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1. 发明申请

WO2007073994A1 MIKROMECHANISCHES SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：微机械传感器元件
公开(公告)号：WO2007073994A1
公开(公告)日：2007-07-05
申请号：PCT/EP2006/068711
申请日：2006-11-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , MUCHOW, Joerg , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： MUCHOW, Joerg , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： G01L9/00
CPC分类号： G01L9/0054 , G01L9/0055
摘要： Es wird ein mikromechanisches Sensorelement (1) mit einer geschlossenen, in einem Rahmen (3) aufgespannten Membran (2), vorgeschlagen, das eine hohe Empfindlichkeit bei hoher Überlastfestigkeit und kleiner Baugröße aufweist und eine piezoresistive Messwerterfassung ermöglicht. Dazu ist im Bereich der Membran (2) mindestens ein Trägerelement (4) ausgebildet, das über mindestens einen Verbindungssteg (5) mit dem Rahmen (3) verbunden ist. Außerdem sind im Bereich des Verbindungsstegs (5) Piezowiderstände (6) zur Detektion einer Deformation angeordnet.
摘要翻译：它是一种微机械传感器元件（1）具有封闭，在一个框架（3）被夹持的方案（2）隔膜，其具有在高过载能力的高灵敏度和小的结构尺寸，并且使得压阻采集测量值。通过在膜的区域中形成（2）至少一个承载元件（4），其经由至少一个连接网（5）连接到所述框架（3）。另外，（5）压电电阻器（6）被设置用于在连接腹板的区域检测的变形。

2. 发明申请

WO2006114346A1 MIKROMECHANISCHER DRUCK-/KRAFTSENSOR SOWIE EIN ENTSPRECHENDES HERSTELLUNGSVERFAHREN 审中-公开
标题翻译：微机械压力/力传感器和相应的方法
公开(公告)号：WO2006114346A1
公开(公告)日：2006-11-02
申请号：PCT/EP2006/060349
申请日：2006-03-01
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard
发明人： BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , ARMBRUSTER, Simon , LAMMEL, Gerhard
IPC分类号： G01L1/18
CPC分类号： G01L1/18
摘要： Der vorliegende Druck-/Kraftwandler bzw. dessen Herstellungsverfahren basiert auf einem mittels gängiger Verfahren der Oberflächenmikromechanik hergestelltem Drucksensor und umfasst eine Membran über einer (Vakuum-)Kaverne, beispielsweise mit einer Höhe von einigen Mikrometern. Da die Kaverne geschlossen ist und nicht wie bei den mit der konventionellen KOH-Ätztechnik hergestellten Drucksensoren zur Membran abgewandten Seite der Kaverne offen ist, liegt für die Membran ein mechanischer Anschlag auf dem Substrat vor. Dadurch ergibt sich bei der Anwendung als Kraftsensor ein deutlich verbesserter Überlastschutz. Darüber hinaus ermöglicht die Ausgestaltung der Kaverne die Durchbiegung auf wenige Mikrometer zu begrenzen, so dass auch im Überlastfall die Dichtheit der Kaverne nicht beeinträchtigt wird, da bei einer entsprechend gestalteten Membransteifigkeit keine Spalte in der Membran entstehen kann.
摘要翻译：该压力/力传感器及其制造方法是基于由表面微加工和压力传感器的常规方法生产包括：在（真空）洞穴的隔膜，例如具有几微米的高度。由于空腔是封闭和腔侧不背离与常规KOH蚀刻技术压力传感器的准备隔膜是开放的，是用于隔膜，之前在所述衬底上的机械止动。这产生在应用程序作为一个力传感器基本上改进的过载保护的结果。另外，该腔室的构造允许偏转限制为几微米，因此，洞穴的密封性不即使在过载的情况下，受损的，因为可以在一个适当设计的膜刚度在膜没有间隙。

