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1. 发明申请

WO2010006849A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER BAUELEMENTANORDNUNG, BAUELEMENT UND BAUELEMENTANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件，制造方法分量布置，分量及分量布置
公开(公告)号：WO2010006849A2
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/EP2009/057106
申请日：2009-06-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C99/008 , B81B7/0006 , B81B2207/093
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements vorgeschlagen, wobei in einem ersten Herstellungsschritt eine Grundstruktur mit einem Substrat, einer Membran und einem Kavernenbereich bereitgestellt wird, wobei die Membran im Wesentlichen parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats angeordnet ist, wobei zwischen dem Substrat und der Membran der Kavernenbereich angeordnet ist, wobei der Kavernenbereich eine Zugangsöffnung aufweist und wobei in einem zweiten Herstellungsschritt im Kavernenbereich und insbesondere auf einer dem Substrat senkrecht zur Haupterstreckungsebene zugewandten zweiten Seite der Membran eine erste Leitschicht zumindest teilweise angeordnet wird.
摘要翻译：它提出了一种方法，用于制造装置，其特征在于，提供了一种基本结构，其包括一基板，一隔膜和在第一制造工序的腔体区域，其中所述膜基本上平行于所述衬底的主平面设置，所述基板和所述隔膜之间被布置在腔体区域，所述具有接入开口，并且其中的第一导电层被布置在至少部分地在腔区域中的第二制造工序，特别是垂直地朝向所述膜的第二侧的主延伸面的衬底上腔区域。

2. 发明申请

WO2009127455A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT FESTSTEHENDEM GEGENELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于生产具有硬立靠在元微机械膜结构
公开(公告)号：WO2009127455A2
公开(公告)日：2009-10-22
申请号：PCT/EP2009/051774
申请日：2009-02-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , FISCHER, Martin , REINMUTH, Jochen , KNESE, Kathrin , ARMBRUSTER, Simon
发明人： FISCHER, Martin , REINMUTH, Jochen , KNESE, Kathrin , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0257 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Membranstruktur (11) mit feststehendem Gegenelement (12) vorgeschlagen, das von einem p-dotierten Si- Substrat (1) ausgeht. Dieses Verfahren umfasst die folgenden Prozessschritte - n-Dotierung mindestens eines zusammenhängenden gitterförmigen Bereichs (2) der Substratoberfläche; (Fig. Ia) porös Ätzen eines Substratbereichs (3) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2); (Fig. lb-c) Oxidation des porösen Siliziums; (Fig. Id) - Erzeugen mindestens einer Opferschicht (5) über der n-dotierten Gitterstruktur (2); (Fig. Ie) Abscheidung und Strukturierung mindestens einer dicken Epitaxieschicht (7); (Fig. lf-g) Entfernen der Opferschicht (5) zwischen der dicken Epitaxieschicht (7) und der n-dotierten Gitterstruktur (2) und Erzeugen einer Kaverne (10) im Si-Substrat (1) unterhalb der n- dotierten Gitterstruktur (2) durch Entfernen des oxidierten porösen Siliziums (oxPorSi); (Fig. Ih) so dass die freigelegte n-dotierte Gitterstruktur (2) eine Membranstruktur (11) bildet und in der strukturierten dicken Epitaxieschicht (7) mindestens ein feststehendes Gegenelement (12) ausgebildet ist.
摘要翻译：与本发明的用于制造微机械膜结构（11）具有固定的计数器元件（12）的方法，提出了从p掺杂的Si衬底开始（1）。该方法包括以下工艺步骤 - n掺杂至少一个有凝聚力的网格区域（2）在基板表面的; （图1a）是多孔的蚀刻n型掺杂的晶格结构（2）下方的衬底部分（3）; （图1b-C）多孔硅的氧化; （图1d） - 通过n型掺杂的晶格结构生成至少一个牺牲层（5）（2）; （图1E）的沉积和至少一个厚的外延层的图案（7）; （图LF-g）除去厚的外延层（7）和所述n型掺杂的晶格结构之间的牺牲层（5）（2）和在所述Si基板（1）下方的n型掺杂的光栅结构产生的腔体（10）（ 2）通过除去已氧化的多孔硅（oxPorSi）; 是（11）（小时图），使得露出的n型晶格结构（2）的膜的结构和在结构化厚的外延层（7）的至少一个固定的反元件（12）。

