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1. 发明专利

JP6029492B2 炭化珪素の製造方法有权
标题翻译：用于制造碳化硅方法
公开(公告)号：JP6029492B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2013035713
申请日：2013-02-26
申请人：信越半導体株式会社 , 信越化学工業株式会社
发明人：星亮二 , 松本克 , 青木良隆 , 松井智波
IPC分类号： C30B29/36 , C01B31/36
CPC分类号： C01B31/36 , C30B15/14 , C30B29/06 , C30B29/36

2. 发明申请

WO2004092456A1 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：单晶生产方法
公开(公告)号：WO2004092456A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/JP2004/004552
申请日：2004-03-30
申请人：信越半導体株式会社 , 園川将 , 星亮二 , 森達生
发明人：園川将 , 星亮二 , 森達生
IPC分类号： C30B15/22
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/305
摘要：本発明は、磁場を印加するチョクラルスキー法により単結晶を製造する方法において、少なくとも、ルツボに収容された融液内の最小磁場強度を２０００Ｇ以上の範囲とし、融液内の最大磁場強度を６０００Ｇ以下の範囲とし、かつ最大と最小の磁場強度の差をその距離で除したものである最大磁場勾配を５５Ｇ／ｃｍ以下の範囲として、単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶の製造方法である。これにより、磁場を印加するチョクラルスキー法において、高品質の単結晶を生産性良く製造する方法を提供することができる。
摘要翻译：通过施加磁场的Czochralski法制造单晶的方法。该方法的特征在于，放置在坩埚中的熔体中的最小磁场强度在2000G以上的范围内，熔体中的最大磁场强度在6,000G以下的范围内，最大磁场梯度为将最大磁场强度与最小磁场强度之间的差分除以该距离的商数在低于55G / cm的范围内，单晶被拉起。因此，可以以高生产率制造高品质的单晶。

3. 发明申请

WO2006022127A1 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造硅外延层的方法
公开(公告)号：WO2006022127A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/014175
申请日：2005-08-03
申请人：信越半導体株式会社 , 久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
发明人：久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/3225
摘要： A silicon single crystal substrate (1) is manufactured by CZ method and is doped with boron to have a resistivity of 0.02 O·cm or less. On the silicon single crystal substrate, a silicon epitaxial layer (2) is vapor-phase grown, and low-temperature heat treatment is performed in an oxidizing atmosphere at a temperature of 450°C or higher but not higher than 750°C for a time that permits the thickness (t1) of a silicon oxide film (3) formed on the silicon epitaxial layer (2) to be 2nm or less, and an oxygen precipitation nucleus (11) is formed in the silicon single crystal substrate (1). Then, the silicon oxide film (3) formed by first cleaning after the low-temperature heat treatment is etched by a cleaning solution composed of a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and water. Thus, the final thickness of the remaining silicon oxide film formed during heat treatment in the oxidizing atmosphere for forming the oxygen precipitation nucleus can be kept at a level of a native oxide even without employing fluorinated acid cleaning, and furthermore, particle increase after the cleaning can be suppressed.
摘要翻译：硅单晶衬底（1）通过CZ法制造，并掺杂有电阻率为0.02O·cm以下的硼。在硅单晶衬底上，气相生长硅衬底（2），在氧化气氛中，在450℃以上但不高于750℃的温度下进行低温热处理在硅单晶衬底（1）中形成允许形成在硅外延层（2）上的氧化硅膜（3）的厚度（t1）为2nm以下的氧析出核（11）的时间，。然后，通过由氨，过氧化氢和水的混合溶液构成的清洗溶液来蚀刻在低温热处理之后通过第一次清洗形成的氧化硅膜（3）。因此，即使不使用氟化酸清洗，在用于形成氧沉淀核的氧化气氛中的热处理期间形成的剩余氧化硅膜的最终厚度也可以保持在天然氧化物的水平，此外，清洁后颗粒增加可以抑制。