3. 发明申请

WO2004028957A1 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN 审中-公开
标题翻译：微机械结构和方法
公开(公告)号：WO2004028957A1
公开(公告)日：2004-04-08
申请号：PCT/DE2003/000703
申请日：2003-03-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , LAMMEL, Gerhard , ARMBRUSTER, Simon , SCHAEFER, Frank , BENZEL, Hubert
发明人： LAMMEL, Gerhard , ARMBRUSTER, Simon , SCHAEFER, Frank , BENZEL, Hubert
IPC分类号： B81B7/00
CPC分类号： B81B7/0038 , B81C2201/0115
摘要： Es wird ein mikromechanisches Bauelement und ein Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements vorgeschlagen, wobei ein Hohlraum (10) und ein Bereich porösen Siliziums (11) vorgesehen ist, wobei der Bereich porösen Siliziums (11) zur Absenkung des Druckes in dem Hohlraum (10) vorgesehen ist.
摘要翻译：公开了一种微机械部件和用于制造微机械部件的方法，其中提供一个腔（10）和多孔硅（11）的区域中，其中，用于在所述腔的压力降低多孔硅（11）的区域（10）提供。

4. 发明申请

WO2010006849A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUELEMENTS, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER BAUELEMENTANORDNUNG, BAUELEMENT UND BAUELEMENTANORDNUNG 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件，制造方法分量布置，分量及分量布置
公开(公告)号：WO2010006849A2
公开(公告)日：2010-01-21
申请号：PCT/EP2009/057106
申请日：2009-06-09
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , PINTER, Stefan , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , HAAG, Frieder , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C99/008 , B81B7/0006 , B81B2207/093
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauelements vorgeschlagen, wobei in einem ersten Herstellungsschritt eine Grundstruktur mit einem Substrat, einer Membran und einem Kavernenbereich bereitgestellt wird, wobei die Membran im Wesentlichen parallel zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats angeordnet ist, wobei zwischen dem Substrat und der Membran der Kavernenbereich angeordnet ist, wobei der Kavernenbereich eine Zugangsöffnung aufweist und wobei in einem zweiten Herstellungsschritt im Kavernenbereich und insbesondere auf einer dem Substrat senkrecht zur Haupterstreckungsebene zugewandten zweiten Seite der Membran eine erste Leitschicht zumindest teilweise angeordnet wird.
摘要翻译：它提出了一种方法，用于制造装置，其特征在于，提供了一种基本结构，其包括一基板，一隔膜和在第一制造工序的腔体区域，其中所述膜基本上平行于所述衬底的主平面设置，所述基板和所述隔膜之间被布置在腔体区域，所述具有接入开口，并且其中的第一导电层被布置在至少部分地在腔区域中的第二制造工序，特别是垂直地朝向所述膜的第二侧的主延伸面的衬底上腔区域。

5. 发明申请

WO2008089862A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件和传感器元件
公开(公告)号：WO2008089862A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/EP2007/062952
申请日：2007-11-28
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： B81C1/00 , G01L9/00
CPC分类号： B81C1/00182 , B81B2201/0264 , B81B2207/015 , B81C2201/0115 , G01L19/0038
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Herstellung eines Bauteils (10) vorgeschlagen, mit mindestens einer in der Bauteiloberfläche ausgebildeten Membran (11), die eine Kaverne (12) überspannt, und mit mindestens einer von der Bauteilrückseite ausgehenden Zugangsöffnung (14) zu der Kaverne (12), wobei zumindest eine erste Membranschicht (2) und die Kaverne (12) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem monolithischen Halbleitersubstrat (1) erzeugt werden und wobei die Zugangsöffnung (14) von der Substratrückseite ausgehend in einem zeitlich begrenzten Ätzprozess erzeugt wird. Dazu wird die Zugangsöffnung (14) erfindungsgemäß in einem Bereich angeordnet, in dem das Substratmaterial an die erste Membranschicht (2) heranreicht. Außerdem umfasst der Ätzprozess zum Erzeugen der Zugangsöffnung (14) mindestens einen anisotropen Ätzschritt und mindestens einen isotropen Ätzschritt, wobei in dem anisotropen Ätzschritt ein von der Substratrückseite ausgehender Ätzkanal (15) erzeugt wird, der unterhalb der ersten Membranschicht (2) in der Umgebung der Kaverne (12) endet, und wobei zumindest der Endbereich (16) dieses Ätzkanals (15) in dem isotropen Ätzschritt aufgeweitet wird, bis der Ätzkanal (15) an die Kaverne angeschlossen ist.
摘要翻译：利用本发明，用于制造部件的方法（10）设有与形成在部件表面的膜的至少一个开口（11）跨越的空腔（12），和传出与该组件后部进出开口（14）中的至少一个的腔体（12），其中至少一个第一隔膜层（2）和从所述部件表面的腔体（12），在单片半导体衬底开始（1）的生产，并且其中所述进入开口（14）由在基板背面侧从有限的刻蚀工艺中产生的，为了这个目的，所述进入开口（14）是根据设置在区域中的第一薄膜层的衬底材料（2）的变焦范围本发明。另外，用于形成所述进入开口（14）的蚀刻工艺包括至少一个各向异性的蚀刻步骤和至少一个各向同性蚀刻步骤中，在位于第一隔膜层（2）下方的附近的基板背面侧出射的蚀刻通道（15）的各向异性蚀刻步骤而产生腔（12）结束，并且其中至少该蚀刻通道的端部（16）（15）被加宽各向同性蚀刻直到蚀刻通道（15）连接到所述洞穴。

