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1. 发明申请

WO2008047715A1 ４層系積層体による半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用四层层压板制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008047715A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/069973
申请日：2007-10-12
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 橋本圭祐 , 岸岡高広
发明人：竹井敏 , 中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 橋本圭祐 , 岸岡高広
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/11 , H01L21/0274 , H01L21/31138 , H01L21/31144
摘要：半導体装置のリソグラフィー工程においてフォトレジストの下層に使用される積層体と、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。半導体基板上に有機下層膜（Ａ層）、ケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）、有機反射防止膜（Ｃ層）、及びフォトレジスト膜（Ｄ層）の順で各層を積層する工程を含む半導体装置の製造方法。フォトレジスト膜（Ｄ層）にレジストパターンを形成し、レジストパターンにより有機反射防止膜（Ｃ層）をエッチングし、パターン化された有機反射防止膜（Ｃ層）によりケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）をエッチングし、パターン化されたケイ素含有ハードマスク（Ｂ層）により有機下層膜（Ａ層）をエッチングし、パターン化された有機下層膜（Ａ層）により半導体基板を加工する工程を含む。
摘要翻译：公开了在半导体器件制造的光刻工艺中用作光致抗蚀剂的基础层的层压体。还公开了通过使用这种层压体制造半导体器件的方法。具体公开了一种半导体器件的制造方法，其包括形成有机基础膜（A层），含硅硬掩模（B层），有机抗反射膜（C层）和光刻胶膜（层D）。该方法还包括其中将光致抗蚀剂膜（层D）形成为抗蚀剂图案的步骤; 通过使用抗蚀剂图案来蚀刻有机抗反射膜（层C）通过使用图案化的有机抗反射膜（层C）来蚀刻含硅硬掩模（B层）; 通过使用图案化的含硅硬掩模（B层）蚀刻有机基础膜（层A）; 并且通过使用图案化的有机基础膜（层A）来处理半导体衬底。

2. 发明申请

WO2004074938A1 アクリル系ポリマーを含有するリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物审中-公开
标题翻译：含丙烯酸聚合物的填料填料组合物
公开(公告)号：WO2004074938A1
公开(公告)日：2004-09-02
申请号：PCT/JP2004/001981
申请日：2004-02-20
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 石井和久 , 岸岡高広 , 境田康志
发明人：竹井敏 , 石井和久 , 岸岡高広 , 境田康志
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/038 , Y10S430/109 , Y10S430/128
摘要：デュアルダマシンプロセスに使用され、平坦化性、充填性に優れたギャップフィル材を形成する為のリソグラフィー用ギャップフィル材形成組成物を提供する。　具体的には、高さ／直径で示されるアスペクト比が１以上のホールを有する半導体基板にフォトレジストを被覆し、リソグラフィープロセスを利用して半導体基板上に画像を転写する方法による半導体装置の製造において使用されるポリマー、架橋剤及び溶剤を含有することを特徴とするギャップフィル材形成組成物である。
摘要翻译：公开了用于形成具有优异的平坦化性能和填充性能的间隙填料的双镶嵌工艺中用于光刻的间隙填料形成组合物。具体来说，间隙填料形成组合物的特征在于含有聚合物，交联剂和溶剂，并且用于半导体器件制造中，其中具有纵横比（高度/直径）不小于 1被光致抗蚀剂覆盖，并且通过利用光刻工艺将图像转印到半导体衬底上。

3. 发明申请

WO2005013601A1 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成包含保护性羧基的化合物的LITHOGRAPHY的下层膜的组合物
公开(公告)号：WO2005013601A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/JP2004/010939
申请日：2004-07-30
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 岸岡高広 , 境田康志 , 新城徹也
发明人：竹井敏 , 岸岡高広 , 境田康志 , 新城徹也
IPC分类号： H04N1/38
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S430/106
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用される、リソグラフィー用下層膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさない下層膜を提供すること。【解決手段】　保護されたカルボキシル基を有する化合物、カルボキシル基と反応可能な基を有する化合物及び溶剤を含む下層膜形成組成物、またはカルボキシル基と反応可能な基と保護されたカルボキシル基とを有する化合物及び溶剤を含む下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]提供一种用于形成用于制造半导体器件的光刻工艺中的用于光刻的下层膜的组合物，以及下层膜，其表现出比光致抗蚀剂更大的蚀刻速率，并且不会引起与光致抗蚀剂混合。解决问题的手段用于形成下层膜的组合物，其包含具有被保护的羧基的化合物，具有能够与羧基反应的基团的化合物和溶剂，或者包含具有能够与羧基和保护的羧基和溶剂。

