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1. 发明申请

WO2006022127A1 シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法审中-公开
标题翻译：制造硅外延层的方法
公开(公告)号：WO2006022127A1
公开(公告)日：2006-03-02
申请号：PCT/JP2005/014175
申请日：2005-08-03
申请人：信越半導体株式会社 , 久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
发明人：久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
IPC分类号： H01L21/322 , H01L21/308
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/3225
摘要： A silicon single crystal substrate (1) is manufactured by CZ method and is doped with boron to have a resistivity of 0.02 O·cm or less. On the silicon single crystal substrate, a silicon epitaxial layer (2) is vapor-phase grown, and low-temperature heat treatment is performed in an oxidizing atmosphere at a temperature of 450°C or higher but not higher than 750°C for a time that permits the thickness (t1) of a silicon oxide film (3) formed on the silicon epitaxial layer (2) to be 2nm or less, and an oxygen precipitation nucleus (11) is formed in the silicon single crystal substrate (1). Then, the silicon oxide film (3) formed by first cleaning after the low-temperature heat treatment is etched by a cleaning solution composed of a mixed solution of ammonia, hydrogen peroxide and water. Thus, the final thickness of the remaining silicon oxide film formed during heat treatment in the oxidizing atmosphere for forming the oxygen precipitation nucleus can be kept at a level of a native oxide even without employing fluorinated acid cleaning, and furthermore, particle increase after the cleaning can be suppressed.
摘要翻译：硅单晶衬底（1）通过CZ法制造，并掺杂有电阻率为0.02O·cm以下的硼。在硅单晶衬底上，气相生长硅衬底（2），在氧化气氛中，在450℃以上但不高于750℃的温度下进行低温热处理在硅单晶衬底（1）中形成允许形成在硅外延层（2）上的氧化硅膜（3）的厚度（t1）为2nm以下的氧析出核（11）的时间，。然后，通过由氨，过氧化氢和水的混合溶液构成的清洗溶液来蚀刻在低温热处理之后通过第一次清洗形成的氧化硅膜（3）。因此，即使不使用氟化酸清洗，在用于形成氧沉淀核的氧化气氛中的热处理期间形成的剩余氧化硅膜的最终厚度也可以保持在天然氧化物的水平，此外，清洁后颗粒增加可以抑制。

2. 发明申请

WO2006008957A1 シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅外延晶片及其制造方法
公开(公告)号：WO2006008957A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/012379
申请日：2005-07-05
申请人：信越半導体株式会社 , 久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
发明人：久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
IPC分类号： H01L21/322 , C30B29/06 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B33/02 , Y10T428/24992
摘要：シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．００９Ω・ｃｍ以上０．０１２Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０１０ｃｍ－３以上の酸素析出核を有する。また、シリコン単結晶基板１のシリコンエピタキシャル層２との界面をなす表層部に形成された酸素析出核の非形成領域１５の幅が０μｍより大きく１０μｍ未満である。これにより、ボロンドープによるｐ＋ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出核非形成領域の形成幅を十分縮小しつつ、ＩＧ効果発現には十分な密度の酸素析出物を形成可能なシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。　
摘要翻译：硅外延晶片（100），其包含通过CZ工艺制造并掺杂有硼的硅单晶衬底（1），以显示电阻率为0.009至0.012O·cm，并且在其上提供硅外延层（2）。在构成硅外延晶片（100）的硅单晶衬底（1）中，存在密度为= 1×10

3. 发明申请

WO2006008915A1 シリコンエピタキシャルウェーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：硅外延晶片及其制造方法
公开(公告)号：WO2006008915A1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：PCT/JP2005/011749
申请日：2005-06-27
申请人：信越半導体株式会社 , 久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
发明人：久米史高 , 吉田知佐 , 相原健 , 星亮二 , 戸部敏視 , 戸田尚久 , 田原史夫
IPC分类号： H01L21/322
CPC分类号： H01L21/3225 , C30B25/20 , C30B29/06 , C30B33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02532
摘要：　シリコンエピタキシャルウェーハ１００は、ＣＺ法により製造され、かつ、抵抗率が０．０１８Ω・ｃｍ以下となるようにボロンがドープされたシリコン単結晶基板１上に、シリコンエピタキシャル層２を形成してなる。シリコンエピタキシャルウェーハ１００を構成するシリコン単結晶基板１中には、密度１×１０８ｃｍ－３以上３×１０９ｃｍ－３以下のバルク積層欠陥１３を有する。これにより、ボロンドープによる抵抗率０．０１８Ω・ｃｍ以下のｐ＋ＣＺ基板を使用するとともに、酸素析出物が観察困難な寸法となっているにも関わらず、ＩＧ効果は十分に確保でき、かつ、基板の反りや変形などの問題も生じ難くなるよう、該酸素析出物の形成状態を適性化できるシリコンエピタキシャルウェーハを提供する。
摘要翻译：硅外延晶片（100）包括通过CZ工艺制造并掺杂有硼的硅单晶衬底（1），以显示电阻率= 0.018O·cm，并且叠加在硅外延层（2）上。在作为硅外延晶片（100）的组成部分的硅单晶衬底（1）中，存在1×10

4. 发明申请

WO2007032180A1 エピタキシャルウエーハの製造方法及びそれにより製造されたエピタキシャルウエーハ审中-公开
标题翻译：生产外源水蒸气和外来水的方法
公开(公告)号：WO2007032180A1
公开(公告)日：2007-03-22
申请号：PCT/JP2006/316300
申请日：2006-08-21
申请人：信越半導体株式会社 , 吉田知佐 , 戸田尚久
发明人：吉田知佐 , 戸田尚久
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/56 , C30B23/00
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/24 , C30B25/16
摘要：　気相成長装置において、エピタキシャル層の抵抗保証及び／又は厚さ測定のためのモニター用のウエーハとして、裏面にＣＶＤ膜が形成されたウエーハに対してエピタキシャル成長を行い、その後ダミー用のウエーハに対してエピタキシャル成長を行った後、又はウエーハを用いずにエピタキシャル成長を行う条件で気層成長装置を作動させた後、製品用のウエーハに対してエピタキシャル成長を行ってエピタキシャルウエーハを製造する。これにより、ＣＶＤ膜が無いウエーハを用いてＣＣＤやＣＭＯＳイメージセンサーなどの撮像素子の作製に使用されるエピタキシャルウエーハを製造する場合、重金属汚染を効果的に防ぎ、高品質のエピタキシャルウエーハを製造することができる方法が提供される。
摘要翻译：在气相生长装置中，在其背面具有CVD膜的晶片上进行外延生长作为用于外延层的电阻补偿和/或厚度测量的监视晶片。然后在虚设晶片上进行外延生长，或者在不使用晶片的情况下，在外延生长条件下操作气相生长装置。此后，在用于产品的晶片上进行外延生长以制造外延晶片。上述结构提供了可以有效地防止重金属污染并且可以在生产用于生产诸如使用CVD膜的CCD或CMOS图像传感器的图像拾取装置的外延晶片时产生高质量的外延晶片的生产工艺 - 无晶片。

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