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1. 发明申请

WO2008050524A1 単結晶製造装置及び単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的装置和用于生产单晶的方法
公开(公告)号：WO2008050524A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/066094
申请日：2007-08-20
申请人：信越半導体株式会社 , 高野清隆 , 浦野雅彦 , 星亮二
发明人：高野清隆 , 浦野雅彦 , 星亮二
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20
CPC分类号： C30B15/203 , C30B15/14 , C30B29/06
摘要：　本発明は、少なくとも、複数に分割可能なチャンバを具備し、チョクラルスキー法により単結晶を製造するための単結晶製造装置であって、前記複数に分割されたチャンバのうち少なくとも１つは、該チャンバを冷却する循環冷却媒体が流通する循環冷却媒体用流路と、前記循環冷却媒体の、前記循環冷却媒体用流路における入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量を測定するそれぞれの測定手段とを有するものであり、前記入口温度及び出口温度並びに循環冷却媒体流量の測定値から、前記チャンバからの除去熱量及び／または除去熱量の割合を算出する演算手段と、該算出した除去熱量及び／または除去熱量の割合に基づいて単結晶の引上げ速度を制御する引上げ速度制御手段とを具備する単結晶製造装置及びこれを用いて行う単結晶の製造方法である。これにより、結晶品質を容易に安定させて単結晶を製造するための単結晶製造装置及び単結晶の製造方法が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种单晶的制造装置和单晶的制造方法。该装置设置有至少一个可分割成多个部分的腔室，用于通过切克劳斯（Czochralski）方法制造单晶。所述多个分隔室中的至少一个具有用于循环冷却介质的流路，循环冷却介质用于冷却室的循环冷却介质循环，以及用于分别测量用于循环冷却介质的流路中的入口和出口温度的装置和循环冷却介质的流量。在使用该装置的单晶的制造装置和单晶的制造方法中，使用计算装置，用于计算除去的量的热量和/或从腔室排出的热量的比例，提供了循环冷却介质的入口温度和出口温度和流量。此外，还提供了用于基于计算的去除热量和/或除去的热量的比例来控制单晶的上拉速度的上拉速度控制装置。上述单晶的制造装置和单晶的制造方法可以制造单晶，同时容易稳定晶体的质量。

2. 发明申请

WO2004064145A1 ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハ审中-公开
标题翻译：生产SOI波形和SOI波形的方法
公开(公告)号：WO2004064145A1
公开(公告)日：2004-07-29
申请号：PCT/JP2003/016796
申请日：2003-12-25
申请人：信越半導体株式会社 , 阿賀浩司 , 横川功 , 高野清隆 , 三谷清
发明人：阿賀浩司 , 横川功 , 高野清隆 , 三谷清
IPC分类号： H01L21/76
CPC分类号： H01L21/26533 , H01L21/76254
摘要：　本発明は、ボンドウエーハとベースウエーハの少なくとも一方の表面に酸化膜を形成し、該形成した酸化膜を介して前記ボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合せた後、ボンドウエーハを薄膜化することによってＳＯＩウエーハを製造する方法において、前記ボンドウエーハとベースウエーハの少なくとも一方の表面に形成される酸化膜のトータルの厚さが、前記製造されるＳＯＩウエーハが有する埋め込み酸化膜の厚さよりも厚くなるようにして酸化膜の形成を行った後、該形成した酸化膜を介してボンドウエーハとベースウエーハとを貼り合せてからボンドウエーハを薄膜化してＳＯＩ層を形成し、得られた貼り合せウエーハに埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うＳＯＩウエーハの製造方法である。これにより、埋め込み酸化膜の厚さを薄くしてもブリスターやボイドを発生させず、ＳＯＩ層の結晶性が極めて良好なＳＯＩウエーハを製造する方法が提供される。
摘要翻译：通过在接合晶片和基底晶片中的至少一个的表面上形成氧化膜来制造SOI晶片的方法，通过形成的氧化膜将接合晶片和基底晶片粘贴在一起，然后将接合晶片形成为薄膜，其中形成氧化物膜，使得形成在接合晶片和基底晶片中的至少一个的表面上的氧化膜的总厚度大于设置在SOI晶片中的嵌入的氧化膜的厚度然后将接合晶片和基底晶片通过形成的氧化膜粘合在一起，然后将接合晶片形成薄膜以形成SOI层，并将所获得的粘贴晶片进行热处理以减小厚度嵌入的氧化膜。因此，该方法可以制造具有非常优异的结晶度的SOI层的SOI晶片，并且尽管埋入的氧化膜的厚度减小，但是没有起泡和空隙。

