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1. 发明申请

WO2011062357A2 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치 审中-公开
标题翻译：淋浴头组件和薄膜沉积装置包括相同的
公开(公告)号：WO2011062357A2
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：PCT/KR2010/006206
申请日：2010-09-13
申请人： 주식회사 아이피에스 , 한창희 , 류동호 , 이기훈
发明人： 한창희 , 류동호 , 이기훈
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4401 , C23C16/45536 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/509
摘要： 본 발명은 원자층 증착법 및 화학적 기상 증착법을 모두 구현할 수 있는 샤워헤드 어셈블리 및 이를 구비한 박막증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 하나의 장치로 원자층 증착법과 화학적 기상 증착법을 모두 구현할 수 있으므로, 장치의 경제성 및 효율성이 향상되며, 장치의 내부에 파티클이 누적되는 것이 방지된다.
摘要翻译：本发明涉及可实现原子层沉积和化学气相沉积两者的淋浴头组件，以及包括淋浴头组件的薄膜沉积设备。根据本发明，可以使用单个装置来实现原子层沉积和化学气相沉积，改善了器件的经济可行性和效率，并且防止了颗粒积聚在器件内。

2. 发明申请

WO2009128655A2 칼코제나이드 박막 형성방법 审中-公开
标题翻译：形成聚乙烯薄膜的方法

公开(公告)号：WO2009128655A2

公开(公告)日：2009-10-22

申请号：PCT/KR2009/001959

申请日：2009-04-16

申请人： 주식회사 아이피에스 , 이기훈 , 이정욱 , 유동호

发明人： 이기훈 , 이정욱 , 유동호

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/305 , C23C16/042 , C23C16/45527

摘要： 상변화 메모리용 칼코제나이드(chalcogenide) 박막 형성방법이 개시된다. 본 발명에 따른 칼코제나이드 박막 형성방법은 반응기 내부에 패턴이 형성되어 있는 기판을 로딩하고, 소스가스를 기판 상에 공급한다. 이때 소스가스는 소스가스는 Ge 원료가스, Ga 원료가스, In 원료가스, Se 원료가스, Sb 원료가스, Te 원료가스, Sn 원료가스, Ag 원료가스 및 S 원료가스 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진다. 그 리고 기판 상에 공급된 소스가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제1퍼지가스를 공급하 고, 기판 상에 소스가스를 환원시키기 위한 반응가스를 공급하고, 기판 상에 공급 된 반응가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제2퍼지가스를 공급한다. 그리고 패턴 내 부의 증착속도가 패턴 상부의 증착속도보다 크게 되도록 제1퍼지가스의 공급 시간 변경 및 반응기 내부의 압력 조절 중 적어도 하나를 수행한다. 본 발명에 따르면, 패턴의 상부에 박막이 형성되는 속도보다 패턴의 내부에 박막이 형성되는 속도가 크게 되도록 소스가스를 퍼지하는 시간을 변경하거나 반응기 내부의 압력을 조절함 으로써 갭-필(gap-fill) 특성이 우수한 칼코제나이드 박막을 형성할 수 있다. 상변화 메모리용 칼코제나이드(chalcogenide) 박막 형성방법이 개시된다. 본 발명에 따른 칼코제나이드 박막 형성방법은 반응기 내부에 패턴이 형성되어 있는 기판을 로딩하고, 소스가스를 기판 상에 공급한다. 이때 소스가스는 소스가스는 Ge 원료가스, Ga 원료가스, In 원료가스, Se 원료가스, Sb 원료가스, Te 원료가스, Sn 원료가스, Ag 원료가스 및 S 원료가스 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진다. 그 리고 기판 상에 공급된 소스가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제1퍼지가스를 공급하 고, 기판 상에 소스가스를 환원시키기 위한 반응가스를 공급하고, 기판 상에 공급 된 반응가스를 퍼지하기 위해 기판 상에 제2퍼지가스를 공급한다. 그리고 패턴 내 부의 증착속도가 패턴 상부의 증착속도보다 크게 되도록 제1퍼지가스의 공급 시간 변경 및 반응기 내부의 압력 조절 중 적어도 하나를 수행한다. 본 발명에 따르면, 패턴의 상부에 박막이 형성되는 속도보다 패턴의 내부에 박막이 형성되는 속도가 크게 되도록 소스가스를 퍼지하는 시간을 변경하거나 반응기 내부의 압력을 조절함 으로써 갭-필(gap-fill) 특성이 우수한 칼코제나이드 박막을 형성할 수 있다.