3. 发明申请

WO2008089862A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件和传感器元件
公开(公告)号：WO2008089862A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/EP2007/062952
申请日：2007-11-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C2201/0115 , G01L19/0038
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) vorgeschlagen, mit mindestens einer in der Bauteiloberfläche ausgebildeten Membran (11), die eine Kaverne (12) überspannt, und mit mindestens einer von der Bauteilrückseite ausgehenden Zugangsöffnung (14) zu der Kaverne (12), wobei zumindest eine erste Membranschicht (2) und die Kaverne (12) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem monolithischen Halbleitersubstrat (1) erzeugt werden und wobei die Zugangsöffnung (14) von der Substratrückseite ausgehend in einem zeitlich begrenzten Ätzprozess erzeugt wird. Dazu wird die Zugangsöffnung (14) erfindungsgemäß in einem Bereich angeordnet, in dem das Substratmaterial an die erste Membranschicht (2) heranreicht. Außerdem umfasst der Ätzprozess zum Erzeugen der Zugangsöffnung (14) mindestens einen anisotropen Ätzschritt und mindestens einen isotropen Ätzschritt, wobei in dem anisotropen Ätzschritt ein von der Substratrückseite ausgehender Ätzkanal (15) erzeugt wird, der unterhalb der ersten Membranschicht (2) in der Umgebung der Kaverne (12) endet, und wobei zumindest der Endbereich (16) dieses Ätzkanals (15) in dem isotropen Ätzschritt aufgeweitet wird, bis der Ätzkanal (15) an die Kaverne angeschlossen ist.
摘要翻译：利用本发明，用于制造部件的方法（10）设有与形成在部件表面的膜的至少一个开口（11）跨越的空腔（12），和传出与该组件后部进出开口（14）中的至少一个的腔体（12），其中至少一个第一隔膜层（2）和从所述部件表面的腔体（12），在单片半导体衬底开始（1）的生产，并且其中所述进入开口（14）由在基板背面侧从有限的刻蚀工艺中产生的，为了这个目的，所述进入开口（14）是根据设置在区域中的第一薄膜层的衬底材料（2）的变焦范围本发明。另外，用于形成所述进入开口（14）的蚀刻工艺包括至少一个各向异性的蚀刻步骤和至少一个各向同性蚀刻步骤中，在位于第一隔膜层（2）下方的附近的基板背面侧出射的蚀刻通道（15）的各向异性蚀刻步骤而产生腔（12）结束，并且其中至少该蚀刻通道的端部（16）（15）被加宽各向同性蚀刻直到蚀刻通道（15）连接到所述洞穴。

4. 发明申请

WO2007147663A1 SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：传感器和方法用于生产
公开(公告)号：WO2007147663A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/053932
申请日：2007-04-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
IPC分类号： B81B3/00 , G01J5/10 , G01K7/01
CPC分类号： B81B3/0081 , B81B2201/0278 , B81B2203/0109 , B81B2207/015 , B81C2201/0109 , G01J5/06 , G01J5/20
摘要： Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere zur ortsaufgelösten Detektion, der aufweist ein Substrat (1), mindestens ein mikrostrukturiertes Sensorelement (52) mit einer ihren Wert temperaturabhängig ändernden elektrischen Eigenschaft, und mindestens einer Membran (36.1) oberhalb einer Kaverne (26, 74, 94), wobei das Sensorelement (52) an der Unterseite der mindestens einen Membran (36.1) angeordnet ist, und wobei das Sensorelement (52) über Zuleitungen (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) kontaktiert sind, die in, auf oder unter der Membran (36.1) verlaufen. Es können insbesondere mehrere Sensorelemente (52) als Diodenpixel in einer monokristallinen, durch Epitaxie ausgebildeten Schicht ausgebildet sein. In der Membran (36.1) können Aufhängefedern (70) ausgebildet sein, die die einzelnen Sensorelemente (52) elastisch und isolierend aufnehmen.
摘要翻译：本发明涉及一种传感器，特别是用于空间分辨的检测，其包括衬底（1），至少具有一个其值的微结构化的传感器元件（52）依赖于温度变化的电特性，和至少一个膜片（36.1）的空腔（26，74的上方， 94），其中所述传感器元件（52）布置在所述至少一个膜（36.1）的下侧上，并且其中，经由电源线传感器元件（52）（60，62; 98-1，98-2，100-1，100- 由2接触），其运行在上或隔膜（36.1）下。它可以是，可以形成特别是多个传感器元件（52），如在通过外延生长层形成的单晶二极管像素。在膜（36.1）可以被接收的单独的传感器元件（52）（70）弹性地和绝缘形成悬挂弹簧。

5. 发明申请

WO2009138138A3 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON CHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2009138138A3
公开(公告)日：2009-11-19
申请号：PCT/EP2008/066593
申请日：2008-12-02
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung von Chips (1, 2) vorgeschlagen, bei dem zunächst in der Oberflächenschicht eines Halbleitersubstrats (10) mindestens eine Membran (11, 12) erzeugt wird, die eine Kaverne (13) überspannt. Anschließend wird die Funktionalität des Chips (1, 2) in die Membran (11, 12) integriert. Um den Chip (1, 2) zu vereinzeln, wird die Membran (11, 12) aus dem Substratverbund gelöst. Erfindungsgemäß soll die Chiprückseite vor dem Herauslösen des Chips (1, 2) aus dem Substratverbund in einem Galvanikprozess metallisiert werden.

