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1. 发明公开

CN1284741A 激光装置、激光退火方法和半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1284741A
公开(公告)日：2001-02-21
申请号：CN00122783.1
申请日：2000-08-14
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：山崎舜平 , 大谷久 , 田中幸一郎 , 笠原健司 , 河崎律子
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , Y10S438/904
摘要：提供激光装置和激光退火方法,利用该装置和方法,可获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜,而且该装置和方法在运行成本方面较低。容易维护和耐用性强的固态激光器被用作激光器,由其发射的激光被线性化,以增加生产量和降低整个生产成本。此外,用这样的激光来照射非晶半导体薄膜的正面和背面,以获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜。

2. 发明授权

CN1213464C 半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1213464C
公开(公告)日：2005-08-03
申请号：CN01133100.3
申请日：2000-08-14
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：山崎舜平 , 大谷久 , 田中幸一郎 , 笠原健司 , 河崎律子
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , Y10S438/904
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在绝缘表面上形成半导体薄膜；通过用YVO4激光器的谐波照射使半导体薄膜结晶；使结晶的半导体薄膜构图以形成结晶的岛状半导体薄膜；以及在结晶的岛状半导体薄膜中形成薄膜晶体管的至少一个沟道区域。

3. 发明公开

CN1516230A 半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1516230A
公开(公告)日：2004-07-28
申请号：CN01137487.X
申请日：2000-08-14
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：山崎舜平 , 大谷久 , 田中幸一郎 , 笠原健司 , 河崎律子
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , Y10S438/904
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；以及通过用连续波激光束照射半导体薄膜使其结晶；其中连续波激光束在半导体薄膜上的照射区域为长宽比大于或等于10的椭圆形；以及其中连续波激光束是固态激光器的二次、三次或四次谐波。

4. 发明授权

CN1322561C 激光装置、激光退火方法和半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1322561C
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN00122783.1
申请日：2000-08-14
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：山崎舜平 , 大谷久 , 田中幸一郎 , 笠原健司 , 河崎律子
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , Y10S438/904
摘要：提供激光装置和激光退火方法，利用该装置和方法，可获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜，而且该装置和方法在运行成本方面较低。容易维护和耐用性强的固态激光器被用作激光器，由其发射的激光被线性化，以增加生产量和降低整个生产成本。此外，用这样的激光来照射非晶半导体薄膜的正面和背面，以获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜。

5. 发明授权

CN1280870C 半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1280870C
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：CN01137487.X
申请日：2000-08-14
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：山崎舜平 , 大谷久 , 田中幸一郎 , 笠原健司 , 河崎律子
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , Y10S438/904
摘要：一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在基底上形成绝缘薄膜；在绝缘薄膜上依次形成半导体薄膜而不将绝缘薄膜暴露在空气中；以及通过用连续波激光束照射半导体薄膜使其结晶；其中连续波激光束在半导体薄膜上的照射区域为长宽比大于或等于10的椭圆形；以及其中连续波激光束是固态激光器的二次、三次或四次谐波。

6. 发明公开

CN1363950A 半导体器件的制造方法失效
公开(公告)号：CN1363950A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01133100.3
申请日：2000-08-14
申请人：株式会社半导体能源研究所
发明人：山崎舜平 , 大谷久 , 田中幸一郎 , 笠原健司 , 河崎律子
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02683 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02595 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , Y10S438/904
摘要：一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:在绝缘表面上形成半导体薄膜;通过用YVO4激光器的谐波照射使半导体薄膜结晶;使结晶的半导体薄膜构图以形成结晶的岛状半导体薄膜;以及在结晶的岛状半导体薄膜中形成薄膜晶体管的至少一个沟道区域。

