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1. 发明专利

TW201831723A 成膜方法、硼膜、及成膜裝置审中-公开
简体标题：成膜方法、硼膜、及成膜设备
公开(公告)号：TW201831723A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106143677
申请日：2017-12-13
申请人：日商東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 石川拓 , ISHIKAWA, HIRAKU , 渡部佳優 , WATANABE, YOSHIMASA , 米澤周平 , YONEZAWA, SYUHEI
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/38 , H01L21/314
摘要：本發明提供一種應用於半導體裝置之有用的硼膜及其成膜方法。對處理容器內的壓力已被調整為0.67Pa~33.3Pa(5mTorr~250mTorr)範圍內之處理氛圍供應包含有含硼氣體之反應氣體(B2H6氣體與He氣體)來使反應氣體電漿化。藉由該電漿而於晶圓成膜出硼膜。利用電漿的能量來成膜，藉此便可降低成膜處理時的溫度，來抑制熱的影響而成膜出硼膜。由於硼膜係蝕刻耐受性強，且具有高蝕刻選擇比，故可用來作為半導體裝置材料。
简体摘要：本发明提供一种应用于半导体设备之有用的硼膜及其成膜方法。对处理容器内的压力已被调整为0.67Pa~33.3Pa(5mTorr~250mTorr)范围内之处理氛围供应包含有含硼气体之反应气体(B2H6气体与He气体)来使反应气体等离子化。借由该等离子而于晶圆成膜出硼膜。利用等离子的能量来成膜，借此便可降低成膜处理时的温度，来抑制热的影响而成膜出硼膜。由于硼膜系蚀刻耐受性强，且具有高蚀刻选择比，故可用来作为半导体设备材料。

2. 发明专利

TWI521613B 電漿摻雜裝置及電漿摻雜方法有权
简体标题：等离子掺杂设备及等离子掺杂方法
公开(公告)号：TWI521613B
公开(公告)日：2016-02-11
申请号：TW102148103
申请日：2013-12-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 小林勇氣 , KOBAYASHI, YUUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/22
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J21/22 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/22

3. 发明专利

TW201445639A 電漿摻雜裝置及電漿摻雜方法审中-公开
简体标题：等离子掺杂设备及等离子掺杂方法
公开(公告)号：TW201445639A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW102148103
申请日：2013-12-25
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 小林勇氣 , KOBAYASHI, YUUKI
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/22
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J21/22 , H01J37/3222 , H01J37/32449 , H01J37/32972 , H01J37/3299 , H01L21/22
摘要：提供一種電漿摻雜裝置，可對被處理基板進行安定摻雜，並可提高對被處理基板之摻雜量的面內均勻性。於電漿摻雜裝置所具備之電漿產生機構包含：微波產生器，用以產生電漿激發用微波；介電質窗，使得微波產生器所產生之微波穿透至處理容器內；以及，輻線狹縫天線，設有複數狹縫，使得微波輻射至介電質窗。控制部係以下述方式進行控制：於被處理基板載置於該保持台上之狀態下，藉由氣體供給部對處理容器內供給摻雜氣體以及電漿激發用氣體，利用氣體供給部供給摻雜氣體以及電漿激發用氣體後以電漿產生機構來產生電漿而對被處理基板進行摻雜，使得被處理基板受注入之摻質濃度成為未達1×1013atoms/cm2。
简体摘要：提供一种等离子掺杂设备，可对被处理基板进行安定掺杂，并可提高对被处理基板之掺杂量的面内均匀性。于等离子掺杂设备所具备之等离子产生机构包含：微波产生器，用以产生等离子激发用微波；介电质窗，使得微波产生器所产生之微波穿透至处理容器内；以及，辐线狭缝天线，设有复数狭缝，使得微波辐射至介电质窗。控制部系以下述方式进行控制：于被处理基板载置于该保持台上之状态下，借由气体供给部对处理容器内供给掺杂气体以及等离子激发用气体，利用气体供给部供给掺杂气体以及等离子激发用气体后以等离子产生机构来产生等离子而对被处理基板进行掺杂，使得被处理基板受注入之掺质浓度成为未达1×1013atoms/cm2。