4. 发明申请

WO2009028511A1 リソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物及び半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于生产半导体器件的层析法和工艺的下层膜形成的组合物
公开(公告)号：WO2009028511A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/065213
申请日：2008-08-26
申请人：日産化学工業株式会社 , 今村光 , 境田康志 , 中島誠 , 竹井敏
发明人：今村光 , 境田康志 , 中島誠 , 竹井敏
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , C08G77/60 , C09D183/16 , G03F7/0752
摘要：【課題】　均一に塗布することができ、熱硬化時に昇華物の発生が抑制される、レジスト下層膜形成組成物を得ることを目的とする。更に、上層のレジストに対するドライエッチングの選択比が大きいレジスト下層膜を形成するための組成物を得ることを目的とする。【解決手段】　下記式（１）【化１】 [式中、　Ｒ 1 及びＲ 2 は、互いに独立して、－Ｘ－Ｙ［式中、Ｘは、酸素原子、炭素原子数１ないし１８のアルキレン基又は－ＯＣ n Ｈ 2n －（式中、ｎは１ないし１８の整数を表す。）で表される基を表し、Ｙは、ラクトン環又はアダマンタン環を表す。］で表される基を表すか、又は、　Ｒ 1 及びＲ 2 の一方は前記－Ｘ－Ｙで表される基を表し、他方はアリール基、メチル基、エチル基又は炭素原子数３ないし６の環状アルキル基を表す。]で表される単位構造を有するポリシラン化合物、及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]提供可以均匀地涂布的抗蚀剂下层成膜用组合物，并且可以抑制热固化中升华的发生。还提供了一种用于形成相对于上层抗蚀剂具有大的干蚀刻选择比的抗蚀剂下层膜的组合物。 [解决问题的手段]用于光刻的抗蚀剂下层成膜用组合物，其含有具有式（1）所示的单元结构的聚硅烷化合物[化学式1]（1）其中，R 1和R 2各自独立地表示由 -XY，其中X表示氧原子，具有1至18个碳原子的亚烷基或-OC n H 2n - ，其中n为1至18的整数; Y表示内酯环或金刚烷环，R 1和R 2的一方表示-XY表示的基团，另一方表示碳原子数为3〜6的芳基，甲基，乙基或环烷基，和用于光刻的抗蚀剂下层成膜用组合物，其包含有机溶剂。

5. 发明申请

WO2008111463A1 被膜形成用塗布液及びその製造方法並びに半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于膜形成的涂料溶液，涂料溶液的生产方法和半导体器件的制造方法
公开(公告)号：WO2008111463A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/JP2008/053971
申请日：2008-03-05
申请人：日産化学工業株式会社 , 中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 竹井敏
发明人：中島誠 , 境田康志 , 今村光 , 竹井敏
IPC分类号： G03F7/11 , C09D7/12 , C09D183/06 , C09D183/07 , H01L21/312
CPC分类号： C09D5/24 , G03F7/11 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/3122
摘要：【課題】　硬化性が高い一方、室温での保存安定性の悪いシロキサンポリマーを含む被膜形成用塗布液について、保存安定性を向上させる。【解決手段】　Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ結合を有すると共にシラノール基を有する重合体と、式Ｒ 1 （ＯＣＨ 2 ＣＨＣＨ 3 ） n ＯＣＯＣＨ 3 （式中、Ｒ 1 は炭素原子数１乃至４のアルキル基を示し、ｎは１又は２を示す。）で表される有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸（ジカルボン酸）を溶解可能な有機溶媒と、シス型の二価カルボン酸（ジカルボン酸）とを含む被膜形成用塗布液を用いる。
摘要翻译： [问题]为了提高含有硅氧烷聚合物的成膜用涂布液的储存稳定性，其固化性高，室温下的保存稳定性差。解决问题的手段公开了一种成膜用涂布液，其包含具有Si-O-Si键和硅烷醇基的聚合物，由下式表示的有机溶剂：R 1（ OCH 2 CH 2 CH 3其中R 1表示烷基，C 1 -C 4烷基，具有1至4个碳原子的基团; 和n表示1或2的数，]可溶解顺式二羧酸（二羧酸）的有机溶剂和顺式二羧酸（二羧酸）。

6. 发明申请

WO2006040956A1 金属酸化物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有金属氧化物的地层的底涂料的组合物
公开(公告)号：WO2006040956A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/JP2005/018294
申请日：2005-10-03
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 境田康志 , 橋本圭祐
发明人：竹井敏 , 境田康志 , 橋本圭祐
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , C08G79/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、スピンコート法によって形成することができる、無機物質を多く含む下層膜（ハードマスク）、及び該下層膜を形成するための下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】ジルコニウムアルコキシド等のオキシ金属化合物の加水分解反応によって得ることができる金属酸化物、及び溶剤を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
摘要翻译：为了提供在半导体器件制造的光刻工艺中使用的具有高含量的无机物质（硬掩模）的底涂层，不与光致抗蚀剂混合，并且可以通过旋涂法形成和用于形成所述底涂层的底涂层形成组合物。用于解决问题的手段用于形成用于光刻的底涂层的组合物，其包含通过诸如烷氧基锆的氧化物化合物和溶剂的水解反应可获得的金属氧化物。

