专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP5994271B2 電子ビーム発生装置、電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および製造方法有权
标题翻译：电子束发生器，电子束照射装置，电子束曝光装置，以及制造方法
公开(公告)号：JP5994271B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2012027488
申请日：2012-02-10
申请人：国立大学法人東北大学 , 国立大学法人東京農工大学 , 株式会社クレステック
发明人：江刺正喜 , 池上尚克 , 小島明
IPC分类号： H01J37/063 , H01J37/073 , H01J37/305 , H01J1/312 , H01J9/02 , H01J37/06

2. 发明专利

JP2008181086A Aberration evaluation pattern, aberration evaluation method, aberration correction method, electron beam drawing apparatus, electron microscope, master, stamper, recording medium and structure 有权
标题翻译： ABERRATION评估模式，ABERRATION评估方法，ABERRATION校正方法，电子束绘图设备，电子显微镜，MASTER，STAMPER，记录介质和结构
公开(公告)号：JP2008181086A
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：JP2007306627
申请日：2007-11-27
申请人： Kuresutetsuku:Kk , Ricoh Co Ltd , 株式会社クレステック , 株式会社リコー
发明人： MIYATA HIROYUKI , MIYAZAKI TAKESHI , KOBAYASHI KAZUHIKO , HAYASHI KUNIHITO
IPC分类号： G03F7/20 , G11B5/65 , G11B5/82 , G11B5/84 , G11B5/855 , G11B5/86 , G11B7/26 , H01J37/153 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/153 , H01J37/28 , H01J2237/1532 , H01J2237/282 , Y10T428/24479
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To evaluate astigmatism in an irradiation system emitting an electron beam. SOLUTION: A figure pattern consisting of a plurality of (e.g. four) concentric circles is formed on a reference sample WP and an image (scanned image) is formed based on an electron signal obtained by scanning the reference sample WP with an electron beam. In the scanned image, the image has a blur in a region with its longitudinal direction parallel to the generating direction of the astigmatism and the size of the blur depends on magnitude of the astigmatism. Therefore, the direction and the magnitude of the astigmatism of the irradiation system of an irradiation apparatus 10 can be detected based on the obtained scanned image. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：评估发射电子束的照射系统中的像散。解决方案：在参考样品WP上形成由多个（例如四个）同心圆组成的图形图形，并且基于通过用电子扫描参考样品WP获得的电子信号形成图像（扫描图像）光束。在扫描图像中，图像在其纵向方向平行于像散的产生方向的区域中具有模糊，并且模糊的大小取决于像散的大小。因此，可以基于获得的扫描图像来检测照射装置10的照射系统的散光的方向和大小。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2008129358A Vacuum chamber and electron beam lithographic apparatus 有权
标题翻译：真空室和电子束光刻设备
公开(公告)号：JP2008129358A
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：JP2006314761
申请日：2006-11-21
申请人： Kuresutetsuku:Kk , Ricoh Co Ltd , 株式会社クレステック , 株式会社リコー
发明人： YOSHIKAWA HIROSHI , MIZUTA OSAMU , MIYAZAKI TAKESHI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/20 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deformation of a base that holds a device in the internal space of a vacuum chamber.
SOLUTION: When a force that would deform the base 15 acts due to evacuation of the interior space 10A, 10B of the vacuum chamber 11, the pressure difference between the interior space 10B and an external space is made to act on so as to cancel the deformation of the base 15 via a correction mechanism 50. Consequently, deformation of the vicinity of a central part of the base 15 is prevented, and it becomes possible to properly maintain the flatness of the base 15.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了防止在真空室的内部空间中保持装置的基座的变形。解决方案：当由于真空室11的内部空间10A，10B的排空而使基座15变形的力起作用时，内部空间10B与外部空间之间的压力差作用在通过校正机构50抵消基座15的变形。因此，防止了基座15的中心部附近的变形，能够适当地保持基座15的平坦度。版权所有：（C）2008，JPO＆INPIT