7. 发明申请

WO1995005007A1 PHOTOCONDUCTIVE IMPEDANCE-MATCHED INFRARED DETECTOR WITH HETEROJUNCTION BLOCKING CONTACTS 审中-公开
标题翻译：光电阻抗匹配红外探测器，具有异常阻塞触点
公开(公告)号：WO1995005007A1
公开(公告)日：1995-02-16
申请号：PCT/US1994008665
申请日：1994-07-29
申请人： LORAL VOUGHT SYSTEMS CORPORATION
发明人： LORAL VOUGHT SYSTEMS CORPORATION , SCHIMERT, Thomas, R. , BARNES, Scott, L.
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： H01L31/109 , H01L27/1446 , H01L31/02164 , H01L31/022408 , H01L31/1828 , Y02E10/543 , Y10S438/904 , Y10S438/977
摘要： A photoconductive isotype heterojunction impedance-matched infrared detector has blocking contacts (66 and 68) which are positioned on the bottom side of the detector. Blocking contacts (66 and 68) prevent transfer of minority carriers from active region (42a) of the detector, thereby extending the lifetime of these carriers. The detector is formed by first fabricating active layer (42) followed by isotype blocking layer (44) on growth substrate (40). These layers are etched and appropriate passivation layers (93) and contacts (98 and 100) are applied. Mechanical supporting substrate (90) is applied to the detector and growth substrate (40) is removed. Etch stop holes (48 and 50) are formed which extend into active layer (42) of the detector. A precision thickness of active layer (42), required in an impedance-matched detector design, is produced by thinning active layer (42) in an etching process until the surface of active layer (42) reaches etch stop hole (48 and 50).
摘要翻译：光导同种异质结阻抗匹配红外检测器具有位于检测器底部的阻挡触点（66和68）。阻塞触点（66和68）防止少数载流子从检测器的有源区（42a）传递，从而延长这些载体的寿命。检测器通过首先在生长衬底（40）上制造活性层（42），随后同型阻断层（44）形成。蚀刻这些层并施加适当的钝化层（93）和触点（98和100）。将机械支撑衬底（90）施加到检测器，并移除生长衬底（40）。形成延伸到检测器的有源层（42）的蚀刻停止孔（48和50）。在阻抗匹配检测器设计中所需的有源层（42）的精密厚度是通过在蚀刻工艺中减薄有源层（42）直到活性层（42）的表面到达蚀刻停止孔（48和50）。

8. 发明申请

WO2007015903A2 HIGH VOLTAGE NON PUNCH THROUGH IGBT FOR SWITCH MODE POWER SUPPLIES 审中-公开
标题翻译：用于切换模式电源的IGBT的高电压非直流电源
公开(公告)号：WO2007015903A2
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：PCT/US2006028005
申请日：2006-07-19
申请人： INT RECTIFIER CORP , FRANCIS RICHARD , NG CHIU
发明人： FRANCIS RICHARD , NG CHIU
IPC分类号： H01L21/332
CPC分类号： H01L29/7395 , H01L29/0834 , H01L29/41725 , H01L29/66333 , Y10S438/904
摘要： A process for forming an NPT IGBT in a thin N type silicon wafer in which the bottom surface of a thin silicon wafer (100 microns thick or less) has a shallow reduced lifetime region in its bottom formed by a light species atom implant to a depth of less than about 2.5 microns. A P + transparent collector region about 0.5 microns deep is formed in the bottom of the damaged region by a boron implant. A collector contact of A1/Ti/NiV and Ag is sputtered onto the collector region and is annealed at 200°C to 400°C for 30 to 60 minutes. A pre-anneal step before applying the collector metal can be carried out in vacuum at 300°C to 400°C for 30 to 60 seconds.
摘要翻译：一种用于在薄N型硅晶片中形成NPT IGBT的工艺，其中薄硅晶片的底表面（100微米厚或更小）在其底部具有浅的生命周期区域，其通过光物质原子注入形成深度小于约2.5微米。通过硼注入在损伤区域的底部形成约0.5微米深的P + 将Al / Ti / NiV和Ag的集电极触点溅射到集电极区域，并在200℃至400℃下退火30至60分钟。在施加集电体金属之前的预退火步骤可以在300℃至400℃的真空中进行30至60秒。

9. 发明申请

WO1992017907A1 THYRISTOR WITH ADJUSTABLE BREAKOVER VOLTAGE, AND A PROCESS FOR MANUFACTURING IT 审中-公开
标题翻译：具有可调节断路电压的电路，以及用于制造它的过程
公开(公告)号：WO1992017907A1
公开(公告)日：1992-10-15
申请号：PCT/DE1992000191
申请日：1992-03-05
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , SCHULZE, Hans-Joachim , MITLEHNER, Heinz , PFIRSCH, Frank
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01L29/74
CPC分类号： H01L29/32 , H01L21/263 , H01L29/1016 , H01L29/7424 , H01L31/1113 , Y10S438/904
摘要： The invention concerns a thyristor with an npnp layer sequence. Located in the n-type base electrode (3), below the turn-on contact (7), is a zone (14) which is formed by irradiation with protons and which is doped with generation and recombination centres. The distance (d) of this zone (14) from the main surface (15) on the cathode side defines a reduced breakover voltage at which controlled firing of the thyristor occurs.
摘要翻译：本发明涉及具有npnp层序列的晶闸管。位于n型基极（3）中的接通触点（7）下面的是通过辐射质子形成并且被掺杂有发生和复合中心的区域（14）。该区域（14）与阴极侧的主表面（15）的距离（d）限定了可控硅发生控制烧制的折断电压降低。

10. 发明授权

EP0675527B1 Manufacturing process for obtaining bipolar transistors with controlled storage time 失效转让
标题翻译：一种用于生产具有受控存储时间双极晶体管的工艺
公开(公告)号：EP0675527B1
公开(公告)日：1999-11-10
申请号：EP94830150.2
申请日：1994-03-30
申请人： Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno
发明人： Frisina, Ferruccio
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/331
CPC分类号： H01L29/66295 , H01L21/221 , Y10S438/904

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