专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2004092456A1 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：单晶生产方法
公开(公告)号：WO2004092456A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/JP2004/004552
申请日：2004-03-30
申请人：信越半導体株式会社 , 園川将 , 星亮二 , 森達生
发明人：園川将 , 星亮二 , 森達生
IPC分类号： C30B15/22
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/305
摘要：本発明は、磁場を印加するチョクラルスキー法により単結晶を製造する方法において、少なくとも、ルツボに収容された融液内の最小磁場強度を２０００Ｇ以上の範囲とし、融液内の最大磁場強度を６０００Ｇ以下の範囲とし、かつ最大と最小の磁場強度の差をその距離で除したものである最大磁場勾配を５５Ｇ／ｃｍ以下の範囲として、単結晶を引き上げることを特徴とする単結晶の製造方法である。これにより、磁場を印加するチョクラルスキー法において、高品質の単結晶を生産性良く製造する方法を提供することができる。
摘要翻译：通过施加磁场的Czochralski法制造单晶的方法。该方法的特征在于，放置在坩埚中的熔体中的最小磁场强度在2000G以上的范围内，熔体中的最大磁场强度在6,000G以下的范围内，最大磁场梯度为将最大磁场强度与最小磁场强度之间的差分除以该距离的商数在低于55G / cm的范围内，单晶被拉起。因此，可以以高生产率制造高品质的单晶。

2. 发明申请

WO2004024998A1 結晶製造用ヒーター及び結晶製造装置並びに結晶製造方法审中-公开
标题翻译：用于晶体形成的加热器，用于形成晶体的装置和形成晶体的方法
公开(公告)号：WO2004024998A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/JP2003/011444
申请日：2003-09-08
申请人：信越半導体株式会社 , 園川将 , 星亮二 , 佐藤亘 , 太田友彦
发明人：園川将 , 星亮二 , 佐藤亘 , 太田友彦
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/14 , C30B30/04 , C30B35/00 , Y10S117/90 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：本発明は、少なくとも、電流が供給される端子部と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、原料融液を収容するルツボを囲繞するように配置される、チョクラルスキー法により結晶を製造する場合に用いられるヒーターであって、該ヒーターは、結晶製造での使用時にヒーター形状が変形した後に、原料融液に対して均一の発熱分布を有するものであることを特徴とする結晶製造用ヒーターである。これにより、結晶製造での使用時に、ヒーターの発熱部の形状が変形することで原料融液内の温度が不均一となり、単結晶化が阻害され、結晶の品質が不安定となるのを防ぐことができる。
摘要翻译：一种用于晶体形成的加热器，至少设置有提供电流的端子部分和使用电阻加热的加热单元。加热器围绕含有原料熔体的坩埚，并且用于通过切克劳斯基（Czochralski）方法形成晶体。该加热器的特征在于，在用于晶体形成的变形后，原料熔体的加热分布均匀。因此，本发明解决了用于形成晶体的加热器的变形加热单元在原料熔体中导致不均匀的温度分布的传统问题，这阻碍了单晶的形成，导致晶体质量不稳定。

3. 发明申请

WO2005042811A1 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产单晶的方法
公开(公告)号：WO2005042811A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/015395
申请日：2004-10-19
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 園川将
发明人：星亮二 , 園川将
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B15/206 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法によってチャンバ内で単結晶を原料融液から引上げて製造する方法において、径方向にリング状に発生するＯＳＦ領域の外側で、且つ格子間型及び空孔型の欠陥が存在しない無欠陥領域の単結晶を引上げるとともに、前記単結晶の引上げは、単結晶の融点から９５０°Cまでの温度帯を通過する時の冷却速度の平均値が、０．９６°C／ｍｉｎ以上の範囲、１１５０°Cから１０８０°Cまでの温度帯を通過する時の冷却速度の平均値が、０．８８°C／ｍｉｎ以上の範囲、１０５０°Cから９５０°Cまでの温度帯を通過する時の冷却速度の平均値が、０．７１°C／ｍｉｎ以上の範囲、となるように制御して行うことを特徴とする単結晶の製造方法を提供する。これにより、無欠陥領域の単結晶を引き上げる際の製造マージンを大幅に拡大することができ、したがって、無欠陥領域結晶の製造歩留り、生産性を大幅に向上できる単結晶の製造方法を提供できる。
摘要翻译：一种通过根据切克劳斯基法在室中从原料熔体中提取单晶而制造单晶的方法，其特征在于，在提取不含格间型的无缺陷区的单晶时，以及在径向上以环状形成的OSF区域外的孔型缺陷，单体拉伸在控制下进行，使得通过反应区从单晶熔点到950℃的冷却速度的平均值为 0.96℃/分钟以上时，通过反应区域从1150℃到1080℃的冷却速度的平均值为0.88℃/分钟以上，通过反应区域的冷却速度的平均值从1050℃至950℃为0.71℃/分钟以上。因此，提高无缺陷区域的单晶的生产裕度可以显着扩大。因此，可以提供一种制造单晶的方法，其中可以显着提高无缺陷区单晶的生产率和产率。

