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1. 发明申请

WO2006035663A1 ＳｉＯｘ粒子の製造方法审中-公开
标题翻译：生产SiOx颗粒的方法
公开(公告)号：WO2006035663A1
公开(公告)日：2006-04-06
申请号：PCT/JP2005/017466
申请日：2005-09-22
申请人：国立大学法人電気通信大学 , 電気化学工業株式会社 , 野崎真次 , 内田和男 , 森崎弘 , 川崎卓 , 伊吹山正浩
发明人：野崎真次 , 内田和男 , 森崎弘 , 川崎卓 , 伊吹山正浩
IPC分类号： C01B33/18 , C01B33/113
CPC分类号： C01B33/113 , B82Y30/00 , C01P2004/64 , C09C1/30 , C09C1/3009 , C09K11/592
摘要： A process for producing SiOx particles having crystalline silicon incorporated therein; SiOx powder obtained by the process; a molding thereof; and obtained from the molding, a semiconductor element and luminescent element. Crystalline silicon particles of nanometer order usable as a semiconductor element are provided by a process for producing SiOx particles characterized in that SiOx (wherein x is = 0.5 but
摘要翻译：一种生产结晶硅的SiOx颗粒的方法; 通过该方法得到的SiOx粉末; 其模制品; 并从成型得到半导体元件和发光元件。可以用作半导体元件的纳米级晶体硅颗粒通过生产SiO x颗粒的方法提供，其特征在于其中结合有其中具有0.5至5nm直径的非晶硅颗粒的SiO x（其中x = 0.5但<2.0））暴露于光，优选为激光束，从而获得其中结合了具有1至10nm直径的晶体硅颗粒的SiO x（其中x = 0.5但<2.0）的颗粒。该产品可用于各种用途，作为发光元件，电子元件等的新型功能材料，因此在工业上非常有用。

2. 发明申请

WO2009066670A1 白色ＬＥＤ装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：白色LED装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2009066670A1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：PCT/JP2008/070957
申请日：2008-11-18
申请人：株式会社ナノテコ , 森崎弘 , 杉山智之 , 内田和男 , 野崎真次
发明人：森崎弘 , 杉山智之 , 内田和男 , 野崎真次
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/56 , H01L33/486 , H01L33/50 , H01L33/54 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　白色ＬＥＤ発光装置は、凹部を有する容器と、前記凹部の底に実装された、青色系ＬＥＤチップと、前記凹部に充填され、前記青色系ＬＥＤチップを包囲する、絶縁性液体またはゾルの層と、前記容器上部に設けられ、前記絶縁性液体またはゾルの層を、前記絶縁性液体またはゾルの層の表面に連続的に接して封止する透明樹脂層と、を含み、前記透明樹脂層中に蛍光体が分散されている。
摘要翻译：公开了一种白色LED装置，其包括具有凹部的容器，安装在凹部的底部的蓝色LED芯片，填充到凹部中以包围蓝色LED芯片的绝缘液体或溶胶层，以及透明树脂层布置在容器的顶部上，以使透明树脂层与绝缘液体或溶胶层的表面连续地接触的方式密封绝缘液体或溶胶层。在该白色LED装置中，荧光体分散在透明树脂层中。

3. 发明申请

WO2006049146A1 発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：发光装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2006049146A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/020066
申请日：2005-11-01
申请人：国立大学法人電気通信大学 , 電気化学工業株式会社 , 株式会社ナノテコ , 内田和男 , 野崎真次 , 森崎弘 , 今村保男 , 加藤修一
发明人：内田和男 , 野崎真次 , 森崎弘 , 今村保男 , 加藤修一
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/50 , H01L33/08 , H01L33/42 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48463 , H01L2924/00014
摘要：　本発明は、蛍光体を用いて波長変換を行う発光素子の発光効率の向上と小型化とを実現するためのものである。本発明による発光素子は，第１光を発生する半導体活性領域と，第１光によって励起されて前記第１光と異なる波長を有する第２光を発生する蛍光体を含む透明導電層とを具備する。
摘要翻译：一种使用荧光体进行波长转换的发光器件，其中发光效率在减小尺寸的同时被增强。发光装置包括发射第一光的半导体有源区和包含被第一光激发的荧光体的透明导电层，并且发射具有与第一光不同的波长的第二光。