4. 发明专利

JP2013165174A Electron beam irradiation device, multi electron beam irradiation device, electron beam exposure system, and electron beam irradiation method 有权
标题翻译：电子束辐射装置，多电子束辐射装置，电子束曝光系统和电子束辐照方法
公开(公告)号：JP2013165174A
公开(公告)日：2013-08-22
申请号：JP2012027499
申请日：2012-02-10
申请人： Tohoku Univ , 国立大学法人東北大学 , Tokyo Univ Of Agriculture & Technology , 国立大学法人東京農工大学 , Crestec Inc , 株式会社クレステック
发明人： ESASHI MASAKI , IKEGAMI NAOKATSU , KOJIMA AKIRA
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J1/312 , H01J37/06 , H01J37/305
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a compact electron beam irradiation device in which throughput of an electron beam exposure device is enhanced.SOLUTION: The electron beam irradiation device outputing a plurality of electron beams includes a surface electron beam source having a plurality of electron emission parts which focuses electrons emitted, respectively, from the plurality of electron emission parts while accelerating and outputs as a plurality of electron beams, and an electron lens for irradiating an object with a drawing pattern formed of the plurality of electron beams output from the surface electron beam source with a predetermined magnification.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种电子束曝光装置的生产量提高的小型电子束照射装置。解决方案：输出多束电子束的电子束照射装置包括具有多个电子发射的表面电子束源分别从多个电子发射部分发射的电子的加热和输出作为多个电子束的部分，以及用于从由表面电子输出的多个电子束形成的绘制图案照射物体的电子透镜光束源以预定的倍率。

5. 发明专利

JP2008059685A Drawing method, drawing apparatus, and information recording medium 有权
标题翻译：绘图方法，绘图设备和信息记录介质
公开(公告)号：JP2008059685A
公开(公告)日：2008-03-13
申请号：JP2006235419
申请日：2006-08-31
申请人： Kuresutetsuku:Kk , Ricoh Co Ltd , 株式会社クレステック , 株式会社リコー
发明人： MIYAZAKI TAKESHI , MURAYAMA NOBORU
IPC分类号： G11B7/26 , G11B7/0045
CPC分类号： G11B7/261 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G11B5/743 , G11B5/82 , G11B5/855 , G11B9/10 , H01J37/3174
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To precisely draw a pattern on a drawing surface of an object in a short time.
SOLUTION: An electron beam converged to an area MA of a substrate W rotating at a speed to be exposed by the electron beam is deflected periodically to a +X direction without blanking by applying a pulse voltage PV to a second deflection electrode 18. Thus, a beam spot SP of the electron beam can be periodically positioned on any track Tr
m defined by the area MA, and the electron beam always contributes to the drawing of a mark M
mn on either one of tracks Tr
m .
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：在短时间内精确地在对象的绘图面上绘制图案。解决方案：会聚到以电子束暴露的速度旋转的衬底W的区域MA的电子束通过向第二偏转电极18施加脉冲电压PV而周期性地偏转到+ X方向而不消隐因此，电子束的束斑SP可以周期性地定位在由区域MA限定的任何轨道Tr m 上，并且电子束总是有助于绘制标记M 在轨道Tr m 之一。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP6018386B2 電子ビーム照射装置、マルチ電子ビーム照射装置、電子ビーム露光装置、および電子ビーム照射方法有权
标题翻译：电子束照射装置，一个多电子束照射装置，电子束曝光装置，以及电子束照射方法
公开(公告)号：JP6018386B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2012027499
申请日：2012-02-10
申请人：国立大学法人東北大学 , 国立大学法人東京農工大学 , 株式会社クレステック
发明人：江刺正喜 , 池上尚克 , 小島明
IPC分类号： H01J37/305 , H01J37/06 , H01L21/027 , G03F7/20 , H01J1/312

7. 发明专利

JP5001661B2 Electron beam recording device 有权
公开(公告)号：JP5001661B2
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：JP2007005045
申请日：2007-01-12
申请人：株式会社クレステック , 株式会社リコー
发明人：武司宮崎 , 隆小原
IPC分类号： G03F7/20 , G11B7/26 , H01J37/147 , H01J37/21 , H01J37/30 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： G11B7/261 , G11B9/10 , G11B11/03

