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    • 1. 发明申请
    • 電子線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物
    • 电阻层析法制备低层膜成膜组合物
    • WO2008105266A1
    • 2008-09-04
    • PCT/JP2008/052740
    • 2008-02-19
    • 日産化学工業株式会社榎本 智之坂口 崇洋坂本 力丸永井 雅規
    • 榎本 智之坂口 崇洋坂本 力丸永井 雅規
    • G03F7/11H01L21/027
    • G03F7/11G03F7/2059
    • 【課題】 電子線リソグラフィーを用いたデバイス作製工程に用いられ、電子線によって及ぼされる悪影響を低減し、良好なレジストパターンを得るのに有効な電子線リソグラフィー用レジスト下層膜組成物、並びに該電子線リソグラフィー用レジスト下層膜組成物を用いるレジストパターン形成法を提供する 【解決手段】  ハロゲン原子を含有する繰り返し単位構造を有する高分子化合物及び溶媒を含む電子線リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物であり、基板上の転写パターンを形成する加工対象膜と電子線リソグラフィー用レジスト膜の間に成膜されて用いられ、半導体デバイス製造に使用される。前記高分子化合物は、少なくとも10質量%のハロゲン原子を含有する。
    • [问题]为了提供用于电子光刻的器件制造工艺中的用于电子光刻的抗蚀剂下层膜组合物,减少了由于电子束引起的不利影响,并且对获得优异的抗蚀剂图案是有效的, 抗蚀剂图案形成方法,其中使用这种组合物。 解决问题的手段用于电子光刻的抗蚀剂下层成膜组合物含有具有含有卤原子的重复单元结构的聚合物和溶剂。 该组合物通过在基板上形成转印图案的工艺靶膜与电子光刻抗蚀剂膜之间形成而用于制造半导体器件。 高分子化合物至少含有10质量%的卤素原子。
    • 6. 发明专利
    • 特定の硬化促進触媒を含む樹脂組成物
    • 含有指定硬化加速催化剂的树脂组合物
    • JP2015174877A
    • 2015-10-05
    • JP2014050200
    • 2014-03-13
    • 日産化学工業株式会社
    • 坂口 崇洋安達 勲
    • G02B1/04G02B3/00C08F220/34C08G18/80
    • 【課題】180℃以下で硬化可能で、優れた透明性、耐熱性、耐溶剤性、平坦性及びドライエッチング性を有する硬化膜を形成できる熱硬化性の樹脂組成物の提供。 【解決手段】(A)成分、(B)成分及び溶剤を含有する樹脂組成物。(A)成分:下記式(1)、式(2)及び式(3)で表される構造単位を有する共重合体(B)成分:1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7の有機酸塩、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]ノネン−5の有機酸塩及び四級アンモニウムの有機酸塩からなる群から選択される1種又は2種以上を含む硬化促進触媒 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种可在180℃以下硬化的热硬化性树脂组合物,其可以形成透明性,耐热性,耐溶剂性,表面平滑性和干蚀刻性优异的硬化膜。解决方案:树脂组合物包含( A)成分,(B)成分和溶剂。 (A):具有由式(1),(2)和(3)表示的结构单元的共聚物。 (B):含有1种以上选自1,8-二氮杂双环[5.4.0]十一碳烯-7的有机酸盐,1,5-二氮杂双环[4.3.0 ]壬烯-5和季铵的有机酸盐。
    • 7. 发明申请
    • ポリアミド酸を含む下層反射防止膜形成組成物
    • 用于形成低层反射防止膜的聚酰胺酸的组合物
    • WO2006027950A1
    • 2006-03-16
    • PCT/JP2005/015276
    • 2005-08-23
    • 日産化学工業株式会社畑中 真坂口 崇洋榎本 智之木村 茂雄
    • 畑中 真坂口 崇洋榎本 智之木村 茂雄
    • G03F7/11
    • G03F7/091
    • 【課題】  半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストの現像に使用されるアルカリ性現像液で現像可能な下層反射防止膜を形成するための下層射防止膜形成組成物、及びその下層反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。 【解決手段】  ポリアミド酸、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物、波長365nmの光に対するモル吸光係数が5000~100000(l/mol・cm)である吸光性化合物、及び溶剤を含む下層反射防止膜形成組成物。                                                                         
    • 本发明提供一种下层反射防止膜形成用组合物,其用于半导体器件制造的光刻工艺中,用于形成可由用于光致抗蚀剂显影的碱性显影剂显影的下层反射防止膜,以及 提供使用下层防反射膜形成组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。 解决问题的手段下层防反射膜组合物包括聚酰胺酸,具有至少两个环氧基的化合物,摩尔光吸收系数为5,000-100,000(1 / mol·cm)的光吸收化合物与 波长365nm的光和溶剂。