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    • 1. 发明申请
    • VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUM REDUNDANTEN ANODEN-SPUTTERN MIT EINER DUAL-ANODEN-ANORDNUNG
    • 方法和设备,用于冗余阳极溅射,双阳极结构
    • WO2009040406A2
    • 2009-04-02
    • PCT/EP2008/062881
    • 2008-09-25
    • VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBHTESCHNER, GoetzMIRRING, EnnoSTRUEMPFEL, JohannesHEISIG, Andreas
    • TESCHNER, GoetzMIRRING, EnnoSTRUEMPFEL, JohannesHEISIG, Andreas
    • H01J37/34
    • H01J37/34C23C14/3407C23C14/564H01J37/3438H01J37/3444
    • Der Erfindung, die ein Verfahren, bei dem zwei Anoden entgegengesetzt zueinander abwechselnd als Anode der Plasmaentladung und als Kathode zur Selbstreinigung betrieben werden und die Kathode der Plasmaentladung wiederkehrend kurzzeitig umgepolt wird, und eine Anordnung umfassend eine Kathode und eine erste und eine zweite Anode, die mittels einer H-Brückenschaltung mit Spannung versorgt werden, betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, die Wirkung des redundanten Anodensputterns mit Dual-Anoden zu verbessern und die Bauelementesicherheit zu erhöhen. Dies wird dadurch gelöst, dass die DC-Stromversorgung als eine Pulsstromversorgung ausgebildet ist, dass die Umpolung der Kathodenspannung aus der Pulsstromversorgung bewirkt wird, zu jedem Zeitpunkt mindestens eine Anode auf positivem Potential und zeitweise während einer Ätzzeit die andere Anode auf negativem Potential liegt und die H-Brückenschaltung so mit der Pulsstromversorgung in Wirkverbindung steht, dass zu jedem Zeitpunkt mindestens eine Anode auf positivem Potential liegt.
    • 本发明,其操作彼此交替作为等离子体放电的阳极和作为阴极的自清洁,其中两个阳极对置和等离子体放电的阴极反向重复短时间的方法,以及一种装置,其包括阴极以及第一和第二阳极, 由H桥电路具有电压涉及,其目的是改进所述冗余Anodensputterns的双阳极的影响,并增加了安全装置的方式来提供。 这得以实现,所述直流电源形成为阴极电压的极性反转从脉冲电源进行脉冲电源,至少一个阳极在正电位,并且在任何时间不时在蚀刻时间和其它阳极处于负电位,而 H桥电路,以便与操作连接脉冲电源连通,至少一个阳极位于正电位的任何点。
    • 2. 发明申请
    • METHOD AND ARRANGEMENT FOR REDUNDANT ANODE SPUTTERING HAVING A DUAL ANODE ARRANGEMENT
    • 方法和设备,用于冗余阳极溅射,双阳极结构
    • WO2009040406A3
    • 2009-06-04
    • PCT/EP2008062881
    • 2008-09-25
    • ARDENNE ANLAGENTECH GMBHTESCHNER GOETZMIRRING ENNOSTRUEMPFEL JOHANNESHEISIG ANDREAS
    • TESCHNER GOETZMIRRING ENNOSTRUEMPFEL JOHANNESHEISIG ANDREAS
    • H01J37/34C23C14/56
    • H01J37/34C23C14/3407C23C14/564H01J37/3438H01J37/3444
    • The invention relates to a method in which two anodes are operated alternately opposite each other as plasma discharge anodes and as cathodes for self-cleaning, and the cathodes of the plasma discharge are recurrently briefly reversed in polarity, and an arrangement comprising a cathode (3) and a first (1) and a second (2) anode supplied with voltage by means of an H-bridge circuit, with the object of increasing the efficiency of redundant anode sputtering having dual anodes, and increasing component reliability. The aim is achieved in that the DC current supply is designed as a pulse current supply (6), in that the pole reversal of the cathode voltage is effected by the pulse current supply, at least one anode being at positive potential at all times and the other anode being intermittently at negative potential during an etching time, and the H-bridge circuit being operationally connected to the pulse current supply, such that at least one anode is at positive potential at all times.
