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1. 发明专利

DE4134212A1 Micro-ionisation sensor to detect pollutants in air - comprises ion source, gas passage, ion path, control system, collector electrodes, amplifier and conductor system formed within cylindrical semiconductor element 未知
公开(公告)号：DE4134212A1
公开(公告)日：1993-04-22
申请号：DE4134212
申请日：1991-10-16
申请人： LEONHARDT JUERGEN W PROF DR , MEHR WOLFGANG DR SC TECHN , BAUMBACH JOERG INGO DR
发明人： VERZICHT DES ERFINDERS AUF NENNUNG
IPC分类号： G01N27/64
摘要： In a new micro-ionisation sensor for determining the composition of gas mixtures, the gas molecules are ionised and separated by an electric field in accordance with their drift velocity, and are then collected and registered on one or more collector electrodes (D) in a sequential series. The ion streams are amplified by means of a fast amplifier (1), and the drift times, peak heights, and half period widths are determined. The molecules are identified from their drift times, and the molecular concentrations are determined from the peak areas. The ion sources (A), gas inlet and outlet (H), drift path (C), control system (B), collector electrodes (D), preamplifier, and conductor path system are incorporated in a semiconductor material in a monolithic or modular manner, and the material preparation is in accordance with the processing techniques of micromechanics and microelectronics. USE/ADVANTAGE - Used for simultaneous determination of the concentrations of the constituents of gas mixts. esp. air, including the concns. of health- and environment-damaging trace elements. The sensor, which ionises the substances to be measured, separates the ions at atmospheric pressure and simultaneously displays (G) their concentrations, is effectively miniaturised.

2. 发明申请

WO9933075A3 DIGITALLY ADJUSTABLE ELECTRONIC CAPACITOR 审中-公开
标题翻译：数字调谐的电子能力
公开(公告)号：WO9933075A3
公开(公告)日：1999-08-26
申请号：PCT/DE9803797
申请日：1998-12-22
申请人： INST HALBLEITERPHYSIK GMBH , MEHR WOLFGANG
发明人： MEHR WOLFGANG
IPC分类号： H01G7/00 , H01G4/255
CPC分类号： H01G7/00
摘要： The invention relates to a digitally adjustable electronic capacitor which can be digitally controlled, tuned in a large capacity range across several magnitudes independently of the voltage available, integrated into circuits and produced economically without requiring the use of monolithic semiconductor crystals. The invention consists of a support and printed conductor levels which are isolated from each other, turned towards each other at a certain angle, preferably 90 DEG , and within each level have conductive printed conductors which are isolated from each other. A capacitor is configured between the printed conductors of the different levels. A digital electronic control element is assigned to each printed conductor level. The printed conductors of each printed conductor level can be connected independently of each other to an electrode via the digital electronic control element assigned to each printed conductor level. At least two printed conductors situated on different conductor levels are linked to the corresponding electrodes by means of the digital electronic control element. The selected capacitor is available at the level of the electrodes.
摘要翻译：本发明涉及一种数字可调谐电子容量，数字控制，在一个大的容量范围在几个数量级的不依赖于可用的电压可调的，如可以产生既作为分立元件，也可以集成在电路和廉价地制备可在不使用单片半导体晶体是必要的。它由在衬底的且彼此并以一定的角度，优选90°相绝缘，一个具有一个平面内相互隔离的导电迹线另一个绞合导体轨道平面。在不同层次互连之间，形成容量。每个导体轨道平面与数字控制电子相关联。的导体轨道平面的互连是对连接在一起的电极互连平面数字电子控制独立的相关联的一个。，它们位于不同的导体轨道的平面的至少两个导电线由相应的控制电子设备的相应电极相连接。在电极处是所选择的能力。