6. 发明申请

WO2007147663A1 SENSOR UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：传感器和方法用于生产
公开(公告)号：WO2007147663A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/EP2007/053932
申请日：2007-04-23
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph , HOECHST, Arnim , FEYH, Ando
IPC分类号： B81B3/00 , G01J5/10 , G01K7/01
CPC分类号： B81B3/0081 , B81B2201/0278 , B81B2203/0109 , B81B2207/015 , B81C2201/0109 , G01J5/06 , G01J5/20
摘要： Die Erfindung betrifft einen Sensor, insbesondere zur ortsaufgelösten Detektion, der aufweist ein Substrat (1), mindestens ein mikrostrukturiertes Sensorelement (52) mit einer ihren Wert temperaturabhängig ändernden elektrischen Eigenschaft, und mindestens einer Membran (36.1) oberhalb einer Kaverne (26, 74, 94), wobei das Sensorelement (52) an der Unterseite der mindestens einen Membran (36.1) angeordnet ist, und wobei das Sensorelement (52) über Zuleitungen (60, 62; 98-1, 98-2, 100-1, 100-2) kontaktiert sind, die in, auf oder unter der Membran (36.1) verlaufen. Es können insbesondere mehrere Sensorelemente (52) als Diodenpixel in einer monokristallinen, durch Epitaxie ausgebildeten Schicht ausgebildet sein. In der Membran (36.1) können Aufhängefedern (70) ausgebildet sein, die die einzelnen Sensorelemente (52) elastisch und isolierend aufnehmen.
摘要翻译：本发明涉及一种传感器，特别是用于空间分辨的检测，其包括衬底（1），至少具有一个其值的微结构化的传感器元件（52）依赖于温度变化的电特性，和至少一个膜片（36.1）的空腔（26，74的上方， 94），其中所述传感器元件（52）布置在所述至少一个膜（36.1）的下侧上，并且其中，经由电源线传感器元件（52）（60，62; 98-1，98-2，100-1，100- 由2接触），其运行在上或隔膜（36.1）下。它可以是，可以形成特别是多个传感器元件（52），如在通过外延生长层形成的单晶二极管像素。在膜（36.1）可以被接收的单独的传感器元件（52）（70）弹性地和绝缘形成悬挂弹簧。

