专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO0025364A2 BIPOLAR HIGH-VOLT POWER COMPONENT 审中-公开
标题翻译：双极性电压功率器件
公开(公告)号：WO0025364A2
公开(公告)日：2000-05-04
申请号：PCT/DE9903404
申请日：1999-10-25
申请人： SIEMENS AG , WERNER WOLFGANG , PFIRSCH FRANK
发明人： WERNER WOLFGANG , PFIRSCH FRANK
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/10 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/861 , H01L29/0634 , H01L29/1095 , H01L29/7395
摘要： The invention relates to a bipolar high-volt power component, especially an IGBT, comprising a semiconductor body with two interspaced electrodes (K, A) arranged thereon and between which a drift line is configured in a first semiconductor area (1) having a first type of conductivity. Floating areas (7) having a second type of conductivity opposed to the first are arranged inside the semiconductor area (1), whereby said floating areas emit current carriers having a second type of conductivity into the semiconductor area (1) or receive them therefrom when the power component is switched on or off. Said floating areas are also connected to active areas (3, 2) of both electrodes (K, A) via an MOS transistor (8) with a channel that has a second type of conductivity or a bipolar transistor (9) with a base that corresponds to the first type of conductivity.
摘要翻译：本发明涉及一种双极性高电压功率元件，尤其是IGBT，设置有在其上的至少两个间隔开的电极（K，A），在它们之间形成在第一导电类型的半导体区域（1）的漂移路径的半导体本体。此外，在半导体区域（1）的浮置区域（7）的第二的，相反的第一导电类型导电类型释放在电源接通或关断在半导体区域中的第二导电类型的功率器件的电荷载体（1），或由后者和经由相应的记录 MOS晶体管（8），其具有所述第二导电类型的沟道和双极晶体管（9）与所述第一导电类型的与所述两个电极（K，A）连接到所述有源区（3，2）将电源装置的连接的位置。

2. 发明申请

WO2007012490A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A DRIFT REGION AND WITH A DRIFT CONTROL REGION 审中-公开
标题翻译：与漂移区和漂移控制区带半导体部件
公开(公告)号：WO2007012490A3
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/EP2006007450
申请日：2006-07-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA , PFIRSCH FRANK , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN , ZUNDEL MARKUS , HIRLER FRANZ , MITTAL ARUNJAI
发明人： PFIRSCH FRANK , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN , ZUNDEL MARKUS , HIRLER FRANZ , MITTAL ARUNJAI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7393 , H01L29/7802 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7817 , H01L29/7824 , H01L29/78603 , H01L29/872
摘要： The invention relates to a semiconductor component that has a semiconductor body (100) and the following additional features: a drift region (2; 211) of a first mode of conductivity in the semiconductor body (100); a drift control region (3; 241), which is made of a semiconductor material and which is placed, at least in sections, adjacent to the drift region (2) in the semiconductor body, and; an accumulation dielectric (4; 251) that is placed between the drift region (2, 211) and the drift control region (3; 241).
摘要翻译：本发明涉及一种具有半导体主体（100）和下面的进一步的特征的半导体器件：一个漂移区（2; 211）在所述半导体主体（100），一个漂移控制区（3; 241）的第一导电类型的半导体材料制成，至少相邻部分的被布置成在半导体本体的漂移区（2），累积电介质（4; 251）设置在所述漂移区域（2; 211）之间以及所述漂移控制区（3; 241）被布置。