3. 发明申请

WO2004102668A1 ＳＯＩウェーハおよびその製造方法审中-公开
标题翻译： SOI波形及其制造方法
公开(公告)号：WO2004102668A1
公开(公告)日：2004-11-25
申请号：PCT/JP2004/006514
申请日：2004-05-07
申请人：信越半導体株式会社 , 高野清隆 , 角田均
发明人：高野清隆 , 角田均
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76251 , Y10S65/08 , Y10T117/10
摘要：　本発明は、少なくともＳＯＩ層を具備するＳＯＩウェーハであって、該ＳＯＩ層の面方位のオフアングルが{１１０}から＜１００＞方向のみであり、かつオフアングル角度が５分以上２度以下であることを特徴とするＳＯＩウェーハ及び少なくとも、ベースウェーハとシリコン単結晶からなるボンドウェーハとを貼り合わせ、該ボンドウェーハを薄膜化してＳＯＩ層を形成するＳＯＩウェーハの製造方法において、前記ボンドウェーハとして面方位が{１１０}から＜１００＞方向のみにオフアングルされたものであり、かつオフアングル角度が５分以上２度以下のものを用いることを特徴とするＳＯＩウェーハの製造方法である。これにより高い膜厚均一性と良好なマイクロラフネスの両方を有し、高速デバイスの作製に適したＳＯＩウェーハ及びその製造方法が提供される。
摘要翻译：具有至少SOI层的SOI晶片，其特征在于，所述SOI层的面取向的偏离角限制为{110}至<100>方向，并设定在5分钟〜2度之间， SOI晶片具有通过粘贴至少基底晶片和硅单晶的接合晶片而形成的SOI层，然后使接合晶片变薄，其特征在于接合晶片具有仅从{110}到<100的偏角 >方向，偏角设定在5分和2度之间。因此，与其制造方法一起提供了具有高的膜厚均匀性和良好的微粗糙度并且适于制造高速装置的SOI晶片。

4. 发明申请

WO2004075298A1 ＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハ审中-公开
标题翻译： SOI WAFER和SOI WAFER制造方法
公开(公告)号：WO2004075298A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001557
申请日：2004-02-13
申请人：信越半導体株式会社 , 横川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆
发明人：横川功 , 阿賀浩司 , 高野清隆
IPC分类号： H01L27/12
CPC分类号： H01L21/76243 , H01L21/26533
摘要：　本発明は、少なくとも、シリコンウエーハの一方の主表面から酸素イオンを注入して酸素イオン注入層を形成した後、該シリコンウエーハに前記酸素イオン注入層を埋め込み酸化膜に変える酸化膜形成熱処理を行って、埋め込み酸化膜上にＳＯＩ層を有するＳＯＩウエーハを製造する方法において、前記シリコンウエーハに埋め込み酸化膜を形成する際に、前記製造されるＳＯＩウエーハが有する埋め込み酸化膜の厚さよりも厚くなるようにして埋め込み酸化膜の形成を行い、その後、該埋め込み酸化膜を形成したシリコンウエーハに埋め込み酸化膜の厚さを減ずる熱処理を行うことを特徴とするＳＯＩウエーハの製造方法である。これにより、ＳＩＭＯＸ法を用いて、膜厚が薄くかつ完全性の高い埋め込み酸化膜を有し、またＳＯＩ層の結晶性及び表面品質が極めて良好な高品質のＳＯＩウエーハを製造できるＳＯＩウエーハの製造方法が提供される。
摘要翻译：一种用于制造在掩埋氧化膜上具有SOI层的SOI晶片的方法，其中至少通过从其一个主表面将氧离子注入到硅晶片中而形成氧离子注入层，然后对硅晶片进行氧化将氧离子注入层转化为掩埋氧化膜的成膜热处理的特征在于，首先在硅晶片中形成掩埋氧化膜，使其厚度大于目标的最终掩埋氧化膜的厚度并且在具有用于减小掩埋氧化膜的厚度的掩埋氧化膜的硅晶片上进行热处理。通过这种方法，可以通过SIMOX工艺制造包括具有高完整性的薄掩埋氧化物膜和具有非常好的结晶度和表面质量的SOI层的高品质SOI晶片。

5. 发明专利

JP6620670B2 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法有权
公开(公告)号：JP6620670B2
公开(公告)日：2019-12-18
申请号：JP2016098073
申请日：2016-05-16
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 菅原孝世 , 太田友彦 , 浦野雅彦
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00

6. 发明专利

JP2017206400A 単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法及び単結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017206400A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：JP2016098509
申请日：2016-05-17
申请人：信越半導体株式会社
发明人：鎌田洋之 , 高野清隆 , 星亮二
IPC分类号： C30B15/22 , C30B29/06
摘要：【課題】単結晶と原料融液との間の固液界面形状を求める際に、ワイヤーの伸びによる計算結果への影響を防ぐことができる方法を提供する。【解決手段】単結晶を成長させる際の、単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法であって、単結晶の引き上げ中において、結晶重量検出手段を用いて単結晶の測定重量を測定する工程と、単結晶の引き上げ中あるいは引き上げ後に、単結晶の結晶長さ及び結晶直径から単結晶の計算重量を計算する工程と、測定重量と計算重量との差に基づいて、固液界面高さを計算により求める工程とを有し、計算重量を計算する工程において、単結晶の結晶長さとして、ワイヤードラムの回転角から求めた単結晶の長さにワイヤーの伸び分を補正して求めた結晶長さ、あるいは、種結晶の位置を直接計測する手段を用いて測定された結晶長さを用いることを特徴とする単結晶と原料融液との間の固液界面高さを求める方法。【選択図】図1

