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1. 发明申请

WO2012069208A1 SUBSTRATE HOLDER FOR THE SURFACE TREATMENT OF SUBSTRATES, AND USE OF THE SUBSTRATE HOLDER 审中-公开
标题翻译：用于表面处理基材和使用基材支架的基材支架
公开(公告)号：WO2012069208A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/EP2011005948
申请日：2011-11-25
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , REINWAND DIRK , HOFMANN MARC , TROGUS DANIEL , HARTMANN PHILIP , NEKARDA JAN-FREDERIK , RENTSCH JOCHEN , PREU RALF
发明人： REINWAND DIRK , HOFMANN MARC , TROGUS DANIEL , HARTMANN PHILIP , NEKARDA JAN-FREDERIK , RENTSCH JOCHEN , PREU RALF
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/673 , H01L21/677
CPC分类号： H01L21/68707 , H01L21/67346 , H01L21/6776 , H01L21/68721 , H01L21/68735
摘要： The invention relates to a substrate holder for the surface coating of substrates which is in frame form. The substrate holder according to the invention is provided with an oblique edge face on which the substrate rests, so that the surfaces is coated completely without any spread to unwanted regions of the substrate. The invention also relates to the use of such a substrate holder.
摘要翻译：本发明涉及一种用于基板表面涂层的基板支架，其形成为框架形状。在根据本发明的衬底保持器的情况下，提供倾斜的边缘表面，衬底搁置在该倾斜的边缘表面上，使得表面的完整涂层发生而不包含衬底的不需要的区域。本发明还涉及这种衬底保持器的用途。

2. 发明申请

WO2013131868A3 METHOD FOR PRODUCING A DOPED REGION IN A SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
标题翻译：制造方法的掺杂区域在半导体层中
公开(公告)号：WO2013131868A3
公开(公告)日：2013-12-12
申请号：PCT/EP2013054317
申请日：2013-03-05
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： SEIFFE JOHANNES , RENTSCH JOCHEN , HOFMANN MARC , TROGUS DANIEL , PILLATH FLORIAN
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/0216 , H01L31/18
CPC分类号： H01L21/2256 , H01L21/2254 , H01L31/02167 , H01L31/02168 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a method for producing a doped region in a semiconductor layer, having a method step A, in which a doping layer is applied onto the semiconductor layer, said doping layer containing at least one dopant for producing the doped region, and a method step B, in which the dopant is diffused into the semiconductor layer under the effect of heat. The invention is characterized in that a passivating layer is directly or indirectly applied onto a surface of the semiconductor layer prior to method step A in a method step A0, the doping layer is directly or indirectly applied onto the passivating layer in method step A, and the dopant is introduced from the doping layer into the semiconductor layer through the passivating layer in method step B, wherein the passivating layer (4) is applied by means of a chemical and/or physical method; the dopant is a dopant of the group consisting of boron, phosphorus, gallium, arsenic, or indium; the passivating layer (4) is formed with a dopant concentration less than 5x1019 cm-3 in method step A0; and the doping layer is formed with a dopant concentration greater than 1020 cm-3 in method step A.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于在半导体层中产生的掺杂区，其包括以下步骤：在沉积所述半导体层，其掺杂层包含用于产生所述掺杂区的至少一种掺杂剂在掺杂层A; 掺杂剂进入由热的作用的半导体层的B-扩散; 本发明的特征在于，一个钝化层步骤A之前在处理步骤A0直接或间接地施加到半导体层的表面，所述掺杂层是直接或间接沉积在步骤A和步骤B中从掺杂剂层通过掺杂剂的钝化层上所述钝化层是传递引入半导体层，其中所述钝化层（4）通过化学和/或物理处理来施加，该掺杂剂是选自硼，磷，镓，砷或铟的掺杂剂，所述钝化层（4）在 A0步骤1020厘米-3与掺杂剂浓度小于5×1019厘米-3，并与掺杂浓度大于在步骤a中的掺杂层形成。