6. 发明申请

WO2009033871A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER VIELZAHL VON CHIPS UND ENTSPRECHEND HERGESTELLTER CHIP 审中-公开
标题翻译：用于生产芯片中的品种，相应地做出CHIP
公开(公告)号：WO2009033871A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/EP2008/059688
申请日：2008-07-24
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00
CPC分类号： H01L21/78 , B81C1/00896 , B81C2201/053
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Herstellungsverfahren für Chips vorgeschlagen, bei dem möglichst viele Verfahrensschritte im Waferverbund, also parallel für eine Vielzahl von auf einem Wafer angeordneten Chips, durchgeführt werden. Es handelt sich dabei um ein Verfahren zum Herstellen einer Vielzahl von Chips, deren Funktionalität ausgehend von der Oberflächenschicht (2) eines Substrats (1) realisiert wird. Bei diesem Verfahren wird die Oberflächenschicht (2) strukturiert und mindestens ein Hohlraum (3) unter der Oberflächenschicht (2) erzeugt, so dass die einzelnen Chipbereiche (5) lediglich über Aufhängestege untereinander und/oder mit dem übrigen Substrat (1) verbunden sind, und/oder so dass die einzelnen Chipbereiche (5) über Stützelemente (7) im Bereich des Hohlraums (3) mit der Substratschicht (4) unterhalb des Hohlraums (3) verbunden sind. Beim Vereinzeln der Chips werden die Aufhängestege und/oder Stützelemente (7) aufgetrennt. Erfindungsgemäß wird die strukturierte und unterhöhlte Oberflächenschicht (2) des Substrats (1) vor dem Vereinzeln der Chips in eine Kunststoffmasse (10) eingebettet.
摘要翻译：与本发明的芯片的制造方法，提出了其中在晶片装配尽可能多的工艺步骤，所以并行设置，用于在晶片上的多个芯片中执行。这是一种用于制造多个芯片，其功能，从（1）实现的衬底的表面层（2）开始的方法。在该方法中，产生在表面层（2）的结构和至少一个腔（3）的表面层下面（2）中，以使得单独的芯片区域（5）仅经由悬架腹板之间彼此和/或与基板（1）的其余部分相连接，和/或使得各个芯片区域（5）的支承元件（7）在空腔（3）与腔下方的基板层（4）的区域（3）。在芯片的分离，悬浮液纤维网和/或支撑元件（7）是分离的。根据本发明，该芯片在一个塑料的质量（10）在分离前的基板（1）的图案化和底切表面层（2）被嵌入。

7. 发明申请

WO2008110401A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ERZEUGEN EINER PORÖSEN SCHICHT AUF EINEM HALBLEITERTRÄGER 审中-公开
标题翻译：方法和设备，用于生成多孔层上具有半导体载体
公开(公告)号：WO2008110401A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/EP2008/050940
申请日：2008-01-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , ARTMANN, Hans , ARMBRUSTER, Simon , FEYH, Ando
发明人： KRAMER, Torsten , BOEHRINGER, Matthias , ARTMANN, Hans , ARMBRUSTER, Simon , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/0203
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung werden ein Verfahren und eine Vorrichtung (10) vorgeschlagen, womit die Oberfläche eines schwach p-dotierten Halbleiterträgers (20) unter der Randbedingung eines beidseitigen elektrolytischen Kontakts porös geätzt werden kann, ohne dass die Rückseite dieses Halbleiterträgers (20) mit einem ohmschen Kontakt versehen werden muss.
摘要翻译：本发明提出一种方法和一种装置（10），由此，弱p型掺杂的半导体衬底（20）的表面可以被蚀刻双面电解接触的边界条件下多孔，如果没有这种半导体衬底（20）的相反侧具有必须提供欧姆接触。