摘要翻译：本发明涉及一种形成用于相变存储器的硫族化物薄膜的方法。在根据本发明的形成硫族化物薄膜的方法中，将形成有图案的基板装载到反应器中，并将源气体供应到基板上。这里，源气体包括选自锗（Ge）源气体，镓（Ga）源气体，铟（In）源气体，硒（Se）源气体，锑（Sb）源气体，碲（ Te）源气体，锡（Sn）源气体，银（Ag）源气体和硫（S）源气体。为了清洗供给到基板上的源气体，将第一吹扫气体供给到基板上，然后将用于还原原料气体的反应气体供给到基板上，向基板供给第二吹扫气体以便吹扫供给到基板上的反应气体。执行至少一种操作，即改变第一吹扫气体的供应时间和/或调节反应器的内部压力，以确保图案内部的沉积速率大于沉积物的沉积速率速率在图案的上部。根据本发明，可以通过改变源气体的吹扫时间或调节反应器的内部压力来形成具有优异间隙填充性质的硫族化物薄膜，以确保成膜在图案的内部的速率大于图案上部的成膜速率。

3. 发明申请

WO2012141489A2 반도체 제조장치 및 제조방법 审中-公开
标题翻译：半导体制造装置及其制造方法
公开(公告)号：WO2012141489A2
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/KR2012/002741
申请日：2012-04-12
申请人： 주식회사 원익아이피에스 , 이기훈 , 류동호
发明人： 이기훈 , 류동호
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： F17D1/04 , H01L21/67196 , H01L21/67201 , H01L21/76883 , Y10T137/0318 , Y10T137/6966
摘要： 반도체 금속배선 공정에 적용될 수 있는 반도체 제조장치 및 제조방법에 관한 것이다. 반도체 제조장치는 로드락 챔버와, 적어도 하나 이상의 공정 챔버와, 이송 챔버, 및 산화방지가스 공급부를 포함한다. 공정 챔버는 기판을 공급받아서 어닐링(annealing) 공정을 처리한다. 이송 챔버는 로드락 챔버와 공정 챔버 사이에서 기판을 이송한다. 산화방지가스 공급부는 이송 챔버와 로드락 챔버 중 적어도 한쪽으로 산화방지가스를 공급한다.
摘要翻译：本发明涉及可应用于半导体金属互连工艺中的半导体制造装置及其制造方法。半导体制造装置包括负载锁定室，至少一个处理室，转移室和防氧化气体供应单元。处理室通过接收衬底来处理退火过程。传送室在负载锁定室和处理室之间传送衬底。氧化防止气体供给单元将氧化防止气体供给到传送室或负荷锁定室中。

4. 发明申请

WO2010140835A2 신규한 피리돈 화합물 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 암 치료용 약학 조성물 审中-公开
标题翻译：新颖的吡咯烷酮化合物或其药学上可接受的盐，其生产方法和含有其的药物组合物用于治疗癌症
公开(公告)号：WO2010140835A2
公开(公告)日：2010-12-09
申请号：PCT/KR2010/003539
申请日：2010-06-01
申请人： 연세대학교 산학협력단 , 한국생명공학연구원 , 주식회사바이오러넥스 , 한균희 , 최은현 , 이철호 , 박정은 , 조미선 , 서정제 , 김환묵 , 박성규 , 이기호 , 이창우 , 이기훈 , 김현정
发明人： 한균희 , 최은현 , 이철호 , 박정은 , 조미선 , 서정제 , 김환묵 , 박성규 , 이기호 , 이창우 , 이기훈 , 김현정
IPC分类号： C07D211/34 , C07D211/74
CPC分类号： C07D213/64 , C07D401/06 , C07D405/06 , C07D409/06
摘要： 본 발명은 신규한 피리돈 화합물 또는 이의 약학적으로 허용가능한 염, 이의 제조방법 및 이를 포함하는 암 치료용 약학 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화합물은 RUNX의 활성을 유도하는 HDAC 저해제들로 종양세포 성장 억제 효과가 우수하므로, 암 질환 치료에 유용하게 이용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及新颖的吡啶酮化合物或其药学上可接受的盐，其制备方法和含有它们的用于治疗癌症的药物组合物。根据本发明的化合物利用HDAC抑制剂中发现的RUNX活性的优异效果来抑制肿瘤细胞生长，因此可用于治疗癌症。

