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1. 发明专利

TWI459502B 試料台及微波電漿處理裝置有权
简体标题：试料台及微波等离子处理设备
公开(公告)号：TWI459502B
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW099135496
申请日：2010-10-19
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：吉川彌 , YOSHIKAWA, WATARU , 茂山和基 , MOYAMA, KAZUKI , 岡山信幸 , OKAYAMA, NOBUYUKI , 周藤賢治 , SUDOU, KENJI , 大塚康弘 , OTSUKA, YASUHIRO
IPC分类号： H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/6875

2. 发明专利

TW201006955A 噴氣環、半導體基板處理裝置及半導體基板處理方法审中-公开
简体标题：喷气环、半导体基板处理设备及半导体基板处理方法
公开(公告)号：TW201006955A
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：TW098119629
申请日：2009-06-12
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：上田博一 , 田中義伸 , 大塚康弘 , 中橋政信
IPC分类号： C23C , H01L
CPC分类号： C23C16/4558
摘要：本發明係提供一種可使得氣體自各氣體噴出口均勻噴出的噴氣環，其中噴氣環為環狀，並具有自外部將氣體導入至噴氣環內的氣體導入口、將自氣體導入口所導入之氣體噴出的複數個氣體噴出口、以及沿著自氣體導入口處到各氣體噴出口之間環狀延伸的複數個分叉路徑。其中，自各氣體噴出口處到成為各分叉路徑之分叉點的中央部之間的距離係分別相等的。
简体摘要：本发明系提供一种可使得气体自各气体喷出口均匀喷出的喷气环，其中喷气环为环状，并具有自外部将气体导入至喷气环内的气体导入口、将自气体导入口所导入之气体喷出的复数个气体喷出口、以及沿着自气体导入口处到各气体喷出口之间环状延伸的复数个分叉路径。其中，自各气体喷出口处到成为各分叉路径之分叉点的中央部之间的距离系分别相等的。

3. 发明专利

TW201308423A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201308423A
公开(公告)日：2013-02-16
申请号：TW101123881
申请日：2012-07-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 大塚康弘 , OTSUKA, YASUHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/31116
摘要：本發明提供一種可抑制附著物的產生之電漿處理裝置。本發明之一實施形態的電漿處理裝置具備：處理容器、氣體供給部、導入部、固持構件、及對焦環。在以處理容器所區畫出之處理空間中，藉由自導入部導入之能量，產生由氣體供給部供給的處理氣體之電漿。於此一處理空間配置對焦環，該對焦環係以包圍用於固持被處理基體之固持構件、以及該固持構件之端面的方式設置。於固持構件之端面與對焦環之間，區畫350μm以下的間隙。
简体摘要：本发明提供一种可抑制附着物的产生之等离子处理设备。本发明之一实施形态的等离子处理设备具备：处理容器、气体供给部、导入部、固持构件、及对焦环。在以处理容器所区画出之处理空间中，借由自导入部导入之能量，产生由气体供给部供给的处理气体之等离子。于此一处理空间配置对焦环，该对焦环系以包围用于固持被处理基体之固持构件、以及该固持构件之端面的方式设置。于固持构件之端面与对焦环之间，区画350μm以下的间隙。

4. 发明专利

TWI517243B 電漿處理裝置有权
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TWI517243B
公开(公告)日：2016-01-11
申请号：TW101123881
申请日：2012-07-03
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本直樹 , MATSUMOTO, NAOKI , 大塚康弘 , OTSUKA, YASUHIRO
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32192 , H01L21/3065 , H01L21/31116

5. 发明专利

TW201133699A 試料台及微波電漿處理裝置审中-公开
简体标题：试料台及微波等离子处理设备
公开(公告)号：TW201133699A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099135496
申请日：2010-10-19
申请人：東京威力科創股份有限公司
发明人：吉川彌 , 茂山和基 , 岡山信幸 , 周藤賢治 , 大塚康弘
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/68735 , H01L21/6875
摘要：本發明提供一種可藉由研磨加工來保持接觸面之平滑性、並藉由將接觸面設定為大致凹形狀而可穩定保持半導體晶圓之試料台以及具備該試料台之微波電漿處理裝置。將待施行電漿處理之半導體晶圓加以保持之試料台中，係具備有：吸附板，係經施行研磨加工，具有與半導體晶圓作面接觸之接觸面，而將與該接觸面作面接觸之半導體晶圓加以吸附；以及，支持基板，係具有接著著該吸附板非接觸面之凹面。該凹面之大致中央部之深度和自該中央部隔離之隔離部位之深度的差，係比該吸附板與該中央部接觸之部位之厚度和該吸附板與該隔離部位接觸之部位之厚度的差為大。此外，將試料台設置於微波電漿處理裝置中。
简体摘要：本发明提供一种可借由研磨加工来保持接触面之平滑性、并借由将接触面设置为大致凹形状而可稳定保持半导体晶圆之试料台以及具备该试料台之微波等离子处理设备。将待施行等离子处理之半导体晶圆加以保持之试料台中，系具备有：吸附板，系经施行研磨加工，具有与半导体晶圆作面接触之接触面，而将与该接触面作面接触之半导体晶圆加以吸附；以及，支持基板，系具有接着着该吸附板非接触面之凹面。该凹面之大致中央部之深度和自该中央部隔离之隔离部位之深度的差，系比该吸附板与该中央部接触之部位之厚度和该吸附板与该隔离部位接触之部位之厚度的差为大。此外，将试料台设置于微波等离子处理设备中。

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