7. 发明专利

JP6222013B2 抵抗率制御方法有权
公开(公告)号：JP6222013B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014175999
申请日：2014-08-29
申请人：信越半導体株式会社
发明人：星亮二 , 鎌田洋之 , 高野清隆
IPC分类号： C30B15/04 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/04 , C30B15/20 , C30B29/06 , H01L29/167 , H01L29/7393

8. 发明专利

JP2017057127A 単結晶引き上げ装置、及び単結晶引き上げ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017057127A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015185654
申请日：2015-09-18
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
摘要：【課題】育成する単結晶中の酸素濃度を低減できるとともに、育成する単結晶中の成長縞を抑制することができる単結晶引き上げ装置を提供する。【解決手段】溶融した単結晶材料が収容される坩堝が配置され中心軸を有する引き上げ炉と、引き上げ炉の周囲に設けられ超電導コイルを有する磁場発生装置とを備えた単結晶引き上げ装置であって、磁場発生装置は、超電導コイルのコイル軸を含む水平面内の中心軸における磁力線方向をX軸としたときにX軸上の磁束密度分布が上に凸の分布であり、水平面内の中心軸における磁束密度を磁束密度設定値とした場合、X軸上の磁束密度は坩堝壁では磁束密度設定値の80%以下となると同時に、水平面内においてX軸と直交し中心軸を通るY軸上の磁束密度分布が下に凸の分布であり、Y軸上の磁束密度は坩堝壁では磁束密度設定値の140%以上となるように、磁場分布を発生させるものであることを特徴とする単結晶引き上げ装置。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2016132580A シリコン単結晶の製造方法有权
标题翻译：生产硅胶单晶的方法
公开(公告)号：JP2016132580A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015006708
申请日：2015-01-16
申请人：信越半導体株式会社
发明人：木村明浩 , 菅原孝世 , 小内駿英 , 高野清隆
IPC分类号： C30B29/06
摘要：【課題】石英ルツボにおける育成工程前後での原料融液面の高さ位置の変化量よりも短い発熱部のヒーターを用いた場合でも、シリコン単結晶の有転位化を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】ヒーターの発熱部の長さを、育成工程開始時の石英ルツボにおける初期原料融液面位置(初期ML)と、前記育成工程終了時の石英ルツボにおける終了原料融液面位置(終了ML)との間の距離より短くし、熟成工程は、原料融液に磁場を印加しながら前記原料融液を放置する第一熟成工程と、その後、前記原料融液への磁場の印加を止めて、前記原料融液を放置する第二熟成工程を含み、前記第一熟成工程及び前記第二熟成工程を、前記ヒーターの発熱部の移動範囲が、少なくとも前記初期MLから前記終了MLまでの領域となるように、前記ヒーターを石英ルツボに対して相対的に上下に移動させて行うことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种制造硅酮单晶的方法，即使使用具有发热部的加热器，也能够抑制硅酮单晶中的位错的发生，发热部的长度短于变化量在石英坩埚中的生长步骤之前和之后的材料熔融表面的高度位置。提供了制造硅单晶的方法，其中：加热器的发热部分的长度短于初始材料熔体之间的距离在生长步骤完成时石英坩埚中的生长步骤开始时的表面位置（初始ML）和完成材料熔融表面位置（完成ML）; 成熟步骤包括在材料熔体施加磁场的同时使材料熔融物保持原样的第一成熟步骤，以及随后的第二成熟步骤，终止对材料熔体施加磁场并使材料熔化; 第一成熟步骤和第二熟化步骤通过使加热器相对于石英坩埚垂直移动，使加热器的发热部分的运动范围至少在从初始ML到完成ML.SELECTED图：图1

10. 发明专利

JP2020183334A 単結晶引き上げ装置及び単結晶引き上げ方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020183334A
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2019088473
申请日：2019-05-08
申请人：信越半導体株式会社
发明人：高野清隆 , 矢島渉 , 菅原孝世 , 鎌田洋之 , 太田友彦
IPC分类号： C30B15/00
摘要：【課題】単結晶引き上げ装置の解体・セット時に磁場発生装置を移動させる必要がなく、育成する単結晶中の酸素濃度を低減できるとともに、育成する単結晶中の成長縞を抑制することができる単結晶引き上げ装置を提供する。【解決手段】加熱ヒーター及び坩堝が配置され中心軸を有する引き上げ炉と、超電導コイルを有する磁場発生装置とを備える単結晶引き上げ装置であって、磁場発生装置は、超電導コイルを4個有し、4個の超電導コイルの全てのコイル軸が含まれる水平面内の中心軸における磁力線方向であるX軸と引き上げ炉の中心軸を含む断面で分けられる両領域に、それぞれ2個ずつの超電導コイルが断面に対して線対称に配置されており、4個の超電導コイルは、いずれもコイル軸がY軸に対して−30°超30°未満の角度の範囲となるよう配置されており、その磁力線の方向は、断面に対して線対称であり、領域のそれぞれにおいて、2個の超電導コイルは、発生する磁力線の方向が逆である単結晶引き上げ装置。【選択図】図1

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