5. 发明申请

WO2012086917A3 클라우드 컴퓨팅 환경에서 게임 서비스 제공 방법, 클라우드 컴퓨팅 서버, 및 클라우드 컴퓨팅 시스템 审中-公开
公开(公告)号：WO2012086917A3
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：PCT/KR2011/008220
申请日：2011-10-31
申请人： (주)케이티 , 김이길 , 권순종 , 백규태 , 이기훈
发明人： 김이길 , 권순종 , 백규태 , 이기훈
IPC分类号： G06Q50/00
摘要： 본 발명은 클라우드 컴퓨팅 환경에서 게임 서비스 제공 방법, 클라우드 컴퓨팅 서버, 및 클라우드 컴퓨팅 시스템에 관한 것으로, 클라우드 컴퓨팅 서버는 하나 이상의 게임을 실행하는 게임 서버, 및 상기 실행되는 하나 이상의 게임의 AV(Audio-Vidio) 데이터를 캡쳐하고, 상기 캡쳐된 AV 데이터를 인코딩하고, 상기 인코딩된 AV 데이터를 하나 이상의 사용자 단말로 스트리밍하는 스트리밍 서버를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.

6. 发明申请

WO2010030138A3 무선 네트워크에서의 통신 수행 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2010030138A3
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/KR2009/005161
申请日：2009-09-11
申请人： 엘지전자 주식회사 , 이기훈
发明人： 이기훈
IPC分类号： H04L12/28
摘要： 본 발명은 무선 네트워크에서 소프트웨어 업그레이드를 위한 통신 수행 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 양상에 따르는 통신 수행 방법은, 무선 네트워크의 특정 디바이스에서 소프트웨어 업그레이드를 위한 통신 수행 방법에 있어서, 상기 디바이스에서 사용 중인 적어도 하나 이상의 소프트웨어의 버전을 지시하는 정보를 포함하는 제1 메시지를 상기 무선 네트워크의 조정기로 전송하는 단계와, 상기 디바이스가 소프트웨어 업그레이드를 수행할 필요가 있는지의 여부를 지시하는 지시정보를 포함하는 제2 메시지를 상기 조정기로부터 수신하는 단계를 포함하여 구성된다.

7. 发明申请

WO2012053787A2 ＨＩＦ-1 활성을 저해하는 아릴옥시페녹시아크릴계 화합물, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 약학적 조성물 审中-公开
标题翻译：具有HIF-1抑制活性的芳族羟基丙烯酸酯化合物，其制备方法和含有活性成分的药物组合物
公开(公告)号：WO2012053787A2
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/KR2011/007710
申请日：2011-10-17
申请人： 한국생명공학연구원 , 동국대학교 산학협력단 , 이경 , 원미선 , 김환묵 , 박성규 , 이기호 , 이기훈 , 이창우 , 이정준 , 정경숙 , 김보경 , 김영란 , 이승희
发明人： 이경 , 원미선 , 김환묵 , 박성규 , 이기호 , 이기훈 , 이창우 , 이정준 , 정경숙 , 김보경 , 김영란 , 이승희
IPC分类号： C07C235/38 , C07C231/02 , A61K31/167 , A61P35/00
CPC分类号： A61K31/5375 , A61K9/0019 , A61K9/08 , A61K9/14 , A61K9/20 , A61K9/48 , A61K31/167 , A61K31/196 , A61K31/24 , A61K31/34 , A61K31/40 , A61K31/417 , A61K31/4409 , C07C233/07 , C07C235/28 , C07C311/16 , C07C311/46 , C07C317/40 , C07C2603/74 , C07D295/088
摘要： 본 발명은 HIF-1 활성을 저해하는 화합물, 이의 제조방법 및 이를 유효성분으로 함유하는 약학적 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 화합물은 비선택적인 세포독성에 의해 항암 활성을 나타내는 것이 아니라, 암세포의 성장 및 전이에 중요한 역할을 하는 전사인자인 HIF-1의 활성을 저해하여 항암 활성을 나타낸다. 따라서, 본 발명에 따른 화합물 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 HIF-1 활성을 저해하여 대장암, 간암, 위암 및 유방암 등의 다양한 고형암 질환의 치료제로 사용될 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 화합물 또는 이의 약학적으로 허용되는 염은 저산소 상태에서 HIF-1에 의한 VEGF의 발현이 증가되어 악화되는 당뇨병성 망막증이나 관절염 치료제의 유효성분으로 사용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及具有HIF-1抑制活性的化合物，其制备方法和含有该抑制活性成分的药物组合物。本发明的化合物通过抑制作为在癌细胞生长和转移中起重要作用的转录因子的HIF-1的活性而表现出抗癌活性，并且不表示非选择性，细胞毒性的抗肿瘤活性。因此，根据本发明的化合物或其药学上可接受的盐抑制HIF-1活性，因此可以用作结肠癌，肝癌，胃癌和乳腺癌等实体瘤的治疗剂。此外，根据本发明的化合物或其药学上可接受的盐可以用作用于糖尿病性视网膜病变或关节炎的治疗剂的活性成分，当HIF-1的缺氧诱导的VEGF表达增加时，可能变差。