3. 发明申请

WO0154168A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT AND CORRESPONDING TESTING METHOD 审中-公开
标题翻译：半导体器件和相应的测试程序
公开(公告)号：WO0154168A3
公开(公告)日：2001-12-27
申请号：PCT/EP0013024
申请日：2000-12-20
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , PFIRSCH FRANK , PAIRITSCH HERBERT
发明人： PFIRSCH FRANK , PAIRITSCH HERBERT
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/78 , H01L21/66
CPC分类号： H01L29/404 , H01L24/05 , H01L27/0255 , H01L27/0676 , H01L29/0619 , H01L29/7395 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L2224/04042 , H01L2224/05556 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/12035 , H01L2924/12036 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： The invention relates to a semiconductor component comprising a first main terminal (40); a second main terminal (80); a gate terminal (70) for controlling the current between the main terminals (40, 80), a first diode device (100) which can be switched between the first gate (40) and the gate terminal (70) and whose first breakdown voltage is such that the first diode device short-circuits the first main terminal (40) with the gate terminal (70), hereby switching on the semiconductor component, when the voltage that drops off over the first diode device (100) exceeds a certain predetermined value. The first diode device (100) is connected to the control gate (70) in an integrated manner and has an external contacting area (120) for connecting to the first main terminal (40).
摘要翻译：本发明提供了一种具有第一主端子（40）的半导体器件; 第二主终端（80）; 控制端子（70），用于控制在所述主端子（40,80）之间流动的电流; 第一主端子（40）和控制端子之间的（70）可切换的第一二极管装置具有这样的第一击穿电压，短路的第一主端子（40）的控制端子（70）（100），因此转弯时在半导体装置上第一二极管装置（100）两端的电压降超过预定值，第一二极管装置（100）整体连接到控制端子（70）。第一二极管器件（100）具有用于连接到第一主连接（40）的第一外部接触区域（120）。

4. 发明申请

WO2007048393A2 HALBLEITERBAUELEMENT MIT LADUNGSKOMPENSATIONSSTRUKTUR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN 审中-公开
标题翻译：具有负载补偿结构的半导体元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007048393A2
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/DE2006/001879
申请日：2006-10-23
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG , SEDLMAIER, Stefan , MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank , SCHULZE, Hans-Joachim , STRACK, Helmut , WILLMEROTH, Armin
发明人： SEDLMAIER, Stefan , MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank , SCHULZE, Hans-Joachim , STRACK, Helmut , WILLMEROTH, Armin
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/267
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/2252 , H01L21/2255 , H01L29/04 , H01L29/0634 , H01L29/0661 , H01L29/0878 , H01L29/1604 , H01L29/165 , H01L29/267 , H01L29/66712 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/861 , H01L29/872
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement (1) mit Ladungskompensationsstruktur (3) und ein Verfahren zur Herstellung desselben. Dazu weist das Halbleiterbauelement (1) einen Halbleiterkörper (4) auf, der eine Driftstrecke (5) zwischen zwei Elektroden (6, 7) besitzt. Die Driftstrecke (5) weist Driftzonen eines ersten Leitungstyps auf, die einen Strompfad zwischen den Elektroden (6, 7) in der Driftstrecke bereitstellen, während Ladungskompensationszonen (11) eines komplementären Leitungstyps den Strompfad der Driftstrecke (5) einengen. Dazu weist die Driftstrecke (5) zwei alternierend angeordnete, epitaxial aufgewachsene Diffusionszonentypen (9, 10) auf, wobei der erste Driftzonentyp (9) auf einem monokristallinen Substrat (12) monokristallines Halbleitermaterial aufweist und ein zweiter Driftzonentyp (10) monokristallines Halbleitermaterial in einer Grabenstruktur (13) besitzt, mit komplementär dotierten Wänden (14, 15), wobei die komplementär dotierten Wände (14, 15) die Ladungskompensationszonen (11) bilden.
摘要翻译：
本发明涉及一种半导体装置（1）与电荷补偿结构（3）和其制造方法。为了这个目的，该半导体器件（1）一个Halbleiterk＆OUML;主体（4），其中（6,7）具有两个电极之间的漂移区（5）。漂移区（5）包括在电荷补偿区（11）A＆AUML的补体漂移的第一导电类型的区域在其上的电极之间的电流路径（6,7）中的漂移路径提供，瓦特BEAR;任导电类型的漂移区（5）紧勒的电流路径。为此，漂移区（5）具有两个交替布置的，外延生长的扩散区类型（9，10），其中，单晶衬底（12）的单晶半导体材料和在严重结构的第二漂移区的类型（10）的单晶半导体材料的第一漂移区类型（9）（13）与互补BEAR W-掺杂的手（14，15），其中所述互补BEAR W-掺杂BEAR。壁（14，15）形成电荷补偿区（11）