4. 发明专利

TW201306082A 電漿評估方法、電漿處理方法及電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子评估方法、等离子处理方法及等离子处理设备
公开(公告)号：TW201306082A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101113584
申请日：2012-04-17
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：辛川孝行 , KARAKAWA, TAKAYUKI , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/52 , C23C16/511 , H01L21/205
CPC分类号： G01J3/443 , C23C16/34 , C23C16/45536 , C23C16/50 , C23C16/52 , G01J2003/4435 , H01J37/32972 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31111
摘要：本發明關於一種電漿評估方法、電漿處理方法及電漿處理裝置，該電漿評估方法係在原子層沉積法中評估用來形成氮化膜的電漿。首先，檢測來自含有氮原子及氫原子之氣體所生成之電漿的發光。接著，使用將所檢測之發光強度的光頻譜中氫原子造成的第1尖峰與相異於第1尖峰之氫原子造成的第2尖峰之強度比，與預先從強度比與表示氮化膜膜質之指標的關係所計算出之基準值相比較後的結果，來進行電漿的評估。
简体摘要：本发明关于一种等离子评估方法、等离子处理方法及等离子处理设备，该等离子评估方法系在原子层沉积法中评估用来形成氮化膜的等离子。首先，检测来自含有氮原子及氢原子之气体所生成之等离子的发光。接着，使用将所检测之发光强度的光频谱中氢原子造成的第1尖峰与相异于第1尖峰之氢原子造成的第2尖峰之强度比，与预先从强度比与表示氮化膜膜质之指针的关系所计算出之基准值相比较后的结果，来进行等离子的评估。

5. 发明专利

TW201305380A 成膜方法审中-公开
公开(公告)号：TW201305380A
公开(公告)日：2013-02-01
申请号：TW101114451
申请日：2012-04-24
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：田中宏治 , TANAKA, KOUJI , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/54
CPC分类号： H01L21/316 , C23C16/345 , C23C16/4554 , C23C16/511 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/318
摘要：本發明之成膜方法包含以下工序：第一原料氣體供應工序(A)，係對被處理基板上供應第一原料氣體，來使第一原料氣體吸附在被處理基板上而形成第一化學吸附層；第二原料氣體供應工序(C)，係對形成有第一化學吸附層之被處理基板上供應相異於第一原料氣體之第二原料氣體，來使第二原料氣體吸附在第一化學吸附層上而形成第二化學吸附層；以及電漿處理工序(E)，係使用微波電漿來至少對第一及第二化學吸附層進行電漿處理。
简体摘要：本发明之成膜方法包含以下工序：第一原料气体供应工序(A)，系对被处理基板上供应第一原料气体，来使第一原料气体吸附在被处理基板上而形成第一化学吸附层；第二原料气体供应工序(C)，系对形成有第一化学吸附层之被处理基板上供应相异于第一原料气体之第二原料气体，来使第二原料气体吸附在第一化学吸附层上而形成第二化学吸附层；以及等离子处理工序(E)，系使用微波等离子来至少对第一及第二化学吸附层进行等离子处理。

6. 发明专利

TW201419386A 電漿摻雜裝置、電漿摻雜方法及半導體元件之製造方法审中-公开
简体标题：等离子掺杂设备、等离子掺杂方法及半导体组件之制造方法
公开(公告)号：TW201419386A
公开(公告)日：2014-05-16
申请号：TW102135469
申请日：2013-10-01
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 小林勇氣 , KOBAYASHI, YUUKI , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO
IPC分类号： H01L21/223 , H01J37/32
CPC分类号： H01L21/22 , H01L21/2236 , H01L21/67011 , H01L21/67109 , H01L21/6831 , H01L29/66803
摘要：提供一種電漿摻雜裝置，係對進行摻雜前之形狀，不會使得進行摻雜後之形狀有大幅變化，且可進行具有良好成膜性(conformality)之電漿摻雜，即便在之後的洗淨工序中，因摻雜所植入之摻雜物仍幾乎不會脫離。電漿摻雜裝置所具備之控制部會以處理容器內之壓力為第一壓力之方式控制壓力調整機構，以供給至保持台之偏壓電力為第一偏壓電力之方式控制偏壓電力供給機構，藉由電漿產生機構所產生之電漿在被處理基板進行第一電漿處理，在第一電漿處理後，以處理容器內之壓力會高於第一壓力而成為第二壓力之方式控制壓力調整機構，以供給至保持台之偏壓電力會較第一偏壓電力低而成為第二偏壓電力之方式控制偏壓電力供給機構，藉由電漿產生機構所產生之電漿在被處理基板進行第二電漿處理。
简体摘要：提供一种等离子掺杂设备，系对进行掺杂前之形状，不会使得进行掺杂后之形状有大幅变化，且可进行具有良好成膜性(conformality)之等离子掺杂，即便在之后的洗净工序中，因掺杂所植入之掺杂物仍几乎不会脱离。等离子掺杂设备所具备之控制部会以处理容器内之压力为第一压力之方式控制压力调整机构，以供给至保持台之偏压电力为第一偏压电力之方式控制偏压电力供给机构，借由等离子产生机构所产生之等离子在被处理基板进行第一等离子处理，在第一等离子处理后，以处理容器内之压力会高于第一压力而成为第二压力之方式控制压力调整机构，以供给至保持台之偏压电力会较第一偏压电力低而成为第二偏压电力之方式控制偏压电力供给机构，借由等离子产生机构所产生之等离子在被处理基板进行第二等离子处理。