8. 发明申请

WO2012102495A3 박막 증착 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2012102495A3
公开(公告)日：2012-08-02
申请号：PCT/KR2012/000075
申请日：2012-01-04
申请人： 주식회사 원익아이피에스 , 박영훈 , 윤원준 , 이기훈
发明人： 박영훈 , 윤원준 , 이기훈
IPC分类号： H01L21/205
摘要： 종래 ALD 또는 싸이클릭 CVD보다 높은 생산성으로 박막을 증착할 수 있는 박막 증착 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 박막 증착 방법은 반응기 내부에 설치되고, 기판이 안착되는 복수의 기판 안착부가 마련되어 있는 기판 지지부; 및 상기 기판 지지부 상부에 설치되고, 1종 이상의 가스를 상기 기판 지지부 상으로 공급하는 가스 분사부;를 구비하며, 상기 기판 지지부와 가스 분사부가 상대 회전 가능하게 설치되는 박막 증착 장치를 이용하여 박막을 증착하는 방법으로, (a) 상기 기판 안착부에 복수의 기판을 안착시키는 단계; (b) 상기 기판 지지부와 가스 분사부를 상대 회전시키면서, 상기 가스 분사부를 통해 원료 가스 및 상기 원료 가스와 반응하는 반응 가스를 상기 기판 지지부 상에 공급하여 상기 기판 상에 박막을 증착하는 단계; (c) 상기 기판 지지부와 가스 분사부를 상대 회전시키면서, 상기 가스 분사부를 통해 불활성 가스를 상기 기판 지지부 상에 공급하여 퍼지하는 단계; 및 (d) 상기 기판 지지부와 가스 분사부를 상대 회전시키면서, 상기 가스 분사부를 통해 후처리 가스를 상기 기판 지지부 상에 공급하여 후처리하는 단계;를 포함하는 박막 증착 방법이다.

9. 发明申请

WO2012033325A3 투자자금 유통경로 운영시스템 및 운영방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2012033325A3
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：PCT/KR2011/006585
申请日：2011-09-06
申请人： 삼성증권 주식회사 , 이기훈 , 배진흥
发明人： 이기훈 , 배진흥
IPC分类号： G06Q40/00
摘要： 본 발명은 투자자금 운영시스템 및 운영방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 IM 관리 기간계 서버의 통신 파이프라인 내에 복수개의 모듈을 체계적으로 연결 배치하고, 이를 통해 IM 리벨런싱 계기상황 발생 시, 고객이 보유한 복수의 유니트들이 서로 간에 마치 그물망 같이 촘촘하게 연결된 일련의 IM 리벨런싱 경로망을 형성할 수 있도록 유도함으로써, 고객 또는 IM 관리업체 측에서 IP의 리벨런싱 경로 또는 IP 포트폴리오의 단순화를 넘어, 이들을 여러 가지 패턴으로 다양화시키면서, 그에 따른 경제적 이익을 효과적으로 향유할 수 있도록 가이드 할 수 있다.