4. 发明申请

WO2004007815A1 エピタキシャル成長用シリコンウエーハ及びエピタキシャルウエーハ並びにその製造方法审中-公开
标题翻译：外延生长用硅树脂及其制造方法
公开(公告)号：WO2004007815A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/JP2003/008671
申请日：2003-07-08
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 園川将
发明人：星亮二 , 園川将
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B25/20 , C30B29/06
摘要：本発明は、エピタキシャル成長用シリコンウエーハであって、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により窒素をドープして、少なくともウエーハ中心がボイド型欠陥が発生するＶ領域となる領域内で育成したシリコン単結晶をスライスして作製したシリコンウエーハであり、ウエーハ表面に現われる前記ボイド型欠陥のうち、開口部サイズが２０ｎｍ以下である欠陥の個数が０．０２個／ｃｍ２以下であることを特徴とするエピタキシャル成長用シリコンウエーハおよびこのエピタキシャル成長用シリコンウエーハの表面にエピタキシャル層が形成されていることを特徴とするエピタキシャルウエーハである。これにより、高いゲッタリング能力を有し、かつデバイス特性に悪影響を及ぼすＳＦがエピタキシャル層上に極めて少ない高品質のエピタキシャルウエーハを高生産性かつ低コストで容易に製造することができる。
摘要翻译：一种用于外延生长的硅晶片，其通过用Chochralski法（CZ法）将通过用氮掺杂晶片的至少晶片中心在其中发生空隙的V区域中生长的硅单晶切片，其特征在于在晶片表面出现的缺陷缺陷中，开口尺寸为20nm以下的缺陷的数量为0.02个/ cm 2以下。外延晶片的特征在于，在硅晶片上形成用于外延生长的外延层也被公开。具有高吸气性能的外延晶片，可以容易地以低成本高生产率容易地制造对其外延层上的器件特性有不利影响和高质量的少量SF。

5. 发明申请

WO2004092455A1 単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产单晶的方法
公开(公告)号：WO2004092455A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/JP2004/004551
申请日：2004-03-30
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 園川将
发明人：星亮二 , 園川将
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
摘要：ルツボ内に多結晶原料を収容し、前記ルツボの周りを囲むように配置されたヒータにより前記多結晶原料を加熱溶融し、該原料融液に種結晶を融着した後引き上げて単結晶を育成するチョクラルスキー法による単結晶の製造方法において、ボロンをドーピングして抵抗率を調整した単結晶を育成する場合に、前記ルツボの最高温度を１６００℃以下に制御して単結晶を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。これにより、高いゲッタリング能力を持つ、ボロンドープした単結晶を製造する際、有転位化の発生を抑制し、高生産性かつ低コストで製造することができる単結晶の製造方法が提供される。
摘要翻译：根据Czochralski法制造单晶的方法，其中将多晶原料放入坩埚中，然后通过加热布置以包围坩埚的多晶原料熔化，然后晶种为熔融到原料熔体并拉起，从而实现单晶生长，其特征在于在通过硼掺杂调节电阻率的单晶的生长中，在将坩埚的最高温度控制在1600℃的同时进行单晶生长 ℃以下。在具有高吸杂能力的硼掺杂单晶的生产中，可以通过上述方法以高生产率和低成本生产单晶，同时抑制任何位错产生。