3. 发明专利

DE102017219312A1 2-stufiger Trockenätzprozess zur Texturierung kristalliner Siliziumscheiben 未知
公开(公告)号：DE102017219312A1
公开(公告)日：2019-05-02
申请号：DE102017219312
申请日：2017-10-27
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , NINES PHOTOVOLTAICS
发明人： SAINT-CAST PIERRE , KAFLE BISHAL , HOFMANN MARC , JENEK NIKO ARMAND , TROGUS DANIEL , CLOCHARD LAURENT , DUFFY EDWARD
IPC分类号： H01L21/306 , C23F1/12 , H01L31/18
摘要： Beschrieben wird ein Verfahren zum Ätzen von Siliziumwafern, umfassend die folgenden Schritte:(a) Vorbehandeln des Siliziumwafers mit einem HF-enthaltenden Gasgemisch und(b) Behandeln des nach Schritt a) erhaltenen Siliziumwafers mit einem F2-enthaltenden Gas, sowie ein geätzter Siliziumwafer, der nach diesem Verfahren erhältlich ist. Ferner wird die Verwendung eines HF-enthaltenden Gasgemisches zur Vorbehandlung von Siliziumwafern vor dem Ätzen angegeben. Schließlich werden ein geätzter Siliziumwafer und eine Solarzelle, die durch weitergehende Prozessierung des Siliziumwafers entsteht, beschrieben.

4. 发明专利

DE102012203445A1 Verfahren zum Erzeugen eines Dotierbereiches in einer Halbleiterschicht 未知
公开(公告)号：DE102012203445A1
公开(公告)日：2013-09-05
申请号：DE102012203445
申请日：2012-03-05
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , UNIV ALBERT LUDWIGS FREIBURG
发明人： SEIFFE JOHANNES , RENTSCH JOCHEN , HOFMANN MARC , TROGUS DANIEL , PILLATH FLORIAN
IPC分类号： H01L21/225 , H01L31/18
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Erzeugen eines Dotierbereiches in einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A Aufbringen einer Dotierschicht auf die Halbleiterschicht, welche Dotierschicht mindestens einen Dotierstoff zum Erzeugen des Dotierbereiches enthält; B Eindiffundieren des Dotierstoffes in die Halbleiterschicht durch Wärmeeinwirkung; Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, dass vor Verfahrensschritt A in einem Verfahrensschritt A0 eine Passivierungsschicht mittelbar oder unmittelbar auf eine Oberfläche der Halbleiterschicht aufgebracht wird, in Verfahrensschritt A die Dotierschicht mittelbar oder unmittelbar auf die Passivierungsschicht aufgebracht wird und in Verfahrensschritt B der Dotierstoff aus der Dotierschicht durch die Passivierungsschicht hindurch in die Halbleiterschicht eingebracht wird, wobei die Passivierungsschicht (4) mittels eines chemischen und/oder physikalischen Verfahrens aufgebracht wird, der Dotierstoff ein Dotierstoff aus der Gruppe Bor, Phosphor, Gallium, Arsen oder Indium ist und die Passivierungsschicht (4) in Verfahrensschritt A0 mit einer Dotierstoffkonzentration kleiner 5 × 1010 cm–3 und die Dotierschicht in Verfahrensschritt A mit einer Dotierstoffkonzentration größer 1020 cm–3 ausgebildet wird.

5. 发明专利

DE102010052689A1 Substrathalter für die Oberflächenbehandlung von Substraten und Verwendung des Substrathalters 未知
公开(公告)号：DE102010052689A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：DE102010052689
申请日：2010-11-26
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG
发明人： REINWAND DIRK , HOFMANN MARC , TROGUS DANIEL , HARTMANN PHILIP , NEKARDA JAN-FREDERIK , RENTSCH JOCHEN , PREU RALF
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/68
摘要： Die Erfindung betrifft einen Substrathalter für die Oberflächenbeschichtung von Substraten, der in Rahmenform ausgebildet ist. Beim erfindungsgemäßen Substrathalter ist eine schräge Kantenfläche vorgesehen, auf dem das Substrat aufliegt, so dass eine vollständige Beschichtung der Oberfläche ohne Umgriff auf nicht erwünschte Bereiche des Substrates erfolgt. Die Erfindung betrifft weiterhin die Verwendung eines derartigen Substrathalters.

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