    • 本发明,其操作彼此交替作为等离子体放电的阳极,并作为自清洁,其中两个阳极对置的方法和等离子体放电的阴极反向重复短时间的阴极和包括阴极(3)的布置和第一(1) 和第二阳极(2),这是由H桥电路的方式与电压涉及,其目的是改进所述冗余Anodensputterns的双阳极的影响,并增加了安全装置提供。 这得以实现,所述直流电源形成为阴极电压的极反转从脉冲电源在蚀刻时间实现,在任何时间至少一个阳极在正电位,并在时间和其它阳极处于负电位的脉冲电源(6) 位于和H桥电路,以便与操作连接脉冲电源即在任何时候在正电位的至少一个阳极连通。
    • 3. 发明申请
    • VERFAHREN UND ANORDNUNG ZUM REDUNDANTEN ANODEN-SPUTTERN
    • 方法和设备,用于冗余阳极溅射
    • WO2007051461A1
    • 2007-05-10
    • PCT/DE2006/001942
    • 2006-11-06
    • VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBHTESCHNER, GoetzMILDE, FalkMIRRING, EnnoMEISSNER, FalkGROSSER, Goetz
    • TESCHNER, GoetzMILDE, FalkMIRRING, EnnoMEISSNER, FalkGROSSER, Goetz
    • H01J37/34C23C14/35
    • H01J37/3444C23C14/354C23C14/564H01J37/32532H01J37/3405H01J37/3408H01J37/3438
    • Der Erfindung, die ein Verfahren zum Beschichten eines Substrats mit einer als Magnetron ausgebildeten Kathode, neben der zwei Elektroden wechselweise mit positivem Potenzial (Anodenpotenzial) oder mit negativem Potenzial beaufschlagt werden, und eine Anordnung zum Beschichten eines Substrats mit einer Vakuumkammer, einer Magnetron-Kathode, zwei Elektroden und einer Spannungsquelle betrifft, liegt die Aufgabe zugrunde, die Qualität von Substratbeschichtungen durch eine Erhöhung der Schichtdickengleichmäßigkeit und durch eine Verringerung von durch redundante Anoden hervorgerufene Verunreinigung des Substrates zu erhöhen. Dies wird verfahrensseitig dadurch gelöst, dass das negative Potenzial mit einer Höhe erzeugt wird, die höchstens gleich der Höhe des Kathodenpotenziales ist. Damit wird vermieden, dass die zu reinigende Elektrode stärker abgetragen wird, als sie in der vorangegangenen Halbwelle beschichtet wurde. Die anordnungsseitige Lösung sieht vor, dass die Magnetron-Kathode und die Elektroden über Schaltelemente mit der Spannungsquelle ohne eine galvanischen verbunden sind, derart, dass an den Elektroden wechselweise eine aus der Spannungsquelle erzeugte negative und positive Spannung anlegbar ist, deren Höhe höchstens gleich der Kathodenspannung ist.
    • 本发明的涂料与形成为磁控管阴极,除了两个电极交替地具有正电位(阳极电位),或与负电位被施加一基板的方法,以及用于与真空腔室中涂覆衬底的布置中,一个磁控管阴极 是指两个电极和其目的,通过增加所造成的基片的多余的阳极污染的减小层厚度和均匀性,以增加衬底涂层的质量的电压源。 此过程相互实现,即负电位与高度,其至多等于阴极Potenziales的高度产生的。 这确保了待清洁的电极是更磨损比它涂布在前面的半波被避免。 排列侧解决方案提供了磁控管阴极和电极经由开关元件与电压源无电镀这样连接,使得在电极中,从电压源产生的负的和正的电压可以交替施加,该高度至多等于阴极电压 是。
    • 4. 发明申请
    • VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR BESCHICHTUNG EINES SUBSTRATS MIT EINER DEFINIERTEN SCHICHTDICKENVERTEILUNG
    • 方法和装置用于涂布基材与定义的厚度分布
    • WO2008015159A1
    • 2008-02-07
    • PCT/EP2007/057730
    • 2007-07-26
    • VON ARDENNE ANLAGENTECHNIK GMBHTEICHERT, BerndMILDE, FalkTESCHNER, GoetzMAEDLER, Eckehard
    • TEICHERT, BerndMILDE, FalkTESCHNER, GoetzMAEDLER, Eckehard
    • H01J37/34C23C14/54
    • C23C14/56C23C14/542H01J37/32568H01J37/32752
    • Der Erfindung, die ein Verfahren und eine Vorrichtung zur Beschichtung eines Substrats mit einer definierten Schichtdickenverteilung in einem Vakuumbeschichtungsprozess mittels einer dem Substrat gegenüber liegenden, im wesentlichen kontinuierlich und gleichmäßig betriebenen Beschichtungsquelle betrifft, wobei das Substrat und die Beschichtungsquelle relativ zueinander bewegt werden, liegt die Aufgabenstellung zugrunde, ein Arbeitsverfahren zur Einstellung einer gezielten Schichtdickenverteilung einer Schicht anzugeben, welche in einem Vakuumbeschichtungsprozess auf verschieden geformte Substrat auftragbar ist. Erfindungsgemäß wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass das Substrat mittels des ersten Transportsystems und/oder die Beschichtungsquelle mittels eines zweiten Transportsystems relativ zueinander bewegt werden, wodurch Substrat und/oder Beschichtungsquelle eine Reihe aufeinander folgender, definierter Positionen einnehmen und in jeder der Positionen eine unabhängig einstellbare Verweilzeit verharren und dass das Anfahren der Positionen sowie die Verweilzeiten durch miteinander synchronisierte Steuerungen der beiden Transportsysteme entsprechend der positionsabhängigen Verweilfunktion erfolgt.
    • 这提供了通过基底相反的手段涂布在真空涂敷工艺限定的层厚度分布的基板的方法和设备本发明,基本上连续且均匀地操作涂布源而言,其特征在于,所述基板和所述涂布源相对于彼此移动的位置,该任务 指定基于设置的膜,其是在各种形状的基材上的真空涂覆过程可涂布的靶向膜厚度分布的加工方法。 根据本发明,所述目的的实现在于,所述第一传输系统和/或涂层源的衬底是指由相对于第二运输系统彼此的装置被移动,从而在基底和/或涂层源采取一系列连续,定义的位置,并且独立调节在每个位置 仍停留时间和该位置和停留时间的方法是通过两个输送系统的相互同步的控制,根据与位置相关的停留功能进行。