10. 发明申请

WO2012141544A2 ＴＳＶ 측정용 간섭계 및 이를 이용한 측정방법 审中-公开
标题翻译：用于TSV测量的干涉仪和使用相同的测量方法
公开(公告)号：WO2012141544A2
公开(公告)日：2012-10-18
申请号：PCT/KR2012/002843
申请日：2012-04-13
申请人： 에스엔유 프리시젼 주식회사 , 이기훈 , 신흥현 , 박희재
发明人： 이기훈 , 신흥현 , 박희재
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01B11/24 , G01B2210/56 , H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 본 발명은TSV 측정용 간섭계 및 이를 이용한 측정방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 TSV 측정용 간섭계는 광원으로부터 생성된 광이 입사되어 서로 수직인 제1방향과 제2방향으로 분할하여 출력하며, 상기 제1방향과 제2방향으로부터 입력되는 광을 결합하여 결합광으로 출력하는 빔 스플리터; 상기 제1방향 또는 상기 제2방향에 각각 배치되어 상기 빔 스플리터로부터 출력된 출력광이 입력된 후 상기 빔 스플리터로 반사하는 미러와 적어도 하나의 TSV가 형성된 측정대상물; 상기 미러 및 상기 측정대상물로부터 반사되어 상기 빔 스플리터로부터 출력된 결합광을 입력받고, 상기 결합광을 통해 간섭신호가 형성되는 촬상수단; 상기 빔 스플리터와 상기 촬상수단의 사이에 위치하거나 상기 빔 스플리터와 상기 측정대상물의 사이에 위치하는 대물렌즈; 및, 상기 빔 스플리터와 상기 촬상수단의 사이에 위치하여 상기 측정대상물로 분할된 광의 초점이 상기 TSV의 입구인 기준위치와 상기 TSV의 바닥면인 가변위치로 조절되도록 하는 가변형 필드 스톱;을 포함하여, 상기 기준위치에서의 간섭신호와 상기 가변위치에서의 간섭신호를 토대로 상기 비아홀의 직경과 깊이를 측정하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여, TSV 측정시 TSV의 입구와 바닥면으로 광의 초점이 조절되도록 하는 가변형 필드 스톱을 이용하여 TSV의 직경 및 깊이를 측정하여 측정시간 및 결과데이터의 용량을 줄일 수 있고, TSV로 입사되는 광이 실질적으로 직선광이 되도록 하는 텔레센트릭 렌즈를 이용하여, TSV와 같은 종횡비가 큰 경우에도 바닥면까지 도달하는 광량이 확보되어 측정의 정확도를 향상시킬 수 있는 TSV 측정용 간섭계 및 이를 이용한 측정방법이 제공된다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于TSV测量的干涉仪和使用该干涉仪的测量方法，根据本发明，用于TSV测量的干涉仪包括：分束器，从光源产生的光入射到其上并被分割; 在彼此垂直的第一方向和第二方向上输出，并且组合从所述第一方向和所述第二方向输入的光，并输出组合的光; 具有反射镜和至少一个TSV的测量对象，其中所述反射镜分别设置在所述第一方向或所述第二方向上，并且在输入光之后将从所述分束器输出的输出光反射到所述分束器; 接收从所述反射镜和所述测量对象反射并从所述分束器输出的组合光的成像装置，并通过所述组合光形成干涉信号; 位于所述分束器和所述成像装置之间或位于所述分束器和所述测量对象之间的物镜; 以及位于所述分束器和所述成像装置之间的可变场停止件，使得可以将分配在所述测量对象上的光的焦点调整到作为所述TSV的入口的参考位置和可变位置，其是所述TSV的底表面，由此基于所述参考位置处的干扰信号和所述可变位置处的干扰信号来测量通孔的直径和深度。因此，本发明提供了用于TSV测量的干涉仪和使用该干涉仪的测量方法，其中：通过使用用于将光的焦点调节到入口和底部的可变场停止来测量TSV的直径和深度在TSV测量期间TSV的表面，从而减少测量时间和结果数据的容量; 并且使用能够使入射在TSV上的光基本上变成直线光的远心透镜，使得尽管诸如TSV的纵横比较大，辐射的强度可以到达底面，从而提高了测量精度。

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