专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007048387A2 SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A P-N JUNCTION, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF 审中-公开
标题翻译：与生产该pn结和方法半导体部件
公开(公告)号：WO2007048387A2
公开(公告)日：2007-05-03
申请号：PCT/DE2006001848
申请日：2006-10-19
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA , MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN
发明人： MAUDER ANTON , PFIRSCH FRANK , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN
IPC分类号： H01L29/861 , H01L21/336 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L21/263 , H01L29/0847 , H01L29/165 , H01L29/32 , H01L29/66712 , H01L29/7802 , H01L29/861
摘要： The invention relates to a semiconductor component (1) and a method for producing the same. The semiconductor component (3) comprises a semiconductor member (4) in which a p-n junction (36) is disposed that is provided with a p-conducting region (37) and an n-conducting region (38). The p-conducting region (37) or the n-conducting region (38) of the p-n junction (36) encompasses areas (39) which spatially define the p-n junction (36) within the semiconductor member (4).
摘要翻译：本发明涉及一种半导体装置（1）及其制造方法。的半导体器件（3）包括一个半导体本体（4）。在半导体本体（4）是一个PN结（36）被布置，其具有p型区域（37）和n型区域（38）。所述p型区域（37）或PN结（36）的n型区域（38）具有区域（39），其限制了半导体主体（4）内的PN结（36）在空间上。

2. 发明申请

WO2004030103A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER VERGRABENEN STOPPZONE IN EINEM HALBLEITERBAUELEMENT UND HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINER VERGRABENEN STOPPZONE 审中-公开
标题翻译：方法用于制造半导体元件埋止动区和半导体元件具有埋入STOP ZONE
公开(公告)号：WO2004030103A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/EP2003/009494
申请日：2003-08-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AG , EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LESTUNGSHALBLEITER MBH , SCHULZE, Hans-Joachim , BARTHELMESS, Reiner , MAUDER, Anton , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim , BARTHELMESS, Reiner , MAUDER, Anton , NIEDERNOSTHEIDE, Franz-Josef
IPC分类号： H01L29/36
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/263 , H01L29/0878 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/36 , H01L29/66136 , H01L29/66333 , H01L29/66712 , H01L29/7395 , H01L29/861
摘要： Verfahren zur Herstellung einer vergrabenen Stoppzone in einem Halbleiterbauelement und Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Stoppzone Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Stoppzone in einer dotierten Zone eines Halbleiterkörpers, der eine erste Seite und eine zweite Seite aufweist, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: - Aufbringen einer Aussparungen aufweisenden Maske auf eine der Seiten des Halbleiterkörpers, - Bestrahlen der die Maske aufweisende Seite mit einer Protonenstrahlung, - Durchführen eines Temperverfahrens zur Erzeugung wasser stoffinduzierter Domtoren in dem Halbleiterkörper. Die Erfindung betrifft weiterhin ein Halbleiterbauelement mit einer vergrabenen Stoppzone.
摘要翻译：一种用于在半导体装置及半导体装置制造的掩埋停止区具有掩埋停止区本发明涉及一种用于制造在具有第一侧和第二侧，所述方法包括以下步骤的半导体本体的掺杂区域中的停止区的过程： - 施加具有在半导体本体的侧部中的一个掩模的凹部， - 照射所述掩模与具有侧质子束， - 执行用于在半导体本体中产生的氢引起的Domtoren退火工艺。本发明还涉及一种具有掩埋停止区的半导体器件。

3. 发明申请

WO0004596A3 POWER SEMICONDUCTOR COMPONENT FOR HIGH BLOCKING VOLTAGES 审中-公开
标题翻译：功率半导体元件用于高压LOCK
公开(公告)号：WO0004596A3
公开(公告)日：2000-04-20
申请号：PCT/DE9901956
申请日：1999-07-01
申请人： SIEMENS AG , PORST ALFRED , STRACK HELMUT , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS JOACHIM , BRUNNER HEINRICH , BAUER JOSEF , BARTHELMESS REINER
发明人： PORST ALFRED , STRACK HELMUT , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS-JOACHIM , BRUNNER HEINRICH , BAUER JOSEF , BARTHELMESS REINER
IPC分类号： H01L29/744 , H01L29/10 , H01L29/12 , H01L29/36 , H01L29/739 , H01L29/745 , H01L29/749 , H01L29/78 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/1016 , H01L29/7395 , H01L29/7455 , H01L29/749
摘要： The invention relates to power semiconductor components with stop zones (7). To optimize the static and dynamic losses of the power semiconductor components the stop zone comprises donors which present at least one donor level which is situated within the forbidden band of silicon and is at a distance of at least 200 meV from the edge of the silicon conduction band.
摘要翻译：本发明涉及一种具有止挡区域（7）的功率半导体器件。的停止区设置有具有其位于硅的带隙200兆电子伏范围内并且至少从硅的导带边缘远离至少一个施主能级供体，以优化功率半导体组件的动态和静态损耗。

