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1. 发明申请

WO2002061855A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2002061855A1
公开(公告)日：2002-08-08
申请号：PCT/JP2002/000633
申请日：2002-01-29
申请人：信越半導体株式会社 , 株式会社ナノテコ , 能登宣彦 , 山田雅人 , 遠藤正久 , 池田均 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：能登宣彦 , 山田雅人 , 遠藤正久 , 池田均 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/0079
摘要： A light emitting device (100) has a p-type GaAs layer (7) as an electrode junction layer and an ITO electrode layer (8) as an oxide transparent electrode layer formed on the side of a first main surface (17) of a light emitting layer section (24) in this order. This device has an n-type GaAs layer (9) as an electrode junction layer and an ITO electrode layer (10) as an oxide transparent electrode layer formed on the side of a second main surface (18) of the light emitting layer section (24) in this order. The ITO electrode layers (8, 10) are so formed as to cover the entire surfaces of both the main surfaces (17, 18) of the light emitting layer section (24) together with the p-type GaAs layer (7) and the n-type GaAs layer (9).
摘要翻译：发光器件（100）具有作为电极接合层的p型GaAs层（7）和形成在第一主表面（17）侧的氧化物透明电极层的ITO电极层（8）发光层部分（24）。该器件具有作为电极接合层的n型GaAs层（9）和形成在发光层部分的第二主表面（18）侧的作为氧化物透明电极层的ITO电极层（10） 24）。 ITO电极层（8,10）形成为与p型GaAs层（7）一起覆盖发光层部分（24）的两个主表面（17,18）的整个表面，并且 n型GaAs层（9）。

2. 发明申请

WO2004015785A1 発光素子の製造方法及び発光素子审中-公开
标题翻译：制造发光装置和发光装置的方法
公开(公告)号：WO2004015785A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/JP2003/009979
申请日：2003-08-06
申请人：信越半導体株式会社 , 株式会社ナノテコ , 能登宣彦 , 山田雅人 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：能登宣彦 , 山田雅人 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , H01L33/30
摘要：　発光素子１００は、発光層部２４に発光駆動電圧を印加するためのＩＴＯ透明電極層８，１０を有し、発光層部２４からの光が、該ＩＴＯ透明電極層８，１０を透過させる形で取り出される。また、発光層部２４とＩＴＯ透明電極層８，１０との間に、Ｉｎを含有したＧａＡｓよりなるコンタクト層が、該ＩＴＯ透明電極層と接する形にて形成される。該コンタクト層７，９は、発光層部上にＧａＡｓ層７'，９'を形成し、そのＧａＡｓ層７'，９'と接するようにＩＴＯ透明電極層８，１０を形成した積層体１３を熱処理することにより、ＩＴＯ透明電極層８，１０からＧａＡｓ層７'，９'にＩｎを拡散させて形成する。これにより、発光駆動用の電極としてＩＴＯ透明電極層をコンタクト層を介して接合し、該電極の接触抵抗を低減するとともに、コンタクト層形成に際して発光層部との格子定数差の影響も受けにくい発光素子の製造方法を提供する。
摘要翻译：发光装置（100）具有用于向发光层部分（24）施加发光驱动电压的透明ITO电极层（8,10）。通过透明ITO电极层（8,10）取出来自发光层部分（24）的光。以含有接触层与ITO透明电极层接触的方式，在发光层部分（24）和透明ITO电极层（8,10）之间形成由含In GaAs构成的接触层。接触层（7,9）通过热处理通过在发光层部分上设置GaAs层（7'，9'）而形成的多层体（13）而形成，然后在其上设置透明ITO电极层将GaAs层（7'，9'）从透明ITO电极层（8,10）扩散到GaAs层（7'，9'）中。因此，公开了一种发光装置的制造方法，其中透明ITO电极层通过接触层连接到发光层部分作为发射驱动电极; 电极的接触电阻降低; 并且接触层的形成几乎不受与发光层部分的晶格常数差的影响。

3. 发明申请

WO2004068661A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2004068661A1
公开(公告)日：2004-08-12
申请号：PCT/JP2003/015579
申请日：2003-12-05
申请人：信越半導体株式会社 , 石崎順也 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
发明人：石崎順也 , 野崎眞次 , 内田和男 , 森崎弘
IPC分类号： H01S5/323
CPC分类号： H01L33/42
摘要：発光素子１００は、Ａｌを含有した化合物半導体層４，５，６からなる発光層部２４と、該発光層部２４に発光駆動電圧を印加するための酸化物透明電極層８，１０とを有し、発光層部２４からの光を、酸化物透明電極層８，１０を透過させる形で取り出す。そして、発光層部２４と酸化物透明電極層８，１０との間に、発光層部２４のＡｌ酸化を抑制するための酸化物保護層７，９が介挿形成されてなる。これにより、発光駆動用の電極として酸化物透明電極層を用いるとともに、発光層部側のＡｌ酸化に伴う発光効率あるいは光取出効率の低下を効果的に防止できる発光素子を提供する。
摘要翻译：发光装置（100）包括由含Al化合物半导体层（4,5,6）构成的发光层部分（24）和用于施加发光驱动电压的氧化物透明电极层（8,10）发光层部分（24）。来自发光层部分（24）的光从氧化物透明电极层（8,10）中取出。在发光层部分（24）和氧化物透明电极层（8,10）之间分别插入氧化物保护层（7,9），用于抑制发光层部分（24）中的Al的氧化。因此，可以获得发光装置，其中氧化物透明电极层用作发光驱动的电极，发光效率的劣化或由于发光层中的Al的氧化引起的取光效率可以有效地防止部分。

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