8. 发明申请

WO2007147670A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SILIZIUMSUBSTRATS MIT VERÄNDERTEN OBERFLÄCHENEIGENSCHAFTEN SOWIE EIN DERARTIGES SILIZIUMSUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于生产硅衬底上具有改变的表面特性和这种硅衬底
公开(公告)号：WO2007147670A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/054172
申请日：2007-04-27
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , LAERMER, Franz , KRONMUELLER, Silvia , FARBER, Paul , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard , REICHENBACH, Ralf , SCHELLING, Christoph , FEYH, Ando
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02008 , H01L21/02381 , H01L21/02529 , H01L21/02573 , H01L21/02601 , H01L21/02612 , H01L21/02656 , H01L21/02658 , H01L21/02667 , H01L33/346
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumsubstrats (1), umfassend die Schritte Bereitstellen eines Siliziumsubstrats mit einer im Wesentlichen ebenen Siliziumoberfläche, Herstellen einer porösen Siliziumoberfläche mit einer Vielzahl von Poren (2), insbesondere mit Makroporen und/oder Mesoporen und/oder Nanoporen, Aufbringen eines in das Silizium einzubringenden Füllmaterials, welches einen Durchmesser aufweist, der kleiner als ein Durchmesser der Poren (2) ist, Einbringen des Füllmaterials (3) in die Poren (2), gegebenenfalls Entfernen von überflüssigem Füllmaterial (3) von der Siliziumoberfläche, und Tempern des mit dem in die Poren (2) eingefüllten Füllmaterials (3) versehenen Siliziumsubstrats (1) bei einer Temperatur zwischen ca. 1000°C bis ca. 1400°C, um die erzeugten Poren (2) wieder zu schließen und das Füllmaterial (3) einzuschließen.
摘要翻译：本发明涉及一种方法，用于制造的硅衬底（1），包括：提供具有基本上是平面的硅表面的硅衬底的步骤，准备具有多个孔（2）的多孔硅表面，特别是与大孔和/或孔，和/或纳米孔，施加到被引入到硅填料，其直径比直径的孔（2）的小，填充材料引入（3）进入所述孔（2），任选地除去从过量的填料（3）的硅表面，以及退火填充到孔中（2）（1）提供（3）硅衬底在温度为约1000℃至约1400℃的填充材料以关闭所创建的孔（2）再次，和括填充材料（3）。

9. 发明申请

WO2007036504A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER EINE MONOLITHISCH INTEGRIERTE SCHALTIMG UMFASSENDE SENSORANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：一种用于生产单片集成的综合效应SCHALTIMG传感器装置
公开(公告)号：WO2007036504A1
公开(公告)日：2007-04-05
申请号：PCT/EP2006/066687
申请日：2006-09-25
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00246 , B81C2203/0742
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer eine monolithisch integrierte Schaltung umfassende Sensoranordnung sowie eine Sensoranordnung vorgeschlagen, wobei die Sensoranordnung eine mikromechanische Sensorstruktur aufweist, wobei eine erste der Sensorstruktur zugeordnete Teilstruktur gleichzeitig mit einer zweiten der Schaltung zugeordneten Teilstruktur erzeugt wird, wobei zur Einstellung einer Struktureigenschaft der Sensorstruktur eine Prozessvariation der ersten Teilstruktur bei gleichbleibender zweiter Teilstruktur vorgenommen wird.
摘要翻译：它提出了一种方法，用于制造一个单片集成电路，包括传感器装置和传感器装置，所述传感器装置包括一个微机械传感器的结构，其特征在于，一个第一相关联的与第二电路部分的结构相关联的部分结构的同时被产生的传感器结构中，用于调节一个结构属性传感器结构的第一子集的工艺变化以恒定的第二部分的结构进行。

10. 发明申请

WO2009059857A3 MICROMECHANICAL COMPONENT COMPRISING A MEMBRANE LATTICE 审中-公开
标题翻译：微型机械结构元件与MEMBRANGITTER
公开(公告)号：WO2009059857A3
公开(公告)日：2009-07-16
申请号：PCT/EP2008063306
申请日：2008-10-06
申请人： BOSCH GMBH ROBERT , KRAMER TORSTEN , BENZEL HUBERT , ILLING MATTHIAS , ARMBRUSTER SIMON , BRASAS JOERG
发明人： KRAMER TORSTEN , BENZEL HUBERT , ILLING MATTHIAS , ARMBRUSTER SIMON , BRASAS JOERG
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/007 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00476
摘要： The invention relates to a micromechanical component comprising a substrate, a stabilisation element provided with openings, and a cavity located between the stabilisation element and the substrate. According to the invention, the minimum depth of the cavity can be deduced from the distribution of the openings in the stabilisation element. Essentially, the distance between the openings is to be taken into account for the determination of the required depth of the cavity. These distances are advantageously obtained by determining the distances between the centroids of the individual openings.
摘要翻译：本发明描述了一种具有基板，有开口的稳定元件和位于所述稳定元件和所述衬底之间的空腔中的微机械部件。根据本发明，可以从稳定元件中的开口的分布推断出洞穴的最小深度。基本上，它提供了在确定必要的洞穴深度时考虑开口彼此之间的距离。这有利地通过确定各个开口的表面中心之间彼此之间的距离来实现。

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