4. 发明申请

WO2005053010A1 アニールウエーハ及びアニールウエーハの製造方法审中-公开
标题翻译：抛光轮和抛光轮制造方法
公开(公告)号：WO2005053010A1
公开(公告)日：2005-06-09
申请号：PCT/JP2004/016394
申请日：2004-11-05
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 竹野博 , 布施川泉
发明人：星亮二 , 竹野博 , 布施川泉
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/00 , C30B29/06 , C30B33/02
摘要：　チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶から作製したシリコンウエーハに熱処理を施したアニールウエーハであって、ウエーハ全面がグローンイン欠陥もＯＳＦも存在しないＮ領域であり、ウエーハ表面から少なくとも深さ５μｍまでの領域における酸化膜耐圧特性の良品率が９５％以上であり、且つ、ウエーハ内部における酸素析出物の密度が１×１０９／ｃｍ３以上で、ウエーハ面内における酸素析出物の密度の最大値と最小値との比（最大値／最小値）の値が１～１０であることを特徴とするアニールウエーハ、及びその製造方法。これにより、デバイス作製領域であるウエーハ表層部の酸化膜耐圧特性が優れており、且つ、ウエーハバルク部にデバイスプロセス投入前の段階で酸素析出物の密度が面内均一に高密度で存在し、優れたＩＧ能力を有するアニールウエーハ及びそのアニールウエーハを製造する方法が提供される。　
摘要翻译：将经由Czochralski法生长的硅单晶制成的硅晶片进行热处理而制造的退火晶片。退火晶片的特征在于，晶片的整个表面是没有生长缺陷并且不存在OSF的N区域，该区域中的氧化膜击穿电压的特征的屈服率至至少5μm的深度晶片表面的晶体表面的浓度为95％以上时，晶片中的氧析出物的密度为1×10 9 / cm 3以上，最大值与最小值的比（最大值/最小值）的晶体表面的氧析出物的密度为1〜10。因此，晶片表面层部分即器件制造区域的氧化膜击穿电压特性优异，氧析出物的密度高在晶片进入器件工艺之前的阶段，在晶片体部分的平面内均匀地存在，并且晶片具有优异的IG能力。还公开了一种用于制造这种退火晶片的方法。

5. 发明申请

WO2008050524A1 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的装置和用于生产单晶的方法
公开(公告)号：WO2008050524A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/066094
申请日：2007-08-20
申请人：信越半導体株式会社 , 高野清隆 , 浦野雅彦 , 星亮二
发明人：高野清隆 , 浦野雅彦 , 星亮二
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06
摘要：　本発明は、少なくとも、複数に分割可能なチャンバを具備し、チョクラルスキー法により単結晶を製造するための単結晶製造装置であって、前記複数に分割されたチャンバのうち少なくとも１つは、該チャンバを冷却する循環冷却媒体が流通する循環冷却媒体用流路と、前記循環冷却媒体の、前記循環冷却媒体用流路における入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量を測定するそれぞれの測定手段とを有するものであり、前記入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量の測定値から、前記チャンバからの除去熱量及び／または除去熱量の割合を算出する演算手段と、該算出した除去熱量及び／または除去熱量の割合に基づいて単結晶の引上げ速度を制御する引上げ速度制御手段とを具備する単結晶製造装置及びこれを用いて行う単結晶の製造方法である。これにより、結晶品質を容易に安定させて単結晶を製造するための単結晶製造装置及び単結晶の製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种单晶的制造装置和单晶的制造方法。该装置设置有至少一个可分割成多个部分的腔室，用于通过切克劳斯（Czochralski）方法制造单晶。所述多个分隔室中的至少一个具有用于循环冷却介质的流路，循环冷却介质用于冷却室的循环冷却介质循环，以及用于分别测量用于循环冷却介质的流路中的入口和出口温度的装置和循环冷却介质的流量。在使用该装置的单晶的制造装置和单晶的制造方法中，使用计算装置，用于计算除去的量的热量和/或从腔室排出的热量的比例，提供了循环冷却介质的入口温度和出口温度和流量。此外，还提供了用于基于计算的去除热量和/或除去的热量的比例来控制单晶的上拉速度的上拉速度控制装置。上述单晶的制造装置和单晶的制造方法可以制造单晶，同时容易稳定晶体的质量。

