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1. 发明申请

WO2009066670A1 白色ＬＥＤ装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：白色LED装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009066670A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/JP2008/070957
申请日：2008-11-18
申请人：株式会社ナノテコ , 森崎弘 , 杉山智之 , 内田和男 , 野崎真次
发明人：森崎弘 , 杉山智之 , 内田和男 , 野崎真次
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/56 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　白色ＬＥＤ発光装置は、凹部を有する容器と、前記凹部の底に実装された、青色系ＬＥＤチップと、前記凹部に充填され、前記青色系ＬＥＤチップを包囲する、絶縁性液体またはゾルの層と、前記容器上部に設けられ、前記絶縁性液体またはゾルの層を、前記絶縁性液体またはゾルの層の表面に連続的に接して封止する透明樹脂層と、を含み、前記透明樹脂層中に蛍光体が分散されている。
摘要翻译：公开了一种白色LED装置，其包括具有凹部的容器，安装在凹部的底部的蓝色LED芯片，填充到凹部中以包围蓝色LED芯片的绝缘液体或溶胶层，以及透明树脂层布置在容器的顶部上，以使透明树脂层与绝缘液体或溶胶层的表面连续地接触的方式密封绝缘液体或溶胶层。在该白色LED装置中，荧光体分散在透明树脂层中。

2. 发明申请

WO2006035663A1 ＳｉＯｘ粒子の製造方法审中-公开
标题翻译：生产SiOx颗粒的方法
公开(公告)号：WO2006035663A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/JP2005/017466
申请日：2005-09-22
申请人：国立大学法人電気通信大学 , 電気化学工業株式会社 , 野崎真次 , 内田和男 , 森崎弘 , 川崎卓 , 伊吹山正浩
发明人：野崎真次 , 内田和男 , 森崎弘 , 川崎卓 , 伊吹山正浩
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/113
CPC分类号： C01B33/113 , B82Y30/00 , C01P2004/64 , C09C1/30 , C09C1/3009 , C09K11/592
摘要： A process for producing SiOx particles having crystalline silicon incorporated therein; SiOx powder obtained by the process; a molding thereof; and obtained from the molding, a semiconductor element and luminescent element. Crystalline silicon particles of nanometer order usable as a semiconductor element are provided by a process for producing SiOx particles characterized in that SiOx (wherein x is = 0.5 but
摘要翻译：一种生产结晶硅的SiOx颗粒的方法; 通过该方法得到的SiOx粉末; 其模制品; 并从成型得到半导体元件和发光元件。可以用作半导体元件的纳米级晶体硅颗粒通过生产SiO x颗粒的方法提供，其特征在于其中结合有其中具有0.5至5nm直径的非晶硅颗粒的SiO x（其中x = 0.5但<2.0））暴露于光，优选为激光束，从而获得其中结合了具有1至10nm直径的晶体硅颗粒的SiO x（其中x = 0.5但<2.0）的颗粒。该产品可用于各种用途，作为发光元件，电子元件等的新型功能材料，因此在工业上非常有用。

3. 发明申请

WO2006049146A1 発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2006049146A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/020066
申请日：2005-11-01
申请人：国立大学法人電気通信大学 , 電気化学工業株式会社 , 株式会社ナノテコ , 内田和男 , 野崎真次 , 森崎弘 , 今村保男 , 加藤修一
发明人：内田和男 , 野崎真次 , 森崎弘 , 今村保男 , 加藤修一
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/08 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2924/00014
摘要：　本発明は、蛍光体を用いて波長変換を行う発光素子の発光効率の向上と小型化とを実現するためのものである。本発明による発光素子は，第１光を発生する半導体活性領域と，第１光によって励起されて前記第１光と異なる波長を有する第２光を発生する蛍光体を含む透明導電層とを具備する。
摘要翻译：一种使用荧光体进行波长转换的发光器件，其中发光效率在减小尺寸的同时被增强。发光装置包括发射第一光的半导体有源区和包含被第一光激发的荧光体的透明导电层，并且发射具有与第一光不同的波长的第二光。

4. 发明申请

WO2004068661A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2004068661A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2003/015579
申请日：2003-12-05
申请人：信越半導体株式会社 , 石崎順也 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：石崎順也 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01L33/42
摘要：発光素子１００は、Ａｌを含有した化合物半導体層４，５，６からなる発光層部２４と、該発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層８，１０とを有し、発光層部２４からの光を、酸化物透明電極層８，１０を透過させる形で取り出す。そして、発光層部２４と酸化物透明電極層８，１０との間に、発光層部２４のＡｌ酸化を抑制するための酸化物保護層７，９が介挿形成されてなる。これにより、発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、発光層部側のＡｌ酸化に伴う発光効率あるいは光取出効率の低下を効果的に防止できる発光素子を提供する。
摘要翻译：发光装置（100）包括由含Al化合物半导体层（4,5,6）构成的发光层部分（24）和用于施加发光驱动电压的氧化物透明电极层（8,10）发光层部分（24）。来自发光层部分（24）的光从氧化物透明电极层（8,10）中取出。在发光层部分（24）和氧化物透明电极层（8,10）之间分别插入氧化物保护层（7,9），用于抑制发光层部分（24）中的Al的氧化。因此，可以获得发光装置，其中氧化物透明电极层用作发光驱动的电极，发光效率的劣化或由于发光层中的Al的氧化引起的取光效率可以有效地防止部分。