4. 发明申请

WO2002061855A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2002061855A1
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：PCT/JP2002/000633
申请日：2002-01-29
申请人：信越半導体株式会社 , 株式会社ナノテコ , 能登宣彦 , 山田雅人 , 遠藤正久 , 池田均 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：能登宣彦 , 山田雅人 , 遠藤正久 , 池田均 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0079
摘要： A light emitting device (100) has a p-type GaAs layer (7) as an electrode junction layer and an ITO electrode layer (8) as an oxide transparent electrode layer formed on the side of a first main surface (17) of a light emitting layer section (24) in this order. This device has an n-type GaAs layer (9) as an electrode junction layer and an ITO electrode layer (10) as an oxide transparent electrode layer formed on the side of a second main surface (18) of the light emitting layer section (24) in this order. The ITO electrode layers (8, 10) are so formed as to cover the entire surfaces of both the main surfaces (17, 18) of the light emitting layer section (24) together with the p-type GaAs layer (7) and the n-type GaAs layer (9).
摘要翻译：发光器件（100）具有作为电极接合层的p型GaAs层（7）和形成在第一主表面（17）侧的氧化物透明电极层的ITO电极层（8）发光层部分（24）。该器件具有作为电极接合层的n型GaAs层（9）和形成在发光层部分的第二主表面（18）侧的作为氧化物透明电极层的ITO电极层（10） 24）。 ITO电极层（8,10）形成为与p型GaAs层（7）一起覆盖发光层部分（24）的两个主表面（17,18）的整个表面，并且 n型GaAs层（9）。

5. 发明申请

WO2004068661A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2004068661A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2003/015579
申请日：2003-12-05
申请人：信越半導体株式会社 , 石崎順也 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：石崎順也 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01L33/42
摘要：発光素子１００は、Ａｌを含有した化合物半導体層４，５，６からなる発光層部２４と、該発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層８，１０とを有し、発光層部２４からの光を、酸化物透明電極層８，１０を透過させる形で取り出す。そして、発光層部２４と酸化物透明電極層８，１０との間に、発光層部２４のＡｌ酸化を抑制するための酸化物保護層７，９が介挿形成されてなる。これにより、発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、発光層部側のＡｌ酸化に伴う発光効率あるいは光取出効率の低下を効果的に防止できる発光素子を提供する。
摘要翻译：发光装置（100）包括由含Al化合物半导体层（4,5,6）构成的发光层部分（24）和用于施加发光驱动电压的氧化物透明电极层（8,10）发光层部分（24）。来自发光层部分（24）的光从氧化物透明电极层（8,10）中取出。在发光层部分（24）和氧化物透明电极层（8,10）之间分别插入氧化物保护层（7,9），用于抑制发光层部分（24）中的Al的氧化。因此，可以获得发光装置，其中氧化物透明电极层用作发光驱动的电极，发光效率的劣化或由于发光层中的Al的氧化引起的取光效率可以有效地防止部分。

6. 发明申请

WO2004015785A1 発光素子の製造方法及び発光素子审中-公开
标题翻译：制造发光装置和发光装置的方法
公开(公告)号：WO2004015785A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/JP2003/009979
申请日：2003-08-06
申请人：信越半導体株式会社 , 株式会社ナノテコ , 能登宣彦 , 山田雅人 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：能登宣彦 , 山田雅人 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/30
摘要：　発光素子１００は、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するためのＩＴＯ透明電極層８，１０を有し、発光層部２４からの光が、該ＩＴＯ透明電極層８，１０を透過させる形で取り出される。また、発光層部２４とＩＴＯ透明電極層８，１０との間に、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層が、該ＩＴＯ透明電極層と接する形にて形成される。該コンタクト層７，９は、発光層部上にＧａＡｓ層７'，９'を形成し、そのＧａＡｓ層７'，９'と接するようにＩＴＯ透明電極層８，１０を形成した積層体１３を熱処理することにより、ＩＴＯ透明電極層８，１０からＧａＡｓ層７'，９'にＩｎを拡散させて形成する。これにより、発光駆動用の電極としてＩＴＯ透明電極層をコンタクト層を介して接合し、該電極の接触抵抗を低減するとともに、コンタクト層形成に際して発光層部との格子定数差の影響も受けにくい発光素子の製造方法を提供する。
摘要翻译：发光装置（100）具有用于向发光层部分（24）施加发光驱动电压的透明ITO电极层（8,10）。通过透明ITO电极层（8,10）取出来自发光层部分（24）的光。以含有接触层与ITO透明电极层接触的方式，在发光层部分（24）和透明ITO电极层（8,10）之间形成由含In GaAs构成的接触层。接触层（7,9）通过热处理通过在发光层部分上设置GaAs层（7'，9'）而形成的多层体（13）而形成，然后在其上设置透明ITO电极层将GaAs层（7'，9'）从透明ITO电极层（8,10）扩散到GaAs层（7'，9'）中。因此，公开了一种发光装置的制造方法，其中透明ITO电极层通过接触层连接到发光层部分作为发射驱动电极; 电极的接触电阻降低; 并且接触层的形成几乎不受与发光层部分的晶格常数差的影响。

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