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1. 发明申请

WO0247160A8 METHOD FOR PRODUCING HIGH-SPEED VERTICAL NPN BIPOLAR TRANSISTORS AND COMPLEMENTARY MOS TRANSISTORS ON A CHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产RAPID垂直NPN双极晶体管和互补MOS晶体管上的芯片
公开(公告)号：WO0247160A8
公开(公告)日：2003-12-11
申请号：PCT/EP0114319
申请日：2001-12-06
申请人： IHP GMBH , KNOLL DIETER , HEINEMANN BERND
发明人： KNOLL DIETER , HEINEMANN BERND
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L29/737
CPC分类号： H01L21/8249
摘要： The invention relates to a method for producing high-speed vertical npn bipolar transistors and complementary MOS transistors on a chip. In order to produce these high-speed vertical npn bipolar transistors and complementary MOS transistors on a chip, all technological method steps for producing the vertical structure of the collector, base and emitter in the active region of the npn bipolar transistors as well as for laterally structuring the collector regions, base regions and emitter regions are performed before the troughs and the gate insulating layer for the MOS transistors are produced.
摘要翻译：本发明涉及一种用于在一个芯片上制造快速垂直NPN双极晶体管和互补MOS晶体管的方法。对于快速垂直npn双极晶体管和互补MOS晶体管的芯片上制备所有用于在NPN双极型晶体管的有源区和用于集电极，基极和发射极区域的横向结构产生集电极，基极和发射极的垂直结构的工艺过程的步骤是在前面生产井和栅极的MOS晶体管Isolatiorschicht执行。

2. 发明申请

WO2003046948A3 BIPOLARE HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2003046948A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/EP2002/013622
申请日：2002-12-02
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger
发明人： HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger
IPC分类号： H01L29/732
摘要： Die erfindungsgemässe Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, ein Feldisolationsgebiet, welches ein aktives Gebiet des Halbleitersubstrats begrenzt, einen Kollektor, mindestens ein dem Kollektor zugeordnetes Kollektorkontaktgebiet sowie eine Basis mit einem zugehörigen Basisanschlussgebiet. Der Kollektor und das Kollektorkontaktgebiet sind in demselben aktiven Gebiet gebildet. Ausserdem erstreckt sich das Basisanschlussgebiet teilweise über das aktive Gebiet und ist von der Oberfläche des aktiven Gebiets durch eine Isolatorschicht getrennt.

3. 发明申请

WO2003049191A3 BICMOS-STRUKTUR, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND BIPOLARTRANSISTOR FÜR EINE BICMOS-STRUKTUR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003049191A3
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/EP2002/013858
申请日：2002-12-06
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
发明人： EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
IPC分类号： H01L29/73
摘要： Diese Erfindung betrifft einen Bipolartransistor mit epitaktisch gewachsener Basis und selbstpositioniertem Emitter, wodurch die Basis gebildet wird aus einem ersten, im Wesentlichen einkristallinen epitaktischen Bereich (1), welcher parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrates (2) angeordnet ist und aus einem zweiten, im Wesentlichen polykristallinen und hochdotierten Bereich (3) gleichen Leitungstyps, welcher senkrecht zur Substratoberfläche angeordnet ist und den ersten Bereich an allen Seiten umschliesst und dass dieser zweite Bereich mindestens an einer Seite, vorzugsweise aber an allen 4 Seiten, mit einer dritten, vorzugsweise hochdotierten oder metallisch leitenden, hochtemperaturbeständigen polykristallinen Schicht (4) leitend verbunden ist, welche parallel zur Oberfläche des halbleitersubstrates angeordnet ist und den äusseren Basiskontakt zu einem metallischen Leitbahnsystem bildet bzw. einschliesst. Eine weitere Aufgabe ist es, eine verbesserte BiCMos-Struktur zur verfügung zu stellen.