3. 发明申请

WO2010072590A1 UNIPOLARER HETERO-JUNCTION-SPERRSCHICHT-TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：单极异质结势垒晶体管
公开(公告)号：WO2010072590A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/EP2009/066958
申请日：2009-12-11
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / LEIBNIZ-INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , MEHR, Wolfgang , LIPPERT, Gunther
发明人： MEHR, Wolfgang , LIPPERT, Gunther
IPC分类号： H01L29/16 , H01L29/737 , H01L29/76
CPC分类号： H01L29/16 , H01L29/1606 , H01L29/7376 , H01L29/7606
摘要： Sperrschichttransistor, mit einer Basis, einem Emitter und einem Kollektor, bei dem der Emitter eine Tunneldiode enthält, welche bei einer anliegenden Emitter-Basisspannung in Flussrichtung oberhalb einer ersten Schwellenspannung einen Tunnelstrom von Ladungsträgern vom Emitter in Richtung des Kollektors zulässt, und bei dem die Basis eine Graphenschicht enthält.
摘要翻译：具有基极，发射极和集电极，其特征在于，所述发射极包括隧道二极管，其是高于第一阈值电压结型晶体管允许从朝向集电极的发射极的载流子的隧穿电流在正方向施加的发射极 - 基极电压，并且其中所述基包括石墨烯层。

4. 发明申请

WO2003046947A2 BIPOLAR TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：双极晶体管
公开(公告)号：WO2003046947A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/EP2002/013620
申请日：2002-12-02
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKRELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
发明人： HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L29/7375 , H01L29/7378
摘要： Gemäß Anspruch 1 umfasst der erfindungsgemäße Bipolartransistor 1 einen Emitter 20, der teilweise einkristallin und teilweise polykristallin oder amorph ausgebildet ist (partiell einkristalliner Emitter). Außerdem weist die Basis 30b des Bipolartransistors 1 eine Kohlenstoff- oder Sauerstoffkonzentration im Bereich von 2x10 19 bis 2x10 21 cm -3 . Eine solche Struktur webessert die Hochfrequenzeigenschaften des Bipolartransistors und vermindert das Hochfrequenz-Rauschen. In einer Ausgestaltung der Erfindung liegt in der Basis 30b des Bipolartransistors eine Dotierstoffvereilung, vorzugsweise eine Borverteilung, mit einer Flächendosis von mindestens 4,5x10 13 cm -2 , vorzugsweise mindestens 7,5x10 13 cm -2 vor. Die Basis kann darüber hinaus auch Germanium enthalten.
摘要翻译：
宝石。权利要求1，根据本发明的双极晶体管1包括部分为单晶且部分为多晶或非晶（部分单晶发射体）的发射极20。此外，双极晶体管1的基极30b具有从2×10 19到2×10 21 cm -3的碳或氧浓度。这种结构改善了双极晶体管的高频特性并降低了高频噪声。在本发明的一个实施例在于在双极晶体管30b的一个Dotierstoffvereilung，优选硼分布的基础上，用FL＆AUML;至少4.5×10 ^{13 厘米^{-2 ，优选至少chendosis 7.5×10 13 cm 2 -2。基地也可能含有锗。}}

5. 发明申请

WO2003046947A3 BIPOLAR TRANSISTOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003046947A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/EP2002/013620
申请日：2002-12-02
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKRELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
发明人： HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
IPC分类号： H01L21/331
摘要： Gemäß Anspruch 1 umfasst der erfindungsgemäße Bipolartransistor 1 einen Emitter 20, der teilweise einkristallin und teilweise polykristallin oder amorph ausgebildet ist (partiell einkristalliner Emitter). Außerdem weist die Basis 30b des Bipolartransistors 1 eine Kohlenstoff- oder Sauerstoffkonzentration im Bereich von 2x10 19 bis 2x10 21 cm -3 . Eine solche Struktur webessert die Hochfrequenzeigenschaften des Bipolartransistors und vermindert das Hochfrequenz-Rauschen. In einer Ausgestaltung der Erfindung liegt in der Basis 30b des Bipolartransistors eine Dotierstoffvereilung, vorzugsweise eine Borverteilung, mit einer Flächendosis von mindestens 4,5x10 13 cm -2 , vorzugsweise mindestens 7,5x10 13 cm -2 vor. Die Basis kann darüber hinaus auch Germanium enthalten.

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