6. 发明申请

WO2004025001A1 単結晶、単結晶ウエーハ及びエピタキシャルウエーハ、並びに単結晶育成方法审中-公开
标题翻译：单晶，单晶，外延波和单晶生长方法
公开(公告)号：WO2004025001A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/JP2003/011443
申请日：2003-09-08
申请人：信越半導体株式会社 , 星亮二 , 園川将
发明人：星亮二 , 園川将
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14
摘要：本発明は、単結晶引き上げ法により得られた単結晶であって、結晶成長時の結晶融液の温度変動に起因して単結晶中に取り込まれる不均一縞の間隔が制御されたものであることを特徴とする単結晶、及び単結晶引き上げ法により単結晶を育成する単結晶育成方法であって、単結晶育成時の成長速度をＶ（ｍｍ／ｍｉｎ）とし、結晶融液の温度変動周期をＦ（ｍｉｎ）とし、結晶成長界面の水平面に対する角度をθとした時に、Ｖ×Ｆ／ｓｉｎθが一定の範囲となるように成長速度及び／または温度変動周期を制御して単結晶を育成することを特徴とする単結晶育成方法である。これにより、ウエーハ表面の加工条件とは異なる観点からナノトポロジー特性を改善し、ナノトポロジー特性、特に２ｍｍ×２ｍｍ角の測定におけるナノトポロジー特性に優れたウエーハを切り出すことのできる単結晶、及びその単結晶を育成する単結晶育成方法が提供される。
摘要翻译：通过单晶拉制技术获得的单晶，其特征在于，由于在晶体生长时由于晶体熔体的温度变化而导入单晶中的不均匀的条纹间隔受到控制; 以及根据单晶拉延技术生长单晶的方法，其特征在于，在控制生长速率和/或温度变化周期的同时生长单晶，使得V x F /sinθ其中V表示生长速率（mm / min），F表示晶体熔体的温度变化周期（min），θ表示晶体生长界面对水平面的角度，落在给定范围内。上述单晶和生长单晶的方法可以从与晶片表面工作条件不同的观点改进纳米特性，并能够切割出纳米特性特别优异的晶片，特别是在2mm×2mm见方的纳米特性。

7. 发明申请

WO2006059453A1 単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器および単結晶引上げ装置ならびに湯漏れ検出方法审中-公开
标题翻译：单晶振动机构和单晶振动机理和金属液体泄漏检测方法中的金属探测器
公开(公告)号：WO2006059453A1
公开(公告)日：2006-06-08
申请号：PCT/JP2005/020173
申请日：2005-11-02
申请人：信越半導体株式会社 , 浦野雅彦 , 水石孝司 , 園川将
发明人：浦野雅彦 , 水石孝司 , 園川将
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
摘要：　ＣＺ法による単結晶引上げ装置のチャンバ底部に配設した湯漏れ受皿においてルツボから漏れてくる融液を検出する湯漏れ検出器であって、少なくとも前記湯漏れ受皿の底部の温度を検出する温度検出手段および該温度検出手段の検出値の変化により湯漏れを検出する湯漏れ検出手段を具備しており、前記温度検出手段は少なくとも温度センサと該温度センサを覆って保護する保護キャップを有し、該保護キャップが前記湯漏れ受皿の底部に当接している単結晶引上げ装置の湯漏れ検出器。これにより、ＣＺ法単結晶引上げ装置において、シリコン融液がルツボ外へ流出しても、これを溜めて金属部品や冷却配管から成る下部機構に到達するのを防止する湯漏れ受皿を利用して、受皿の底部の測定温度のバッチ間のばらつきを抑えて、漏れてくる融液をいち早く高精度に検出し、警報吹鳴、運転停止等の動作を素早くかつ確実に行うことができる湯漏れ検出器が提供される。　
摘要翻译：一种单晶提升机构中的熔融金属泄漏检测器，用于检测通过CZ方法设置在单晶提升机构的腔室底部的熔融金属泄漏盘中的坩埚泄漏的熔融金属，包括用于检测温度在至少在熔融金属泄漏锅的底部，以及用于根据温度检测装置的检测值的变化来检测熔融金属泄漏的装置，其中温度检测装置至少具有温度传感器和保护帽，温度传感器，并且保护帽抵靠熔融金属泄漏盘的底部。在通过CZ方法的单晶提升机构中，通过利用熔融金属泄漏盘来防止从坩埚流出的熔融硅到达由金属成分组成的下部机构，从而抑制在批次之间在锅底部测量的温度变化，通过储存冷却管道，高精度地快速检测出熔融金属，能够快速，积极地进行警报，停止操作的动作。