5. 发明申请

WO2004015785A1 発光素子の製造方法及び発光素子审中-公开
标题翻译：制造发光装置和发光装置的方法
公开(公告)号：WO2004015785A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/JP2003/009979
申请日：2003-08-06
申请人：信越半導体株式会社 , 株式会社ナノテコ , 能登宣彦 , 山田雅人 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：能登宣彦 , 山田雅人 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/30
摘要：　発光素子１００は、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するためのＩＴＯ透明電極層８，１０を有し、発光層部２４からの光が、該ＩＴＯ透明電極層８，１０を透過させる形で取り出される。また、発光層部２４とＩＴＯ透明電極層８，１０との間に、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層が、該ＩＴＯ透明電極層と接する形にて形成される。該コンタクト層７，９は、発光層部上にＧａＡｓ層７'，９'を形成し、そのＧａＡｓ層７'，９'と接するようにＩＴＯ透明電極層８，１０を形成した積層体１３を熱処理することにより、ＩＴＯ透明電極層８，１０からＧａＡｓ層７'，９'にＩｎを拡散させて形成する。これにより、発光駆動用の電極としてＩＴＯ透明電極層をコンタクト層を介して接合し、該電極の接触抵抗を低減するとともに、コンタクト層形成に際して発光層部との格子定数差の影響も受けにくい発光素子の製造方法を提供する。
摘要翻译：发光装置（100）具有用于向发光层部分（24）施加发光驱动电压的透明ITO电极层（8,10）。通过透明ITO电极层（8,10）取出来自发光层部分（24）的光。以含有接触层与ITO透明电极层接触的方式，在发光层部分（24）和透明ITO电极层（8,10）之间形成由含In GaAs构成的接触层。接触层（7,9）通过热处理通过在发光层部分上设置GaAs层（7'，9'）而形成的多层体（13）而形成，然后在其上设置透明ITO电极层将GaAs层（7'，9'）从透明ITO电极层（8,10）扩散到GaAs层（7'，9'）中。因此，公开了一种发光装置的制造方法，其中透明ITO电极层通过接触层连接到发光层部分作为发射驱动电极; 电极的接触电阻降低; 并且接触层的形成几乎不受与发光层部分的晶格常数差的影响。

6. 发明申请

WO2002061855A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2002061855A1
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：PCT/JP2002/000633
申请日：2002-01-29
申请人：信越半導体株式会社 , 株式会社ナノテコ , 能登宣彦 , 山田雅人 , 遠藤正久 , 池田均 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：能登宣彦 , 山田雅人 , 遠藤正久 , 池田均 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0079
摘要： A light emitting device (100) has a p-type GaAs layer (7) as an electrode junction layer and an ITO electrode layer (8) as an oxide transparent electrode layer formed on the side of a first main surface (17) of a light emitting layer section (24) in this order. This device has an n-type GaAs layer (9) as an electrode junction layer and an ITO electrode layer (10) as an oxide transparent electrode layer formed on the side of a second main surface (18) of the light emitting layer section (24) in this order. The ITO electrode layers (8, 10) are so formed as to cover the entire surfaces of both the main surfaces (17, 18) of the light emitting layer section (24) together with the p-type GaAs layer (7) and the n-type GaAs layer (9).
摘要翻译：发光器件（100）具有作为电极接合层的p型GaAs层（7）和形成在第一主表面（17）侧的氧化物透明电极层的ITO电极层（8）发光层部分（24）。该器件具有作为电极接合层的n型GaAs层（9）和形成在发光层部分的第二主表面（18）侧的作为氧化物透明电极层的ITO电极层（10） 24）。 ITO电极层（8,10）形成为与p型GaAs层（7）一起覆盖发光层部分（24）的两个主表面（17,18）的整个表面，并且 n型GaAs层（9）。

7. 发明申请

WO2008041299A1 排ガス中の二酸化炭素を回収する二酸化炭素回収方法及び装置审中-公开
标题翻译：从排气中回收二氧化碳的方法及其设备
公开(公告)号：WO2008041299A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2006/319571
申请日：2006-09-29
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 三井造船株式会社 , 山本佳孝 , 川村太郎 , 内田和男 , 神田肇 , 田中進 , 高野宰
发明人：山本佳孝 , 川村太郎 , 内田和男 , 神田肇 , 田中進 , 高野宰
IPC分类号： B01D53/62 , B01J19/00
CPC分类号： B01D53/62 , B01D53/79 , B01D2257/504 , Y02C10/04
摘要：　排ガスを液化天然ガスの冷熱を利用して所定の温度に冷却する工程と、前記液化天然ガスの冷熱を利用して所定の温度に冷却された微細氷生成器内に水を噴霧して微細氷を生成する工程と、前記微細氷と冷却後の排ガスとをガスハイドレート生成器に導入し、該ガスハイドレート生成器内で前記微細氷と排ガス中の二酸化炭素とを反応させて二酸化炭素ハイドレートを生成する工程とから成る。
摘要翻译：一种方法，包括以下步骤：使用液化天然气的冷却将废气冷却至给定温度; 用冷却的液化天然气将水冷却到一定温度的细冰产生单元，从而产生细冰; 并将细冰和冷却的废气引入气体水合物生产单元中，以使废气中的细冰和二氧化碳在气体水合物生产单元中彼此反应，由此生成二氧化碳水合物。