5. 发明申请

WO1997011495A1 DEVICE WITH A P-N JUNCTION AND A MEANS OF REDUCING THE RISK OF BREAKDOWN OF THE JUNCTION 审中-公开
标题翻译：用PN-过渡和衡量布置，降低泄露风险由PN过渡
公开(公告)号：WO1997011495A1
公开(公告)日：1997-03-27
申请号：PCT/DE1996001557
申请日：1996-08-22
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , PFIRSCH, Frank
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/404 , H01L29/0615 , H01L29/402
摘要： The invention relates to a device with a P-N junction and a means for reducing the risk of breakdown of the junction. The device proposed consists of a combination of a magnetoresistor (4) and a stop electrode (5) which have multi-step edges (40 and 50, respectively) with JTE technology, thus enabling blocking voltages significantly higher than 2500 volts to be achieved while requiring little space.
摘要翻译：用pn结和措施以降低过渡的突破的风险的装置由一个场板（4）和止动电极（5）每一个都具有多级边缘部分（40或50）的组合的具有JTE技术，从而阻断电压可以超过2500伏在小型脚印尺寸很好地实现。

6. 发明申请

WO1992017907A1 THYRISTOR WITH ADJUSTABLE BREAKOVER VOLTAGE, AND A PROCESS FOR MANUFACTURING IT 审中-公开
标题翻译：具有可调节断路电压的电路，以及用于制造它的过程
公开(公告)号：WO1992017907A1
公开(公告)日：1992-10-15
申请号：PCT/DE1992000191
申请日：1992-03-05
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , SCHULZE, Hans-Joachim , MITLEHNER, Heinz , PFIRSCH, Frank
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/32 , H01L21/263 , H01L29/1016 , H01L29/7424 , H01L31/1113 , Y10S438/904
摘要： The invention concerns a thyristor with an npnp layer sequence. Located in the n-type base electrode (3), below the turn-on contact (7), is a zone (14) which is formed by irradiation with protons and which is doped with generation and recombination centres. The distance (d) of this zone (14) from the main surface (15) on the cathode side defines a reduced breakover voltage at which controlled firing of the thyristor occurs.
摘要翻译：本发明涉及具有npnp层序列的晶闸管。位于n型基极（3）中的接通触点（7）下面的是通过辐射质子形成并且被掺杂有发生和复合中心的区域（14）。该区域（14）与阴极侧的主表面（15）的距离（d）限定了可控硅发生控制烧制的折断电压降低。

7. 发明申请

WO2007048387A2 SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A P-N JUNCTION, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：与生产该pn结和方法半导体部件
公开(公告)号：WO2007048387A2
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/DE2006001848
申请日：2006-10-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN
发明人： MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/263 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/32 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/861
摘要： The invention relates to a semiconductor component (1) and a method for producing the same. The semiconductor component (3) comprises a semiconductor member (4) in which a p-n junction (36) is disposed that is provided with a p-conducting region (37) and an n-conducting region (38). The p-conducting region (37) or the n-conducting region (38) of the p-n junction (36) encompasses areas (39) which spatially define the p-n junction (36) within the semiconductor member (4).
摘要翻译：本发明涉及一种半导体装置（1）及其制造方法。的半导体器件（3）包括一个半导体本体（4）。在半导体本体（4）是一个PN结（36）被布置，其具有p型区域（37）和n型区域（38）。所述p型区域（37）或PN结（36）的n型区域（38）具有区域（39），其限制了半导体主体（4）内的PN结（36）在空间上。

