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    • 5. 发明专利
    • Negative resist composition and method for forming pattern using the same
    • 负极性组合物和使用其形成图案的方法
    • JP2009237378A
    • 2009-10-15
    • JP2008084981
    • 2008-03-27
    • Fujifilm Corp富士フイルム株式会社
    • HOSHINO WATARUTARUYA SHINJIYOSHITOME MASAHIRO
    • G03F7/038C08F220/26H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a negative resist composition exhibiting excellent sensitivity, pattern profile and defocus latitude, and to provide a method for forming a pattern. SOLUTION: The negative resist composition contains (A) an alkali-soluble resin having a repeating unit (a1), containing an alkali-soluble group in organic groups having a sulfonamide structure, organic groups having sulfonimide structure, organic groups having a dicarbonylmethylene structure and organic groups having a naphthol structure, and (a2) a repeating unit having an epoxy structure; (B) a compound having two or more epoxy structures in the molecule; and (C) a photo-acid generator. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:提供显示出优异的灵敏度,图案形状和散焦纬度的负光刻胶组合物,并提供形成图案的方法。 < P>解决方案:负光刻胶组合物含有(A)具有重复单元(a1)的碱溶性树脂,其具有磺酰胺结构的有机基团中含有碱溶性基团,具有磺酰亚胺结构的有机基团,具有磺酰亚胺结构的有机基团 二羰基亚甲基结构和具有萘酚结构的有机基团,和(a2)具有环氧结构的重复单元; (B)分子中具有两个以上环氧结构的化合物; 和(C)光酸产生剂。 版权所有(C)2010,JPO&INPIT
    • 7. 发明专利
    • Surface treating agent for pattern formation and pattern forming method using the surface-treating agent
    • 用于表面处理剂的图案形成和图案形成方法的表面处理剂
    • JP2009042749A
    • 2009-02-26
    • JP2008181838
    • 2008-07-11
    • Fujifilm Corp富士フイルム株式会社
    • YOSHITOME MASAHIRO
    • G03F7/40H01L21/027
    • PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface treating agent for a freezing process for performing the chemical treatment for a first resist pattern to satisfy the requirements that the first resist pattern is not dissolved in a second resist solution, the dimensions of the first resist pattern do not change, and the first resist pattern and the second resist pattern have the same dry etching resistance, in the freezing process in which after the first resist pattern is formed, in order to form a second resist pattern by forming the second resist film on the first resist pattern, chemical treatment is performed for the first resist pattern to thereby change the property of the first resist pattern not to dissolve in a second resist solution, and to provide a pattern forming method using it. SOLUTION: The surface treating agent for pattern formation contains a specified compound having an amino group and an aromatic ring, and the pattern forming method uses the surface treating agent. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
    • 要解决的问题:为了提供用于进行第一抗蚀剂图案的化学处理以满足第一抗蚀剂图案不溶解在第二抗蚀剂溶液中的要求的用于冷冻处理的表面处理剂, 第一抗蚀剂图案不改变,并且第一抗蚀剂图案和第二抗蚀剂图案在形成第一抗蚀剂图案之后的冷冻处理中具有相同的耐干蚀刻性,以便通过形成第二抗蚀剂图案形成第二抗蚀剂图案 在第一抗蚀剂图案上的抗蚀剂膜,对第一抗蚀剂图案进行化学处理,从而改变不溶解在第二抗蚀剂溶液中的第一抗蚀剂图案的性质,并提供使用它的图案形成方法。 解决方案:用于图案形成的表面处理剂含有具有氨基和芳香环的特定化合物,并且图案形成方法使用表面处理剂。 版权所有(C)2009,JPO&INPIT
    • 8. 发明专利
    • パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス
    • 图案形成方法,丙烯酸敏感或辐射敏感性树脂组合物,丙烯酸敏感或辐射敏感膜,制造电子器件的方法和电子器件
    • JP2014235179A
    • 2014-12-15
    • JP2013114502
    • 2013-05-30
    • 富士フイルム株式会社Fujifilm Corp
    • FURUYA SOGOTO AKIYOSHISHIRAKAWA MICHIHIROYOSHITOME MASAHIRO
    • G03F7/004G03F7/038G03F7/039H01L21/027
    • G03F7/325G03F7/0045G03F7/0046G03F7/0397G03F7/11G03F7/2041G03F7/322
    • 【課題】線幅バラツキ(LWR)が小さく、更には膜べりが低減されたパターンを形成できるパターン形成方法、この方法に好適に用い得る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物及び感活性光線性又は感放射線性膜を提供すること。また、このパターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供すること。【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する樹脂、溶剤、及び、前記樹脂中の極性基とイオン結合を形成する成分を発生する化合物を含む感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、前記感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び、有機溶剤を含む現像液を用いて露光した前記感活性光線性又は感放射線性膜を現像し、ネガ型パターンを形成する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。【選択図】なし
    • 要解决的问题:为了提供一种图案形成方法,通过该图案形成方法可以以较小的线宽波动范围(LWR)和较小的膜还原程度形成图案,以提供光化学敏感或辐射敏感树脂 组合物和适用于上述方法的光化射线敏感或辐射敏感膜,以及提供一种包括上述图案形成方法的电子器件的制造方法和电子器件。解决方案:图案形成方法包括以下步骤: :通过在基材上施加光化射线敏感或辐射敏感性树脂组合物,形成光化射线敏感或辐射敏感膜,其包含通过酸,溶剂的作用显示出与有机溶剂的溶解度降低的树脂 和在树脂中产生与极性基团形成离子键的成分的化合物; 暴露光化射线敏感或辐射敏感膜; 以及通过使用包含有机溶剂的显影剂显影曝光的光化射线敏感或辐射敏感膜以形成负型图案。