7. 发明申请

WO2010046233A1 VERFAHREN ZUM ERZEUGEN VON MONOKRISTALLINEN PIEZOWIDERSTÄNDEN UND DRUCKSENSORELEMENTE MIT SOLCHEN PIEZOWIDERSTÄNDEN 审中-公开
标题翻译：用于生产镍单晶压电电阻器和压力传感器元件这样的压敏电阻
公开(公告)号：WO2010046233A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/EP2009/063034
申请日：2009-10-07
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon
发明人： BENZEL, Hubert , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： G01L9/00 , H01L21/762
CPC分类号： G01L9/0054 , G01L9/0042
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zum Erzeugen von monokristallinen Piezowiderständen in der Oberfläche einer monokristallinen Siliziumschicht vorgeschlagen, die durch eine Isolationsschicht gegen das umliegende Substrat elektrisch isoliert sind und damit auch im Hochtemperaturbereich zu Messzwecken eingesetzt werden können. Erfindungsgemäß wird zunächst mindestens eine Dotierung in den Widerstandsbereich der Siliziumoberfläche eingebracht. Dann wird eine elektrische Isolation (23) des dotierten Widerstandsbereichs (21) gegen das angrenzende Silizium erzeugt. Dazu wird zumindest ein sich an den dotierten Widerstandsbereich (21) anschließender und sich unterhalb des dotierten Widerstandsbereichs (21) erstreckender Bereich (23) der Siliziumschicht (10) porös geätzt. Dieses poröse Silizium wird schließlich oxidiert.
摘要翻译：利用本发明，一种用于在单晶硅层的表面上产生单晶压电电阻器的方法，提出了，这是由相对于周围基板的绝缘层电绝缘，因此可在高温度范围内使用用于测量目的。根据本发明，至少一种掺杂剂首先被引入到硅表面的电阻器面积。然后，将掺杂的阻力区（21）的电绝缘（23）抵靠相邻的硅制造。为此目的进行蚀刻，随后延伸和掺杂电阻区域下面的硅层（21）的区域（23）（10）是多孔的，至少在掺杂阻力区（21）。该多孔硅最终氧化。

8. 发明申请

WO2009149980A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER MIKROMECHANISCHEN MEMBRANSTRUKTUR MIT ZUGANG VON DER SUBSTRATRÜCKSEITE 审中-公开
标题翻译：一种用于生产微机械膜片结构，访问从基底BACK
公开(公告)号：WO2009149980A2
公开(公告)日：2009-12-17
申请号：PCT/EP2009/054698
申请日：2009-04-21
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , AHLES, Marcus , GRUNDMANN, Armin , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon
发明人： KRAMER, Torsten , AHLES, Marcus , GRUNDMANN, Armin , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00158 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81C2201/0115 , B81C2201/0136 , G01L9/0042
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung wird ein besonders einfaches und kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer mikromechanischen Membranstruktur mit Zugang von der Substratrückseite vorgeschlagen. Dieses Verfahren geht von einem p-dotierten Si-Substrat (1) ausgeht und umfasst die folgenden Prozessschritte: n-Dotierung mindestens eines zusammenhängenden gitterförmigen Bereichs (2) der Substratoberfläche, porös Ätzen eines Substratbereichs (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2), Erzeugen einer Kaverne (7) in diesem Substratbereich (5) unterhalb der n-dotierten Gitterstruktur (2); Aufwachsen einer ersten monokristallinen Silizium-Epitaxieschicht (8) auf der n-dotierten Gitterstruktur (2). Es ist dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Öffnung (6) der n-dotierten Gitterstruktur (2) so dimensioniert wird, dass sie durch die aufwachsende erste Epitaxieschicht (8) nicht verschlossen wird sondern eine Zugangsöffnung (9) zu der Kaverne (7) bildet; dass auf der Kavernenwandung eine Oxidschicht (10) erzeugt wird; dass ein Rückseitenzugang (13) zur Kaverne (7) erzeugt wird, wobei die Oxidschicht (10) auf der Kavernenwandung als Ätzstoppschicht dient; und dass die Oxidschicht (10) im Bereich der Kaverne (7) entfernt wird, so dass ein Rückseitenzugang (13) zu der über der Kaverne (7) ausgebildeten Membranstruktur (14) entsteht.
摘要翻译：本发明提供了，提出了一种特别简单和廉价的用于产生具有从所述基材的背面访问的微机械的膜结构的方法。该方法从p掺杂的Si基板（1）开始延伸，并且包括以下工艺步骤：至少一个连续的网格区域的n型掺杂（2）基片表面的，多孔刻蚀衬底部分（5）的n型掺杂的晶格结构的下面（2 ），在制造空腔（7）的所述衬底区（5）的n型掺杂的晶格结构下方（2）; 在n型掺杂的晶格结构生长第一单晶硅外延层（8）（2）。它的特征在于，至少一个开口（6）设置在所述n型掺杂的晶格结构的尺寸（2），以便它不被生长第一外延层（8）封闭，但进入开口（9）到所述腔（7）的形式 ; 即在Kavernenwandung产生的氧化物层（10）; 所产生的后入口（13）到所述腔（7），其中，所述氧化物层（10）作为在Kavernenwandung蚀刻停止; 并且，氧化物层（10）在所述腔（7）的区域中去除，使得形成在膜结构的背面访问（13）到所述洞穴上述（7）（14）形成。