4. 发明申请

WO1998015010A1 THYRISTOR WITH BREAKDOWN REGION 审中-公开
标题翻译：具有突破性区晶闸管
公开(公告)号：WO1998015010A1
公开(公告)日：1998-04-09
申请号：PCT/DE1997002237
申请日：1997-09-29
申请人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH + CO. KG , RUFF, Martin , SCHULZE, Hans-Joachim
发明人： EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH + CO. KG
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L21/263 , H01L29/1016 , H01L29/102 , H01L29/32 , H01L29/7424
摘要： The invention relates to a thyristor formed by a semiconductor body (1) with a base zone (2) on the anode side of the first mode of conductivity and at least one base zone (3) on the cathode side of the opposite second mode of conductivity, with emitter zones (7, 8) on both the anode and the cathode sides, with at least one region (6) in the base zone on the cathode side (3), which, owing to its geometry, has a reduced breakdown voltage as compared to the other regions of the base zone on the cathode side (3) and the border of the semiconductor body (1). The thyristor presents on the anode side beneath the region with reduced channeling current (6) at least one recombination zone (9) with decreased service life of the free charge carrier.
摘要翻译：本发明涉及包括半导体本体中的半导体闸流管（1），其具有阳极基座区（2）的第一导电类型和至少一个阴极基区（3）的相反的第二导电型，其具有阳极和阴极发射极区（7，8），与至少一个区域（6）在具有相对于阴极侧基区（3）和半导体本体（1）通过其几何形状的边缘的其他区域中的阴极基区（3）的击穿电压降低。阳极侧，在至少一个复合区域（9），击穿电压降低（6）的区域下方的晶闸管与自由载流子的寿命缩短。

5. 发明专利

DE29709190U1 未知
公开(公告)号：DE29709190U1
公开(公告)日：1997-07-24
申请号：DE29709190
申请日：1997-05-20
申请人： SCHULZE HANS JOACHIM
IPC分类号： A01C5/00

6. 发明申请

WO2007012490A3 SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH A DRIFT REGION AND WITH A DRIFT CONTROL REGION 审中-公开
标题翻译：与漂移区和漂移控制区带半导体部件
公开(公告)号：WO2007012490A3
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/EP2006007450
申请日：2006-07-27
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA , PFIRSCH FRANK , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN , ZUNDEL MARKUS , HIRLER FRANZ , MITTAL ARUNJAI
发明人： PFIRSCH FRANK , MAUDER ANTON , SCHULZE HANS-JOACHIM , SEDLMAIER STEFAN , WILLMEROTH ARMIN , ZUNDEL MARKUS , HIRLER FRANZ , MITTAL ARUNJAI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/739 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/0653 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/0834 , H01L29/0878 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/66734 , H01L29/7393 , H01L29/7802 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7813 , H01L29/7816 , H01L29/7817 , H01L29/7824 , H01L29/78603 , H01L29/872
摘要： The invention relates to a semiconductor component that has a semiconductor body (100) and the following additional features: a drift region (2; 211) of a first mode of conductivity in the semiconductor body (100); a drift control region (3; 241), which is made of a semiconductor material and which is placed, at least in sections, adjacent to the drift region (2) in the semiconductor body, and; an accumulation dielectric (4; 251) that is placed between the drift region (2, 211) and the drift control region (3; 241).
摘要翻译：本发明涉及一种具有半导体主体（100）和下面的进一步的特征的半导体器件：一个漂移区（2; 211）在所述半导体主体（100），一个漂移控制区（3; 241）的第一导电类型的半导体材料制成，至少相邻部分的被布置成在半导体本体的漂移区（2），累积电介质（4; 251）设置在所述漂移区域（2; 211）之间以及所述漂移控制区（3; 241）被布置。

7. 发明专利

DE8707452U1 未知
公开(公告)号：DE8707452U1
公开(公告)日：1987-08-27
申请号：DE8707452
申请日：1987-05-23
申请人： SCHULZE, HANS-JOACHIM, 5227 WINDECK, DE
IPC分类号： A01K1/035

8. 发明专利

DD200987A1 未知
公开(公告)号：DD200987A1
公开(公告)日：1983-06-29
申请号：DD23481381
申请日：1981-11-13
申请人： GOTTSCHALK MANFRED , SCHULZE HANS JOACHIM , TILCH WERNER , WEILAND KLAUS
发明人： GOTTSCHALK MANFRED , SCHULZE HANS-JOACHIM , TILCH WERNER , WEILAND KLAUS
IPC分类号： B22C1/22 , B22C9/00