8. 发明申请

WO2009123152A1 ガスハイドレートの製造方法及び製造装置审中-公开
标题翻译：生产水合物的工艺和装置
公开(公告)号：WO2009123152A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2009/056568
申请日：2009-03-30
申请人：三井造船株式会社 , 村山哲郎 , 内田和男
发明人：村山哲郎 , 内田和男
IPC分类号： C10L3/06 , C07C9/04
CPC分类号： C10L3/10 , C09K5/042 , C10L3/108 , F17C11/007
摘要：　メタンガスやプロパンガスなどの天然ガスやそれらの混合ガスなどを原料水と気液接触させてガスハイドレートを生成し、このガスハイドレートを圧縮成型してペレット体とし、このペレット体を冷却・脱圧する方法とその装置を提供する。　成型された加圧状態のガスハイドレート団塊状体ｈ３を冷却して後流側の圧力にまで減圧する冷却脱圧工程４であって、前記冷却脱圧工程４は、前記成形工程３で得られたガスハイドレート団塊状体ｈ３を収容する受入室１５が設けられ、この受入室１５を介して前記団塊状体ｈ３を後流側の圧力にまで減圧するように構成されており、前記受入室１５に充填された液状冷媒ｒの中に前記団塊状体ｈ３を投入して浸漬し、液状冷媒ｒとの固・液接触によりその団塊状体ｈ３を冷却する。
摘要翻译：提供了一种方法，其包括：使诸如天然气的气体，例如甲烷气体或丙烷气体，或这些气体的混合物与液体形式的原料水接触以产生气体水合物; 将气体水合物压缩成粒料; 并使颗粒冷却/减压。还提供了一种用于该方法的装置。该装置包括冷却/减压步骤（4），其中加压状态的模制气体水合物质量（h3）被冷却并降压至下游侧压力。冷却/减压步骤（4）包括容纳在模制步骤（3）中获得的气体水合物质量（h3）的接收室（15）。该装置已经构成使得质量（h3）在通过容纳室（15）的同时被减压到下游侧的压力。将质量（h3）引入并浸入装在接收室（15）中的液体制冷剂（r）中，从而通过固/液接触即与液体制冷剂（r）接触来冷却质量块（h3）。

9. 发明申请

WO2008114429A1 天然ガス水和物の移送方法とその装置审中-公开
标题翻译：用于运输天然气水合物的方法和装置
公开(公告)号：WO2008114429A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2007/055714
申请日：2007-03-20
申请人：三井造船株式会社 , 村山哲郎 , 堀口清司 , 内田和男
发明人：村山哲郎 , 堀口清司 , 内田和男
IPC分类号： F17C11/00 , C07C7/20 , C07C9/04 , C10L3/06
CPC分类号： F17C11/007 , C10L3/10 , C10L3/108
摘要：　高圧下にあるＮＧＨを常圧下に移送する方法と装置を提供する。　高圧下において水と天然ガスを反応させて製造された天然ガスハイドレート（以下、ＮＧＨ）をスクリュー式移送装置によって常圧下に移送する方法において、スクリュー式移送装置１は、一端にＮＧＨの供給口１２を配設したバレル１０と、このバレル１０内に支持されているスクリュー軸１１とからなるスクリュー式移送装置であって、前記バレル１０の終端あるいは終端に続く部分に吐出口１３を開口した閉止壁体体３０が設けられ、更に、前記スクリュー軸１１の先端部と前記閉止壁体体３０との間に、所定の容量を有する加圧室２が形成されており、弁装置１６を開閉操作することによって前記加圧室２内のＮＧＨを一時的に滞留させることによって、前記スクリュー式移送装置１を経由して移送する間に供給側の高圧を保持しながら低圧の帯域側にＮＧＨを放出するように構成した。
摘要翻译：在高压下将NGH运送到常压的地方的方法和装置。在通过螺旋输送装置在高压下通过水与天然气反应制造的天然气水合物（以下称为NGH）的方法中，螺杆供给装置（1）包括筒 10），其一端具有NGH供应口（12）和支撑在筒体（10）内的螺杆轴（11）。其中排出口（13）打开的封闭壁体（30）安装在筒体（10）的端部处或其连续设置在筒体端部的部分。在螺杆轴（11）的前端与闭合壁体（30）之间形成有预定容量的加压室（2）。当加压室（2）中的NGH通过打开和关闭阀装置（16）而暂时停滞时，NGH可以释放到低压区侧，而在NGH通过传送期间维持供给侧的高压螺杆进给装置（1）。

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