6. 发明申请

WO2004024998A1 結晶製造用ヒーター及び結晶製造装置並びに結晶製造方法审中-公开
标题翻译：用于晶体形成的加热器，用于形成晶体的装置和形成晶体的方法
公开(公告)号：WO2004024998A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/JP2003/011444
申请日：2003-09-08
申请人：信越半導体株式会社 , 園川将 , 星亮二 , 佐藤亘 , 太田友彦
发明人：園川将 , 星亮二 , 佐藤亘 , 太田友彦
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/14 , C30B30/04 , C30B35/00 , Y10S117/90 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：本発明は、少なくとも、電流が供給される端子部と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、原料融液を収容するルツボを囲繞するように配置される、チョクラルスキー法により結晶を製造する場合に用いられるヒーターであって、該ヒーターは、結晶製造での使用時にヒーター形状が変形した後に、原料融液に対して均一の発熱分布を有するものであることを特徴とする結晶製造用ヒーターである。これにより、結晶製造での使用時に、ヒーターの発熱部の形状が変形することで原料融液内の温度が不均一となり、単結晶化が阻害され、結晶の品質が不安定となるのを防ぐことができる。
摘要翻译：一种用于晶体形成的加热器，至少设置有提供电流的端子部分和使用电阻加热的加热单元。加热器围绕含有原料熔体的坩埚，并且用于通过切克劳斯基（Czochralski）方法形成晶体。该加热器的特征在于，在用于晶体形成的变形后，原料熔体的加热分布均匀。因此，本发明解决了用于形成晶体的加热器的变形加热单元在原料熔体中导致不均匀的温度分布的传统问题，这阻碍了单晶的形成，导致晶体质量不稳定。

7. 发明申请

WO2006008915A1 シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅外延晶片及其制造方法
公开(公告)号：WO2006008915A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/011749
申请日：2005-06-27
申请人：信越半導体株式会社 , 久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
发明人：久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532
摘要：　シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０８ｃｍ－３以上３×１０９ｃｍ－３以下のバルク積層欠陥１３を有する。これにより、ボロンドープによる抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下のｐ＋ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出物が観察困難な寸法となっているにも関わらず、ＩＧ効果は十分に確保でき、かつ、基板の反りや変形などの問題も生じ難くなるよう、該酸素析出物の形成状態を適性化できるシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
摘要翻译：硅外延晶片（100）包括通过CZ工艺制造并掺杂有硼的硅单晶衬底（1），以显示电阻率= 0.018O·cm，并且叠加在硅外延层（2）上。在作为硅外延晶片（100）的组成部分的硅单晶衬底（1）中，存在1×10

8. 发明申请

WO2005108655A1 シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶审中-公开
标题翻译：硅单晶制造方法和硅单晶
公开(公告)号：WO2005108655A1
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/JP2005/006254
申请日：2005-03-31
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 永井直樹 , 布施川泉
发明人：星亮二 , 永井直樹 , 布施川泉
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
摘要：　チョクラルスキー法により炭素をドープしてシリコン単結晶を製造する方法において、有機化合物、有機化合物及びシリコンウェーハ、炭素粉末及びシリコンウェーハ、有機化合物及び炭素粉末、有機化合物と炭素粉末及びシリコンウェーハの中から選択されるいずれか１つの炭素ドープ剤とシリコン多結晶原料とをルツボ内に充填して溶融した後、該融液からシリコン単結晶を育成することを特徴とする炭素ドープのシリコン単結晶の製造方法。および前記方法により製造された炭素ドープのシリコン単結晶。これにより、シリコン単結晶中に炭素を容易且つ低コストにドープでき、さらにシリコン単結晶中の炭素濃度を精度良く制御できる炭素ドープのシリコン単結晶の製造方法が提供される。
摘要翻译：通过这种方法制造碳掺杂硅单晶和掺碳硅单晶的方法。在通过Czochralski法的碳掺杂制造硅单晶的方法中，碳掺杂剂之一选自：有机化合物，硅晶片，碳粉末和硅晶片，有机化合物和碳粉末，有机化合物，碳粉末和硅晶片。将所选择的掺杂剂和硅多晶材料填充在坩埚中并熔融。然后，从熔体中生长硅单晶。因此，提供了制造碳掺杂硅单晶的方法，以便以低成本容易地用碳来掺杂硅单晶并且精确地控制硅单晶中的碳浓度。