7. 发明申请

WO2005064403A1 ハードマスク用塗布型窒化膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成硬掩模的氮化物涂层膜的组合物
公开(公告)号：WO2005064403A1
公开(公告)日：2005-07-14
申请号：PCT/JP2004/019225
申请日：2004-12-22
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 境田康志
发明人：竹井敏 , 境田康志
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , C23C18/02 , C23C18/06 , C23C18/1204 , C23C18/1295 , C23C26/00 , H01L21/0276 , H01L21/318
摘要：【課題】フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、スピンコート法によって形成することができる、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてにハードマスクとして使用できる下層膜を提供すること。【解決手段】平均粒子径が１～１０００ｎｍである金属窒化物粒子及び有機溶剤を含むことを特徴とする、半導体装置の製造に使用される下層膜形成組成物。当該金属窒化物粒子は、チタン、シリコン、タンタル、タングステン、セリウム、ゲルマニウム、ハフニウム、及びガリウムからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む。
摘要翻译：本发明的目的在于提供一种不会与光致抗蚀剂层混合并且可以通过旋涂形成的底层膜。底层膜可用作半导体器件生产中的光刻工艺中的硬掩模。用于解决问题的手段用于形成用于制造半导体器件的底膜的组合物的特征在于含有平均粒径为1-1000nm的金属氮化物颗粒和有机溶剂。金属氮化物颗粒含有选自钛，硅，钽，钨，铈，锗，铪和镓中的至少一种元素。

8. 发明申请

WO2006077748A1 保護されたカルボキシル基を有する化合物を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有保护性羧酸的化合物的层析膜的组合物
公开(公告)号：WO2006077748A1
公开(公告)日：2006-07-27
申请号：PCT/JP2006/300080
申请日：2006-01-06
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 新城徹也 , 橋本圭祐 , 境田康志
发明人：竹井敏 , 新城徹也 , 橋本圭祐 , 境田康志
IPC分类号： G03F7/11 , C08F20/28 , C08F20/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08F220/28 , C08F220/32 , G03F7/094
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、フォトレジストとのインターミキシングを起こさず、アスペクト比が大きいホールを有する半導体基板の表面を平坦化できる下層膜、及び該下層膜を形成するためのリソグラフィー用下層膜形成組成物を提供すること。【解決手段】保護されたカルボキシル基を二個以上有する化合物、エポキシ基を二個以上有する化合物、及び溶剤を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]提供一种用于半导体器件制造的光刻工艺中使用的下层膜，其表现出比光致抗蚀剂更大的干蚀刻速率，并且不与光致抗蚀剂混合，并且可以平坦化半导体衬底的表面具有高纵横比的孔，并且提供用于形成可以形成上述下层膜的光刻用下层膜的组合物。解决问题的手段提供一种用于形成用于光刻的下层膜的组合物，其包含具有两个以上保护的羧基的化合物，具有两个或多个环氧化合物的化合物和溶剂。

9. 发明申请

WO2005043248A1 デキストリンエステル化合物を含有する下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有DEXTRIN酯化合物的膜的组合物
公开(公告)号：WO2005043248A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/016129
申请日：2004-10-29
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 境田康志 , 新城徹也
发明人：竹井敏 , 境田康志 , 新城徹也
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスに使用されるリソグラフィー用下層膜形成組成物、及びフォトレジストに比べて大きなドライエッチング速度を有し、そして、フォトレジストとのインターミキシングを起こさないリソグラフィー用下層膜を提供すること。【解決手段】ヒドロキシル基の少なくとも５０％がエステル基となったデキストリンエステル化合物、架橋性化合物、及び有機溶剤を含むリソグラフィー用下層膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]公开了一种用于形成用于光刻的底膜的组合物，其用于半导体器件生产中的光刻工艺。还公开了一种用于光刻的底膜，其具有比光致抗蚀剂更高的干蚀刻速率，并且不引起与光致抗蚀剂的混合。用于解决问题的手段用于形成用于光刻的底膜的组合物含有其中至少50％的羟基转化成酯基的糊精酯化合物，可交联的化合物和有机溶剂。

10. 发明申请

WO2004092840A1 多孔質下層膜及び多孔質下層膜を形成するための下層膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成其的多孔底膜和底膜形成组合物
公开(公告)号：WO2004092840A1
公开(公告)日：2004-10-28
申请号：PCT/JP2004/005446
申请日：2004-04-16
申请人：日産化学工業株式会社 , 竹井敏 , 境田康志
发明人：竹井敏 , 境田康志
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11
摘要：フォトレジスト層とのインターミキシングが起こらず、フォトレジストに比較して大きなドライエッチング速度を有する、半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいてに使用される下層膜を提供する。　具体的には、発泡剤、有機材料及び溶剤を含む、又は、発泡性基を有するポリマー及び溶剤を含む、半導体装置の製造に使用される多孔質下層膜を形成するための下層膜形成組成物。当該組成物より形成された下層膜は、その内部に空孔を有する多孔質構造となり、大きなドライエッチング速度の達成が可能である。
摘要翻译：用于制造半导体器件的光刻工艺中的下层膜，其不与光致抗蚀剂层混合，其表现出比光致抗蚀剂更高的干蚀刻速率。特别是，用于形成用于制造半导体器件的多孔下层膜的下层膜形成用组合物，该组合物包含发泡剂，有机材料和溶剂，或包含具有吹气基团和溶剂的聚合物。由组合物形成的下层膜具有在其内部具有孔的多孔结构，从而获得高的干蚀刻速率。

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