を含む電子線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であり、基板上の転写パターンを形成する加工対象膜と電子線リソグラフィー用レジスト膜の間に成膜されて用いられ、半導体デバイス製造に使用される。前記高分子化合物は、少なくとも１０質量％のハロゲン原子を含有する。
摘要翻译： [问题]为了提供用于电子光刻的器件制造工艺中的用于电子光刻的抗蚀剂下层膜组合物，减少了由于电子束引起的不利影响，并且对获得优异的抗蚀剂图案是有效的，抗蚀剂图案形成方法，其中使用这种组合物。解决问题的手段用于电子光刻的抗蚀剂下层成膜组合物含有具有含有卤原子的重复单元结构的聚合物和溶剂。该组合物通过在基板上形成转印图案的工艺靶膜与电子光刻抗蚀剂膜之间形成而用于制造半导体器件。高分子化合物至少含有10质量％的卤素原子。

9. 发明申请

WO2007148627A1 水酸基含有縮合系樹脂を含有するレジスト下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有羟基化冷凝树脂的组合物，用于形成薄膜
公开(公告)号：WO2007148627A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/JP2007/062142
申请日：2007-06-15
申请人：日産化学工業株式会社 , 広井佳臣 , 岸岡高広 , 坂本力丸
发明人：広井佳臣 , 岸岡高広 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/11 , C08G63/58 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G63/19 , C08G63/672 , C08G63/6856 , G03F7/094 , G03F7/11
摘要：【課題】半導体基板上に形成されたフォトレジストへの露光照射光の基板からの反射を軽減させる下層反射防止膜、凹凸のある半導体基板を平坦化するための平坦化膜、加熱焼成時に半導体基板から発生する物質によるフォトレジストの汚染を防止する膜等として使用できるリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物を提供する。【解決手段】　下記式（１）：【化１】（但し、Ｙは炭素数１～１０のアルキレン基、又は炭素数６～１４の芳香族環を示し、アルキレン基及び芳香族環は水酸基を1個以上、且つ該アルキレン基及び芳香族環の水素原子に置換可能な数以下に有する。）の構造を有するポリマー、及び溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物である。
摘要翻译： [问题]提供用于形成抗蚀剂下面的膜的平版印刷组合物。它可用作例如防止在半导体衬底上形成的形成在光致抗蚀剂上的曝光光从衬底反射的下层抗反射膜，用于使具有粗糙表面的半导体衬底变平的平坦化膜，以及在加热/燃烧期间防止光致抗蚀剂被由半导体衬底产生的物质污染的膜。用于形成抗蚀剂下的膜的光刻胶组合物包括：具有由以下通式（1）表示的结构的聚合物：式（1）（其中Y表示C 1-10，亚烷基或C 6-14芳香环，条件是亚烷基或芳环具有一个或多个羟基，羟基数不大于可置换氢原子的数目的亚烷基或芳环）; 和溶剂。

10. 发明申请

WO2007036982A1 イソシアヌル酸化合物と安息香酸化合物との反応生成物を含む反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于抗反应膜形成的组合物，包含异氰酸酯化合物和苯甲酸化合物之间的反应产物
公开(公告)号：WO2007036982A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/JP2005/017735
申请日：2005-09-27
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 坂本力丸 , 丸山大輔
发明人：岸岡高広 , 坂本力丸 , 丸山大輔
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091
摘要： This invention provides an antireflection film, which has high reflected light preventive effect, does not cause intermixing with a photoresist, can form a photoresist pattern having no significant hemming bottom, and can be used in a lithographic process using irradiation light such as ArF excimer laser and F2 excimer laser, and a composition for the formation of this antireflection film. The composition for antireflection film formation comprises a product of a reaction between an isocyanuric acid compound containing two or three 2,3-epoxypropyl groups and a benzoic acid compound.
摘要翻译：本发明提供了具有高反射防光效果的防反射膜，不会引起与光致抗蚀剂的混合，可以形成无明显折边的光致抗蚀剂图案，并可用于使用诸如ArF准分子激光器和F2准分子激光，以及用于形成该抗反射膜的组合物。用于防反射膜形成的组合物包含含有两个或三个2,3-环氧丙基的异氰脲酸化合物与苯甲酸化合物之间的反应的产物。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式