9. 发明申请

WO2008086907A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES BAUTEILS UND SENSORELEMENT 审中-公开
标题翻译：方法用于制造部件和传感器元件
公开(公告)号：WO2008086907A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/EP2007/062452
申请日：2007-11-16
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
发明人： KRAMER, Torsten , KNESE, Kathrin , BENZEL, Hubert , SCHUERMANN, Gregor , ARMBRUSTER, Simon , SCHELLING, Christoph
IPC分类号： G01L9/00 , B81C1/00
CPC分类号： G01L9/0042 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81B2203/0353 , B81C1/00801 , B81C2201/014
摘要： Mit der vorliegenden Erfindung werden einfache Maßnahmen vorgeschlagen, die eine nachträgliche Rückseitenprozessierung von Bauteilen mit einer Membranstruktur in der Bauteiloberfläche ermöglichen, um Zugangsöffnungen zu der Kaverne unterhalb der Membran zu erzeugen. Nachdem eine erste Membranschicht (111) und eine Kaverne (12) unter der ersten Membranschicht (111) von der Bauteiloberfläche ausgehend in einem Substratmaterial erzeugt worden sind, soll erfindungsgemäß über der ersten Membranschicht (111) zumindest im Bereich der mindestens einen zu erzeugenden Zugangsöffnung (13) eine Ätzstoppschicht (3) aufgebracht werden. Diese Zugangsöffnung (13) soll dann in einem Ätzschritt erzeugt werden, der von der Bauteilrückseite ausgeht und durch die Ätzstoppschicht (3) über der ersten Membranschicht (111) begrenzt wird.
摘要翻译：本发明提出了简单的措施其能够在部件表面具有膜结构的组件的后续Rückseitenprozessierung以形成进入开口至膜下方的空腔。一个第一薄膜层（111）和所述第一薄膜层的空腔（12）后（111）已经从部件表面产生，在衬底材料开始，应根据本发明在所述第一薄膜层（111）（在至少一个的区域中至少要生成的访问开口 13）的蚀刻停止层（3）被应用。此访问开口（13）是在蚀刻步骤中，从所述后侧部件和通过在所述第一薄膜层（111）的蚀刻停止层（3）开始被限制为产生。

10. 发明申请

WO2009059857A2 MIKROMECHANISCHES BAUELEMENT MIT EINEM MEMBRANGITTER 审中-公开
标题翻译：与膜GRID微机械部件
公开(公告)号：WO2009059857A2
公开(公告)日：2009-05-14
申请号：PCT/EP2008/063306
申请日：2008-10-06
申请人： ROBERT BOSCH GMBH , KRAMER, Torsten , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , ARMBRUSTER, Simon , BRASAS, Joerg
发明人： KRAMER, Torsten , BENZEL, Hubert , ILLING, Matthias , ARMBRUSTER, Simon , BRASAS, Joerg
IPC分类号： B81B3/00
CPC分类号： B81B3/007 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , B81C1/00476
摘要： Die vorliegende Erfindung beschreibt ein mikromechanisches Bauelement mit einem Substrat, einem Stabilisierungselement mit Öffnungen und einer zwischen dem Stabilisierungselement und dem Substrat befindlichen Kaverne. Erfindungsgemäß lässt sich aus der Verteilung der Öffnungen in dem Stabilisierungselement auf eine Mindesttiefe der Kaverne schließen. Im wesentlichen ist vorgesehen, den Abstand der Öffnungen zueinander bei der Ermittlung der notwendigen Kavernentiefe zu berücksichtigen. Dies wird vorteilhafterweise durch eine Ermittlung der Abstände der Flächenmittelpunkte der einzelnen Öffnungen zueinander erreicht.
摘要翻译：本发明描述了一种具有基板，有开口的稳定元件和位于所述稳定元件和所述衬底之间的空腔中的微机械部件。根据本发明，它可以在从开口在稳定元件的分布的洞穴的最小深度结束。从本质上说，提供了一种确定必要的洞穴深度时要考虑到开口的距离彼此连接。这有利地通过确定所述各个开口彼此的质心的距离来实现的。

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