4. 发明申请

WO2003049191A2 BICMOS-STRUKTUR, VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG UND BIPOLARTRANSISTOR FÜR EINE BICMOS-STRUKTUR 审中-公开
标题翻译： BICMOS结构，生产以及为双极晶体管的BiCMOS结构方法
公开(公告)号：WO2003049191A2
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/EP2002/013858
申请日：2002-12-06
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
发明人： EHWALD, Karl-Ernst , FOX, Alexander , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , MARSCHMAYER, Steffen , BLUM, Katrin
IPC分类号： H01L29/73
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L21/8249 , H01L27/0623 , H01L29/7378
摘要： Diese Erfindung betrifft einen Bipolartransistor mit epitaktisch gewachsener Basis und selbstpositioniertem Emitter, wodurch die Basis gebildet wird aus einem ersten, im Wesentlichen einkristallinen epitaktischen Bereich (1), welcher parallel zur Oberfläche des Halbleitersubstrates (2) angeordnet ist und aus einem zweiten, im Wesentlichen polykristallinen und hochdotierten Bereich (3) gleichen Leitungstyps, welcher senkrecht zur Substratoberfläche angeordnet ist und den ersten Bereich an allen Seiten umschliesst und dass dieser zweite Bereich mindestens an einer Seite, vorzugsweise aber an allen 4 Seiten, mit einer dritten, vorzugsweise hochdotierten oder metallisch leitenden, hochtemperaturbeständigen polykristallinen Schicht (4) leitend verbunden ist, welche parallel zur Oberfläche des halbleitersubstrates angeordnet ist und den äusseren Basiskontakt zu einem metallischen Leitbahnsystem bildet bzw. einschliesst.
摘要翻译：本发明涉及一种具有外延生长的基极和selbstpositioniertem发射极的双极晶体管，其中所述基座由第一基本单晶的外延区域1形成，其设置成平行于所述半导体基板2和第二多晶的表面基本上和高掺杂区3 相同的导电类型，其被布置成垂直于衬底表面，并围绕在所有侧面上的第一区域，并且该第二部分连接的至少在一侧上，但优选在所有4个侧面，导电地连接到第三，优选高掺杂或金属导电，耐高温多晶层4 设置成平行于所述半导体基板的表面与形成外基极接触到金属导体轨道，并包括。

5. 发明申请

WO2003046947A2 BIPOLAR TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：双极晶体管
公开(公告)号：WO2003046947A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/EP2002/013620
申请日：2002-12-02
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKRELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
发明人： HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66242 , H01L29/7375 , H01L29/7378
摘要： Gemäß Anspruch 1 umfasst der erfindungsgemäße Bipolartransistor 1 einen Emitter 20, der teilweise einkristallin und teilweise polykristallin oder amorph ausgebildet ist (partiell einkristalliner Emitter). Außerdem weist die Basis 30b des Bipolartransistors 1 eine Kohlenstoff- oder Sauerstoffkonzentration im Bereich von 2x10 19 bis 2x10 21 cm -3 . Eine solche Struktur webessert die Hochfrequenzeigenschaften des Bipolartransistors und vermindert das Hochfrequenz-Rauschen. In einer Ausgestaltung der Erfindung liegt in der Basis 30b des Bipolartransistors eine Dotierstoffvereilung, vorzugsweise eine Borverteilung, mit einer Flächendosis von mindestens 4,5x10 13 cm -2 , vorzugsweise mindestens 7,5x10 13 cm -2 vor. Die Basis kann darüber hinaus auch Germanium enthalten.
摘要翻译：
宝石。权利要求1，根据本发明的双极晶体管1包括部分为单晶且部分为多晶或非晶（部分单晶发射体）的发射极20。此外，双极晶体管1的基极30b具有从2×10 19到2×10 21 cm -3的碳或氧浓度。这种结构改善了双极晶体管的高频特性并降低了高频噪声。在本发明的一个实施例在于在双极晶体管30b的一个Dotierstoffvereilung，优选硼分布的基础上，用FL＆AUML;至少4.5×10 ^{13 厘米^{-2 ，优选至少chendosis 7.5×10 13 cm 2 -2。基地也可能含有锗。}}

6. 发明申请

WO0247113A3 LAYERS IN SUBSTRATE WAFERS 审中-公开
标题翻译：基片中的层
公开(公告)号：WO0247113A3
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：PCT/EP0114318
申请日：2001-12-06
申请人： IHP GMBH , HEINEMANN BERND , EHWALD KARL-ERNST , KNOLL DIETER , TILLAK BERND , WOLANSKY DIRK , SCHLEY PETER
发明人： HEINEMANN BERND , EHWALD KARL-ERNST , KNOLL DIETER , TILLAK BERND , WOLANSKY DIRK , SCHLEY PETER
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/74 , H01L21/8238 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/092 , H01L29/10 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/74 , H01L21/26506 , H01L21/823807 , H01L21/823892 , H01L29/1083
摘要： The invention relates to layers in substrate wafers. The aim of the invention is to provide layers in substrate wafers with which the drawbacks of conventional assemblies are overcome in order to achieve, on the one hand, an adequate resistance to latch-up in highly scaled, digital CMOS circuits with comparatively low costs and, on the other hand, to ensure low substrate losses/couplings for analog high-frequency circuits and, in addition, to influence the component behavior in a non-destructive manner. To these ends, the invention provides that in a highly resistive p-Si substrate (2) with one or more buried high-carbon Si layers (3) under an epitaxial layer and with the Si cap layer (4), an implantation dose, which is greater in comparison to conventional substrate wafers, is used for retrograde trough profiles by suppressing the dopant diffusion as well as the generation of defects when remedying implant defects, thereby achieving a reduction of the trough resistance, and finally, an increase in the resistance to latch-up.
摘要翻译：本发明涉及基片切片中的层。本发明的目的是提供一种层在衬底晶片，其中的常规装置的缺点，以在一侧上实现高度缩放CMOS数字电路的足够闭锁强度与相对低的成本，而在另一被克服用于模拟高频电路以保证和超出组件行为的侧面低基板损耗/耦合不会产生不利影响。根据本发明，这个目的是在与一个或多个掩埋富碳的硅层（3）具有外延层来实现在高电阻的p型Si衬底（2）中，Si盖层（4）通过抑制Dotantendiffusion和相比于传统的衬底晶片，因此阱电阻的降低，并最终增加闭锁强度等缺陷产生在注入损伤的退火施加较大的注入剂量为逆行井轮廓。