8. 发明申请

WO2003106742A1 種結晶保持治具及び単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译： SEED CRYSTAL HOLDING JIG AND PROCESS FOR PRODUCY SINGLE CRYSTAL
公开(公告)号：WO2003106742A1
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：PCT/JP2003/007319
申请日：2003-06-10
申请人：信越半導体株式会社 , 大國禎之 , 園川将 , 水石孝司 , 太田友彦
发明人：大國禎之 , 園川将 , 水石孝司 , 太田友彦
IPC分类号： C30B15/32
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/32
摘要： Seed crystal holding jig (11) capable of, at the time of drawing up a single crystal in accordance with the Cyochralski method, holding a seed crystal by bringing tapered end face (15) of insert fit member (14) into pressed contact with tapered hold face (18) of seed crystal (5), the taper of the end face (15) in reverse relationship to that of the hold face (18), characterized in that the holding jig (11) is furnished with two or more insert fit members, these insert fit members having a height equal to that of main body (12) of the holding jig and provided at equal intervals round center axis (19) of the holding jig. Preferably, the insert fit members are constituted of a carbon fiber reinforced carbon composite material or an isotropic sintered carbon, while the main body of holding jig comprises eiher a carbon fiber reinforced carbon composite material or a reinforced isotropic sintered carbon or molybdenum. Thus, there are provided a seed crystal holding jig and a process for producing a single crystal, which enable securely drawing up a single crystal of high purity without breakage of seed crystal or holding jig even when a single crystal of large weight, such as 170 kg or more, is grown.
摘要翻译：种子晶体保持夹具（11）能够根据Cyochralski法绘制单晶，通过使插入配合构件（14）的锥形端面（15）与锥形（15）压接而保持晶种保持晶种（5）的面（18），所述端面（15）的锥度与所述保持面（18）的锥度相反，其特征在于，所述保持夹具（11）配备有两个或更多个插入件这些插入配合构件的高度等于保持夹具的主体（12）的高度，并且以等间隔设置在保持夹具的圆心轴线（19）上。优选地，嵌入配合构件由碳纤维增强碳复合材料或各向同性烧结碳构成，而保持夹具的主体包括碳纤维增强碳复合材料或增强各向同性烧结碳或钼。因此，提供了晶种保持夹具和单晶的制造方法，能够即使在重量大的单晶例如170的情况下，也能够牢固地拉拔高纯度的单晶而不破裂晶种或保持夹具 kg以上。

9. 发明申请

WO2007000864A1 シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボの製造方法审中-公开
标题翻译： QUARTZ玻璃可溶于硅单晶的拉丝和生产QUARTZ GLASS CRUCIBLE的工艺
公开(公告)号：WO2007000864A1
公开(公告)日：2007-01-04
申请号：PCT/JP2006/310424
申请日：2006-05-25
申请人：信越半導体株式会社 , 信越石英株式会社 , 櫻田昌弘 , 園川将 , 布施川泉 , 松井宏
发明人：櫻田昌弘 , 園川将 , 布施川泉 , 松井宏
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B29/06 , C03B19/095 , C30B15/10 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：　本発明は、少なくとも、多数の気泡を含む半透明ガラス層の外層部２３と、該外層部２３の内表面に形成された無気泡でかつ表面が平滑な透明石英ガラス層の内層部２４とからなるシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ５であって、前記外層部２３は、径が０．１～０．３ｍｍの気泡を１．５～５．０×１０４個／ｃｍ３含んだものであることを特徴とするシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボ５である。これにより、シリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボが単結晶引き上げ中に変形してしまうのを抑制することにより、単結晶の有転位化による歩留まりの低下を防ぎ、シリコン単結晶製造の高効率化を図ることができる、機械的強度が増大したシリコン単結晶引き上げ用石英ガラスルツボおよびその製造方法が提供される。
摘要翻译：石英玻璃坩埚（5），用于拉起具有至少包含多个气泡的半透明玻璃层的外层部分（23）的硅单晶，并且设置在外层部分（23）的内表面上），不含气泡且具有光滑表面的透明石英玻璃层的内层部（24），其特征在于，所述外层部（23）为每cm 3〜 5.0×10 4个气泡直径为0.1-0.3mm。因此，提供了通过在单晶提拉期间抑制石英玻璃坩埚的任何变形来提取硅单晶的石英玻璃坩埚，防止了由于单晶发生位错而产生的屈服下降，并达到提高硅单晶的生产效率，实现机械强度的提高。此外，提供了一种制造该方法的方法。

10. 发明专利

JP6614380B1 単結晶製造装置有权
公开(公告)号：JP6614380B1
公开(公告)日：2019-12-04
申请号：JP2019053430
申请日：2019-03-20
申请人：信越半導体株式会社
发明人：小林拓生 , 柳瀬和也 , 岡井篤志 , 園川将 , 岩崎淳
IPC分类号： C30B15/14 , C30B30/04 , C30B29/06
摘要：【課題】育成中の単結晶を効率良く冷却し、該単結晶の成長速度の高速化を図る。【解決手段】原料融液5を収容するルツボ6、7及び原料融液5を加熱するヒータ8を格納するメインチャンバー2と、メインチャンバー2の上部に連設され、原料融液5から引き上げられた単結晶4を収容する引上げチャンバー3と、単結晶4を取り囲むようにメインチャンバー2の天井部から原料融液5の表面に向かって延伸する冷却筒12と、冷却筒12の内側に嵌合される冷却補助筒19とを備えるチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、冷却補助筒19に嵌合される径拡大部材20をさらに備え、冷却補助筒19は、軸方向に貫く切れ目を有し、かつ径拡大部材20が押し込まれることで径が拡大して冷却筒12に密着するものである。【選択図】図1

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式