7. 发明专利

TWI428980B 半導體裝置之製造方法及電漿化學氣相沉積處理方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法及等离子化学气相沉积处理方法
公开(公告)号：TWI428980B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW097130369
申请日：2008-08-08
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED , 國立大學法人東北大學 , NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION TOHOKU UNIVERSITY
发明人：上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 松岡孝明 , MATSUOKA, TAKAAKI , 寺本章伸 , TERAMOTO, AKINOBU , 大見忠弘 , OHMI, TADAHIRO
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01L21/02274 , H01L21/31055 , H01L21/31116

8. 发明专利

TW201407669A 向被處理體注入摻雜物之方法以及電漿摻雜裝置审中-公开
简体标题：向被处理体注入掺杂物之方法以及等离子掺杂设备
公开(公告)号：TW201407669A
公开(公告)日：2014-02-16
申请号：TW102115341
申请日：2013-04-30
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：堀込正弘 , HORIGOME, MASAHIRO , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU , 岡正浩 , OKA, MASAHIRO , 山崎政宏 , YAMAZAKI, MASAHIRO , 根本剛直 , NEMOTO, TAKENAO
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/265
CPC分类号： H01L21/2236 , H01J37/32192 , H01J37/32412 , H01J37/32449 , H01J2237/31705 , H01J2237/3365 , H01L21/2225
摘要：本發明提供一種於被處理基體植入摻雜物之方法。一實施型態之方法包含以下工序：(a)於處理容器內準備被處理基體之工序；(b)對處理容器內供應含有AsH3之摻雜氣體、非活性氣體、及H2氣體，且對該處理容器內賦予電漿激發能量，而於被處理基體植入摻雜物之工序。植入摻雜物之工序中，處理容器內之氫的分壓相對於氣體的全壓之比設定為0.0015以上0.003以下。
简体摘要：本发明提供一种于被处理基体植入掺杂物之方法。一实施型态之方法包含以下工序：(a)于处理容器内准备被处理基体之工序；(b)对处理容器内供应含有AsH3之掺杂气体、非活性气体、及H2气体，且对该处理容器内赋予等离子激发能量，而于被处理基体植入掺杂物之工序。植入掺杂物之工序中，处理容器内之氢的分压相对于气体的全压之比设置为0.0015以上0.003以下。

9. 发明专利

TW201405634A 成膜方法、成膜裝置及成膜系統审中-公开
简体标题：成膜方法、成膜设备及成膜系统
公开(公告)号：TW201405634A
公开(公告)日：2014-02-01
申请号：TW102114365
申请日：2013-04-23
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：野澤俊久 , NOZAWA, TOSHIHISA , 上田博一 , UEDA, HIROKAZU
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/513
CPC分类号： C23C16/44 , C23C16/4554 , C23C16/45551 , C23C16/511 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/2236 , H01L21/324 , H01L29/42392 , H01L29/66795 , H01L29/78696
摘要：本發明之一實施形態的成膜方法係包含下述工程：(a)對其內部配置有被處理基體之處理容器內供給半導體材料之第1前驅物氣體的工程，使第1前驅物氣體吸附於被處理基體；(b)對處理容器內供給摻雜物材料之第2前驅物氣體的工程，使第2前驅物氣體吸附於被處理基體；以及(c)在處理容器內產生反應氣體電漿的工程，實施電漿處理以針對吸附於被處理基體之層進行改質。
简体摘要：本发明之一实施形态的成膜方法系包含下述工程：(a)对其内部配置有被处理基体之处理容器内供给半导体材料之第1前驱物气体的工程，使第1前驱物气体吸附于被处理基体；(b)对处理容器内供给掺杂物材料之第2前驱物气体的工程，使第2前驱物气体吸附于被处理基体；以及(c)在处理容器内产生反应气体等离子的工程，实施等离子处理以针对吸附于被处理基体之层进行改质。

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