7. 发明申请

WO0017423A2 METHOD FOR PRODUCING AN AMORPHOUS OR POLYCRYSTALLINE LAYER ON AN INSULATING REGION 审中-公开
标题翻译：用于生产无定形的或多晶的层上的场绝缘体
公开(公告)号：WO0017423A2
公开(公告)日：2000-03-30
申请号：PCT/DE9903069
申请日：1999-09-20
申请人： INST HALBLEITERPHYSIK GMBH , TILLACK BERND , HEINEMANN BERND , KNOLL DIETER , EHWALD KARL ERNST , WOLANSKY DIRK
发明人： TILLACK BERND , HEINEMANN BERND , KNOLL DIETER , EHWALD KARL-ERNST , WOLANSKY DIRK
IPC分类号： H01L21/285 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/331 , H01L29/732 , C30B29/06
CPC分类号： H01L21/32055 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02639
摘要： The invention aims to provide a method for producing an amorphous or polycrystalline layer on an insulating area which in relation to known methods increases the thickness of the amorphous or polycrystalline layer and improves the homogeneity of the deposition, thus resulting in reduced surface roughness while at least maintaining the insulating properties of the insulating area. To this end a suitable seeding layer (28, 29), preferably silicon nitride, is deposited so that the seeding capacity and insulating properties of the SiO2 insulating area (14, 31) during deposition of the amorphous or polycrystalline Si or SiGe layers (15, 16, 17, 33) are improved.
摘要翻译：本发明的目的是提出一种用于在绝缘体区，其中相比于以前的方法中，无定形的或多晶的层的厚度越大，则沉积的均匀性得到提高，因此，表面粗糙度被降低生产无定形的或多晶的层的方法。在这种情况下，应该至少保持该绝缘体区的绝缘性能。根据本发明，这个目的是通过将合适的（28，29）籽晶层，优选氮化硅，Bekeimungsvermögen和绝缘在非晶或多晶层（15，16的沉积由SiO 2制成的绝缘区域（14，31）的特性，17这样来实现，33）由Si或SiGe的提高。