9. 发明申请

WO2013079234A1 VERFAHREN ZUR DOTIERUNG EINES HALBLEITERKÖRPERS UND HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于掺杂半导体主体与半导体元件
公开(公告)号：WO2013079234A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012/067440
申请日：2012-09-06
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES BIPOLAR GMBH & CO. KG , BARTHELMESS, Reiner , SCHULZE, Hans-Joachim , KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe
发明人： BARTHELMESS, Reiner , SCHULZE, Hans-Joachim , KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe
IPC分类号： H01L21/324 , H01L29/06 , H01L21/263 , H01L29/36 , H01L29/868
CPC分类号： H01L21/3242 , H01L21/263 , H01L29/0661 , H01L29/36 , H01L29/868
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Dotierung eines Halbleiterkörpers (21) mit einer gezielten lateralen Variation der Dotierungskonzentration im Halbleiterkörper (21), umfassend wenigstens die Schritte: Ganzflächiges Bestrahlen des Halbleiterkörpers (21) über eine Oberfläche (22) mit Protonen einer vorbestimmten Implantationsenergie, wobei Kristalldefekte in einer bestrahlten Halbleiterzone (28) entstehen und die Protonen bis in einen beabstandet zur Oberfläche (22) angeordneten End-Of-Range-Bereich (29) des Halbleiterkörpers (21) eindringen, Herstellen wenigstens einer Randabschrägung (31, 32) in einem Randbereich (30) der Oberfläche (22) des Halbleiterkörpers (21) mit einem vorbestimmten Steigungswinkel (33, 34), Tempern des Halbleiterkörpers (21) wenigstens im Bereich der Halbleiterzone (28), wobei die Temperatur und die Zeitdauer derart aufeinander abgestimmt sind, dass die Kristalldefekte aus der Halbleiterzone (28) in Richtung der Oberfläche (22) und die Protonen aus dem End-Of-Range-Bereich (29) in Richtung der Oberfläche (22) diffundieren und dass im End-Of-Range-Bereich (29) und zwischen der Oberfläche (22) und dem End-Of-Range-Bereich (29) eine n-Dotierung der Halbleiterzone (28) mit wasserstoffinduzierten Donatoren entsteht. Ferner betrifft die Erfindung ein mittels des Verfahrens hergestelltes Halbleiterbauelement.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于与在半导体主体（21）的掺杂浓度的目标横向变化的掺杂的半导体本体（21），其包括至少以下步骤：用一个预定的注入能量的质子，其特征在于，在一个表面（22）的半导体主体（21）的整个区域的照射在被照射半导体区域（28）发生的晶体缺陷和质子直到距表面的距离（22），设置结束范围在半导体本体的面积（29）（21）穿透，使至少一个边缘在一个斜面（31，32）具有在半导体区的区域中的至少一个预定的桨距角（33，34），退火所述半导体主体（21）的所述半导体主体的所述表面（22）的边缘区域（30）（21）（28），所述温度和时间周期被彼此匹配，朝向表面（22）的半导体区域（28）的晶体缺陷和质子从结束范围的区域（29）朝向所述表面（22）s到扩散且在结束时的范围的面积（29）和所述表面（22）和结束范围的区域之间（29）产生了具有氢引起的供体的半导体区域（28）的n掺杂。此外，本发明涉及由半导体器件的方法制造的产品。

10. 发明申请

WO2012131064A1 SCHWEFEL-DOTIERTES LEISTUNGSHALBLEITERBAUELEMENT MIT TIEFEM PN-ÜBERGANG 审中-公开
标题翻译：凭借深厚的pn结掺硫的功率半导体元件
公开(公告)号：WO2012131064A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/EP2012/055861
申请日：2012-03-30
申请人： INFINEON TECHNOLOGIES BIPOLAR GMBH & CO. KG , SCHULZE, Hans-Joachim , KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe , BARTHELMESS, Reiner , WEIDNER, Peter
发明人： SCHULZE, Hans-Joachim , KELLNER-WERDEHAUSEN, Uwe , BARTHELMESS, Reiner , WEIDNER, Peter
IPC分类号： H01L29/167 , H01L29/861 , H01L29/66
CPC分类号： H01L29/66136 , H01L29/167 , H01L29/861
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Leistungshalbleiterbauelement, insbesondere für hohe Sperrspannungen, mit den Schritten: Bereitstellen eines p-dotierten Halbleiterkörpers, der eine Vorderseite und eine dieser gegenüberliegende Rückseite aufweist; Eindiffusion von wenigstens Schwefel bis zu einer Tiefe von wenigstens 50% der Ausdehnung des Halbleiterkörpers ausgehend von der Rückseite in einer vertikalen Richtung, um in der vertikalen Richtung aufeinander folgend eine stark n-dotierte Zone, eine schwach n-dotierte Zone und eine schwach p-dotierte Zone in dem Halbleiterkörper auszubilden, wobei zwischen der schwach n- dotierten Zone und der schwach p-dotierten Zone ein pn-Lastübergang ausgebildet ist.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造功率半导体部件，尤其是用于高阻断电压，包括下列步骤：提供具有前侧和与其相对的背面侧的p掺杂半导体本体; 的所述半导体主体的从后面在垂直方向上，至少硫的深度的程度的至少50％内扩散在依次在一个n型重掺杂区，弱n掺杂区域的垂直方向和轻对 - 以形成在半导体本体中，其特征在于，所述弱n型掺杂区和弱p掺杂区之间形成的pn负载过渡掺杂区域。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式