8. 发明申请

WO2005078802A3 HIGH-BLOCKING SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A DRIFT SECTION 审中-公开
标题翻译：带漂移电路高当前锁定半导体元件
公开(公告)号：WO2005078802A3
公开(公告)日：2006-02-02
申请号：PCT/DE2005000241
申请日：2005-02-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HIRLER FRANZ , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK
发明人： HIRLER FRANZ , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/417 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/0649 , H01L29/0634 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/7813 , H01L29/8083 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a semiconductor component comprising a drift section (2) that is configured in a semiconductor member (1) and is made of a semiconductor material having a certain type of conductivity. Said drift section (2) is disposed between at least one first and a second electrode (3, 4) and is provided with a trench structure in the form of at least one trench (18). A dielectric material called high-k material is arranged in the trench structure. Said dielectric material has a relative dielectric constant e
摘要翻译：本发明涉及在一种导电类型的半导体材料的半导体本体（1）形成漂移区（2），其具有的半导体器件。至少第一和第二电极之间的漂移区（2）（3，4），并具有在至少一个沟槽（18）的形式的严重结构。在坟墓结构，高k材料设置他20具有相对介电常数ER =，称为介电材料，使得在漂移路径（2）至少一种高k材料区域的区域（5）和半导体材料区域（6 ）所述一种导电类型的布置。

9. 发明申请

WO2005078802A2 HOCHSPERRENDES HALBLEITERBAUELEMENT MIT DRIFTSTRECKE 审中-公开
标题翻译：带漂移电路高当前锁定半导体元件
公开(公告)号：WO2005078802A2
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：PCT/DE2005/000241
申请日：2005-02-11
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , HIRLER, Franz , MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank
发明人： HIRLER, Franz , MAUDER, Anton , PFIRSCH, Frank
IPC分类号： H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L29/0634 , H01L29/0649 , H01L29/0653 , H01L29/0657 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/8083 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer in einem Halbleiterkörper (1) ausgebildeten Driftstrecke (2) aus einem Halbleitermaterial eines Leitungstyps. Die Driftstrecke (2) ist zwischen wenigstens einer ersten und einer zweiten Elektrode (3, 4) angeordnet und weist eine Grabenstruktur in Form mindestens eines Trenches (18) auf. In der Grabenstruktur ist ein high-k-Material genanntes dielektrisches Material angeordnet, das eine relative Dielektrizitätskonstante er mit er = 20 aufweist, so dass im Bereich der Driftstrecke (2) mindestens ein high-k-Materialgebiet (5) und ein Halbleitermaterialgebiet (6) des einen Leitungstyps angeordnet sind.
摘要翻译：本发明涉及在一种导电类型的半导体材料的半导体本体（1）形成漂移区（2），其具有的半导体器件。至少第一和第二电极之间的漂移区（2）（3，4），并具有在至少一个沟槽（18）的形式的严重结构。在坟墓结构，高k材料设置他20具有相对介电常数ER =，称为介电材料，使得在漂移路径（2）至少一种高k材料区域的区域（5）和半导体材料区域（6 ）所述一种导电类型的布置。

10. 发明申请

WO0101484A3 TRENCH MOS-TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：沟槽MOS晶体管
公开(公告)号：WO0101484A3
公开(公告)日：2001-08-16
申请号：PCT/DE0001772
申请日：2000-05-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , LARIK JOOST , HIRLER FRANZ , KOTEK MANFRED , PFIRSCH FRANK
发明人： LARIK JOOST , HIRLER FRANZ , KOTEK MANFRED , PFIRSCH FRANK
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/423 , H01L29/78 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/1095 , H01L29/42368 , H01L29/7813
摘要： The invention relates to a trench MOS-transistor, in which the body region (6) is strengthened by an implantation area (7) which faces the drain region (1, 2), in order to increase the avalanche resistance.
摘要翻译：本发明涉及一种沟槽MOS晶体管，其中体区（6）被增强以通过注入区（7）增加雪崩电阻到漏极区（1,2）。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式