8. 发明申请

WO2008068340A1 KOMPLEMENTÄRE BIPOLAR-HALBLEITERVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：互补双极型半导体装置
公开(公告)号：WO2008068340A1
公开(公告)日：2008-06-12
申请号：PCT/EP2007/063551
申请日：2007-12-07
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS / INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , EHWALD, Karl-Ernst
发明人： KNOLL, Dieter , HEINEMANN, Bernd , EHWALD, Karl-Ernst
IPC分类号： H01L21/8228 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/082
CPC分类号： H01L27/0623 , H01L21/82285 , H01L21/8249 , H01L27/0826
摘要： Komplementäre Bipolar-Halbleitervorrichtung (CBi-Halbleitervorrichtung) mit einem Substrat eines ersten Leitfähigkeitstyps, aktiven Bipolartransistorgebieten im Substrat, in denen Basis, Emitter und Kollektor vertikaler Bipolartransistoren angeordnet sind, vertikalen npn-Bipolartransistoren mit epitaxialer Basis in einer ersten Teilanzahl der aktiven Bipolartransistorgebiete, vertikalen pnp-Bipolartransistoren mit epitaxialer Basis in einer zweiten Teilanzahl der aktiven Bipolartran- sistorgebiete, Kollektorkontaktgebieten, die jeweils an ein aktives Bipolartransistorgebiet angrenzend angeordnet sind, sowie flachen Feldisolationsgebieten, die die aktiven Bipolartransistorgebiete und die Kollektorkontaktgebiete jeweils lateral begrenzen, wobei zwischen der ersten oder der zweiten oder sowohl der ersten als auch der zweiten Teilanzahl aktiver Bipolartransistorgebiete einerseits und den angrenzenden Kollektorkontaktgebieten andererseits jeweils ein flaches Feldisolationsgebiet eines ersten Typs mit einer ersten Tiefenausdehnung in Richtung des Substratinneren angeordnet ist, und dass flache Feldisolationsgebiete eines zweiten Typs mit einer zweiten, größeren Tiefenausdehnung als die erste Tiefenausdehnung die aktiven Bipolartransistorgebiete und die Kollektorkontaktgebiete im Querschnitt gesehen an ihren von einander abgewandten Seiten begrenzen.
摘要翻译：互补双极型半导体装置，其具有第一导电类型的衬底（CBI-半导体器件），活性Bipolartransistorgebieten在衬底上，其中基极，发射极和垂直双极晶体管的集电极被布置，垂直npn双极晶体管具有外延基极在有源双极晶体管的区域的第一部分数，垂直PNP 与活性双极晶体管区域的第二部分数目的外延基-Bipolartransistoren，集电极接触区域，其设置分别相邻于激活的双极晶体管区和所述平场绝缘区，这限制了活性双极晶体管区和集电极接触区在每种情况下横向地，其中的第一或第二或第一和一方面活性双极晶体管的区域的第二部分数目和邻接的集电极接触区，另一方面在每种情况下ERS的平坦场隔离区个类型设置具有在所述基板的内部的方向的第一深度尺寸，和第二类型具有比所述第一深度尺寸更大的第二深度尺寸的该平场绝缘区域限制有源双极晶体管区和在其端部面向彼此两侧远在横截面中观察所述集电极接触区。

9. 发明申请

WO2003046948A2 HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003046948A2
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/EP2002/013622
申请日：2002-12-02
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger
发明人： HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/66287 , H01L29/0821 , H01L29/1004 , H01L29/7325
摘要： Die erfindungsgemässe Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, ein Feldisolationsgebiet, welches ein aktives Gebiet des Halbleitersubstrats begrenzt, einen Kollektor, mindestens ein dem Kollektor zugeordnetes Kollektorkontaktgebiet sowie eine Basis mit einem zugehörigen Basisanschlussgebiet. Der Kollektor und das Kollektorkontaktgebiet sind in demselben aktiven Gebiet gebildet. Ausserdem erstreckt sich das Basisanschlussgebiet teilweise über das aktive Gebiet und ist von der Oberfläche des aktiven Gebiets durch eine Isolatorschicht getrennt.
摘要翻译：本发明的半导体器件包括衬底，一个场绝缘区，其限定了半导体衬底，集电极的有源区，至少一个与所述集电极接触区域，并与一个相关的基极连接区域的基部相关联的收集器。被形成在相同有源区中的集电体和集电接触区。此外，部分地延伸在所述有源区和通过绝缘体层从所述活性区域的表面分离的基极连接区域。

10. 发明申请

WO2003046947A3 BIPOLAR TRANSISTOR 审中-公开
公开(公告)号：WO2003046947A3
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/EP2002/013620
申请日：2002-12-02
申请人： IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/INSTITUT FÜR INNOVATIVE MIKRELEKTRONIK , HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
发明人： HEINEMANN, Bernd , KNOLL, Dieter , EHWALD, Karl-Ernst , RÜCKER, Holger , KRÜGER, Dietmar , TILLACK, Bernd , OSTEN, Hans-Jörg , MEHR, Wolfgang , WINKLER, Wolfgang , OURMAZD, Abbas
IPC分类号： H01L21/331
摘要： Gemäß Anspruch 1 umfasst der erfindungsgemäße Bipolartransistor 1 einen Emitter 20, der teilweise einkristallin und teilweise polykristallin oder amorph ausgebildet ist (partiell einkristalliner Emitter). Außerdem weist die Basis 30b des Bipolartransistors 1 eine Kohlenstoff- oder Sauerstoffkonzentration im Bereich von 2x10 19 bis 2x10 21 cm -3 . Eine solche Struktur webessert die Hochfrequenzeigenschaften des Bipolartransistors und vermindert das Hochfrequenz-Rauschen. In einer Ausgestaltung der Erfindung liegt in der Basis 30b des Bipolartransistors eine Dotierstoffvereilung, vorzugsweise eine Borverteilung, mit einer Flächendosis von mindestens 4,5x10 13 cm -2 , vorzugsweise mindestens 7,5x10 13 cm -2 vor. Die Basis kann darüber hinaus auch Germanium enthalten.

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