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    • 8. 发明申请
    • 칼코제나이드 박막 형성방법
    • 形成聚乙烯薄膜的方法
    • WO2009128655A2
    • 2009-10-22
    • PCT/KR2009/001959
    • 2009-04-16
    • 주식회사 아이피에스이기훈이정욱유동호
    • 이기훈이정욱유동호
    • H01L21/205
    • C23C16/305C23C16/042C23C16/45527
    • 상변화 메모리용 칼코제나이드(chalcogenide) 박막 형성방법이 개시된다. 본 발명에 따른 칼코제나이드 박막 형성방법은 반응기 내부에 패턴이 형성되어 있는 기판을 로딩하고, 소스가스를 기판 상에 공급한다. 이때 소스가스는 소스가스는 Ge 원료가스, Ga 원료가스, In 원료가스, Se 원료가스, Sb 원료가스, Te 원료가스, Sn 원료가스, Ag 원료가스 및 S 원료가스 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진다. 그 리고 기판 상에 공급된 소스가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제1퍼지가스를 공급하 고, 기판 상에 소스가스를 환원시키기 위한 반응가스를 공급하고, 기판 상에 공급 된 반응가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제2퍼지가스를 공급한다. 그리고 패턴 내 부의 증착속도가 패턴 상부의 증착속도보다 크게 되도록 제1퍼지가스의 공급 시간 변경 및 반응기 내부의 압력 조절 중 적어도 하나를 수행한다. 본 발명에 따르면, 패턴의 상부에 박막이 형성되는 속도보다 패턴의 내부에 박막이 형성되는 속도가 크게 되도록 소스가스를 퍼지하는 시간을 변경하거나 반응기 내부의 압력을 조절함 으로써 갭-필(gap-fill) 특성이 우수한 칼코제나이드 박막을 형성할 수 있다. 상변화 메모리용 칼코제나이드(chalcogenide) 박막 형성방법이 개시된다. 본 발명에 따른 칼코제나이드 박막 형성방법은 반응기 내부에 패턴이 형성되어 있는 기판을 로딩하고, 소스가스를 기판 상에 공급한다. 이때 소스가스는 소스가스는 Ge 원료가스, Ga 원료가스, In 원료가스, Se 원료가스, Sb 원료가스, Te 원료가스, Sn 원료가스, Ag 원료가스 및 S 원료가스 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진다. 그 리고 기판 상에 공급된 소스가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제1퍼지가스를 공급하 고, 기판 상에 소스가스를 환원시키기 위한 반응가스를 공급하고, 기판 상에 공급 된 반응가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제2퍼지가스를 공급한다. 그리고 패턴 내 부의 증착속도가 패턴 상부의 증착속도보다 크게 되도록 제1퍼지가스의 공급 시간 변경 및 반응기 내부의 압력 조절 중 적어도 하나를 수행한다. 본 발명에 따르면, 패턴의 상부에 박막이 형성되는 속도보다 패턴의 내부에 박막이 형성되는 속도가 크게 되도록 소스가스를 퍼지하는 시간을 변경하거나 반응기 내부의 압력을 조절함 으로써 갭-필(gap-fill) 특성이 우수한 칼코제나이드 박막을 형성할 수 있다.
    • 本发明涉及一种形成用于相变存储器的硫族化物薄膜的方法。 在根据本发明的形成硫族化物薄膜的方法中,将形成有图案的基板装载到反应器中,并将源气体供应到基板上。 这里,源气体包括选自锗(Ge)源气体,镓(Ga)源气体,铟(In)源气体,硒(Se)源气体,锑(Sb)源气体,碲( Te)源气体,锡(Sn)源气体,银(Ag)源气体和硫(S)源气体。 为了清洗供给到基板上的源气体,将第一吹扫气体供给到基板上,然后将用于还原原料气体的反应气体供给到基板上,向基板供给第二吹扫气体以便吹扫 供给到基板上的反应气体。 执行至少一种操作,即改变第一吹扫气体的供应时间和/或调节反应器的内部压力,以确保图案内部的沉积速率大于沉积物的沉积速率 速率在图案的上部。 根据本发明,可以通过改变源气体的吹扫时间或调节反应器的内部压力来形成具有优异间隙填充性质的硫族化物薄膜,以确保成膜 在图案的内部的速率大于图案上部的成膜速率。
    • 9. 发明申请
    • 박막 증착 방법
    • WO2012102495A3
    • 2012-08-02
    • PCT/KR2012/000075
    • 2012-01-04
    • 주식회사 원익아이피에스박영훈윤원준이기훈
    • 박영훈윤원준이기훈
    • H01L21/205
    • 종래 ALD 또는 싸이클릭 CVD보다 높은 생산성으로 박막을 증착할 수 있는 박막 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 박막 증착 방법은 반응기 내부에 설치되고, 기판이 안착되는 복수의 기판 안착부가 마련되어 있는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부 상부에 설치되고, 1종 이상의 가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 가스 분사부;를 구비하며, 상기 기판 지지부와 가스 분사부가 상대 회전 가능하게 설치되는 박막 증착 장치를 이용하여 박막을 증착하는 방법으로, (a) 상기 기판 안착부에 복수의 기판을 안착시키는 단계; (b) 상기 기판 지지부와 가스 분사부를 상대 회전시키면서, 상기 가스 분사부를 통해 원료 가스 및 상기 원료 가스와 반응하는 반응 가스를 상기 기판 지지부 상에 공급하여 상기 기판 상에 박막을 증착하는 단계; (c) 상기 기판 지지부와 가스 분사부를 상대 회전시키면서, 상기 가스 분사부를 통해 불활성 가스를 상기 기판 지지부 상에 공급하여 퍼지하는 단계; 및 (d) 상기 기판 지지부와 가스 분사부를 상대 회전시키면서, 상기 가스 분사부를 통해 후처리 가스를 상기 기판 지지부 상에 공급하여 후처리하는 단계;를 포함하는 박막 증착 방법이다.