8. 发明专利

JP4936368B2 A vacuum chamber and electron beam lithography system 有权
公开(公告)号：JP4936368B2
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：JP2006314761
申请日：2006-11-21
申请人：株式会社クレステック , 株式会社リコー
发明人：浩史吉川 , 武司宮崎 , 治水田
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20 , H01J37/20 , H01J37/305

9. 发明专利

JP2008294389A Surface emission type electron source, and drawing device 有权
标题翻译：表面发射型电子源和绘图装置
公开(公告)号：JP2008294389A
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：JP2007207887
申请日：2007-08-09
申请人： Kuresutetsuku:Kk , 株式会社クレステック
发明人： KOJIMA AKIRA , OI HIDEYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , H01J1/312 , H01J37/305
CPC分类号： H01J37/073 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J1/312 , H01J37/06 , H01J37/3174 , H01J2201/312 , H01J2237/0635
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a surface emission type electron source and a drawing device that can perform pattern drawing using the electron beam in equimultiples collectively even when a drawing region is large. SOLUTION: A surface emission type electron source includes a planar first electrode, a planar second electrode provided in opposition to the first electrode, an electron passage layer provided between the first electrode and the second electrode, and a power supply section for applying voltage to the second electrode and the first electrode. In the electron passage layer, multiple quantum fine lines extending in a first direction heading for the second electrode from the first electrode are provided with a predetermined interval therebetween. Electrons are emitted from the surface of the second electrode. COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种即使当绘图区域大时也可以共同地使用等分的电子束进行图形绘制的表面发射型电子源和绘图装置。解决方案：表面发射型电子源包括平面第一电极，与第一电极相对设置的平面第二电极，设置在第一电极和第二电极之间的电子通过层，以及用于施加电压到第二电极和第一电极。在电子通过层中，从第一电极朝向第二电极的第一方向延伸的多个量子细线以它们之间的预定间隔设置。电子从第二电极的表面发射。版权所有（C）2009，JPO＆INPIT

10. 发明专利

JP2008096580A Charged particle beam drawing device and drawing method 审中-公开
标题翻译：充电颗粒光束绘图装置和绘图方法
公开(公告)号：JP2008096580A
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：JP2006276484
申请日：2006-10-10
申请人： Kuresutetsuku:Kk , 株式会社クレステック
发明人： HAYASHI KUNIHITO , MORITA HISAYUKI
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a charged particle beam drawing device and a drawing method by which a pattern can be accurately and easily drawn even when the drawing region of the drawing pattern to be formed on the surface of a sample is large.
SOLUTION: The charged particle beam drawing device carries out steps of: setting (S10, S12) a start address and a scanning start point by using pattern data assigning radiation and non-radiation of a charged particle beam according to the drawing pattern to each division pixel prepared by dividing the drawing region; forming (S14) a pattern in a scanning line portion in the drawing pattern by controlling radiation or non-radiation of the charged particle beam while allowing the charged particle beam to scan each division pixel in a first scanning direction; and repeating (S16) these steps. The division pixel is compared with a reference division pixel; and if the division pixel is found larger, the charged particle beam is made to repeatedly scan a plurality of times in the first scanning direction by using the data corresponding to the pattern in the scanning line portion of the pattern data without aligning the scanning start positions of the charged particle beam in the same division pixel.
COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种带电粒子束描绘装置和一种绘图方法，即使在样品表面上形成的绘图图形的绘制区域大的情况下，也能够准确且容易地绘制图案。
解决方案：带电粒子束描绘装置执行以下步骤：通过使用根据绘图模式通过分配带电粒子束的辐射和非辐射的图案数据来设定（S10，S12）起始地址和扫描起始点通过划分绘制区域而制备的每个划分像素; 通过控制带电粒子束的辐射或非辐射，同时允许带电粒子束沿第一扫描方向扫描每个分割像素，从而形成（S14）图形中的扫描线部分中的图案; 并重复（S16）这些步骤。将分割像素与参考分割像素进行比较; 并且如果分割像素被发现较大，则通过使用与图案数据的扫描线部分中的图案相对应的数据，使带电粒子束在第一扫描方向上重复扫描多次，而不对准扫描开始位置的相同分割像素中的带电粒子束。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式