9. 发明申请

WO2004092455A1 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产单晶的方法
公开(公告)号：WO2004092455A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/JP2004/004551
申请日：2004-03-30
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 園川将
发明人：星亮二 , 園川将
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
摘要：ルツボ内に多結晶原料を収容し、前記ルツボの周りを囲むように配置されたヒータにより前記多結晶原料を加熱溶融し、該原料融液に種結晶を融着した後引き上げて単結晶を育成するチョクラルスキー法による単結晶の製造方法において、ボロンをドーピングして抵抗率を調整した単結晶を育成する場合に、前記ルツボの最高温度を１６００℃以下に制御して単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。これにより、高いゲッタリング能力を持つ、ボロンドープした単結晶を製造する際、有転位化の発生を抑制し、高生産性かつ低コストで製造することができる単結晶の製造方法が提供される。
摘要翻译：根据Czochralski法制造单晶的方法，其中将多晶原料放入坩埚中，然后通过加热布置以包围坩埚的多晶原料熔化，然后晶种为熔融到原料熔体并拉起，从而实现单晶生长，其特征在于在通过硼掺杂调节电阻率的单晶的生长中，在将坩埚的最高温度控制在1600℃的同时进行单晶生长 ℃以下。在具有高吸杂能力的硼掺杂单晶的生产中，可以通过上述方法以高生产率和低成本生产单晶，同时抑制任何位错产生。

10. 发明申请

WO2004025001A1 単結晶、単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ、並びに単結晶育成方法审中-公开
标题翻译：单晶，单晶，外延波和单晶生长方法
公开(公告)号：WO2004025001A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/JP2003/011443
申请日：2003-09-08
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 園川将
发明人：星亮二 , 園川将
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14
摘要：本発明は、単結晶引き上げ法により得られた単結晶であって、結晶成長時の結晶融液の温度変動に起因して単結晶中に取り込まれる不均一縞の間隔が制御されたものであることを特徴とする単結晶、及び単結晶引き上げ法により単結晶を育成する単結晶育成方法であって、単結晶育成時の成長速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、結晶融液の温度変動周期をＦ（ｍｉｎ）とし、結晶成長界面の水平面に対する角度をθとした時に、Ｖ×Ｆ／ｓｉｎθが一定の範囲となるように成長速度及び／または温度変動周期を制御して単結晶を育成することを特徴とする単結晶育成方法である。これにより、ウエーハ表面の加工条件とは異なる観点からナノトポロジー特性を改善し、ナノトポロジー特性、特に２ｍｍ×２ｍｍ角の測定におけるナノトポロジー特性に優れたウエーハを切り出すことのできる単結晶、及びその単結晶を育成する単結晶育成方法が提供される。
摘要翻译：通过单晶拉制技术获得的单晶，其特征在于，由于在晶体生长时由于晶体熔体的温度变化而导入单晶中的不均匀的条纹间隔受到控制; 以及根据单晶拉延技术生长单晶的方法，其特征在于，在控制生长速率和/或温度变化周期的同时生长单晶，使得V x F /sinθ其中V表示生长速率（mm / min），F表示晶体熔体的温度变化周期（min），θ表示晶体生长界面对水平面的角度，落在给定范围内。上述单晶和生长单晶的方法可以从与晶片表面工作条件不同的观点改进纳米特性，并能够切割出纳米特性特别优异的晶片，特别是在2mm×2mm见方的纳米特性。

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