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1. 发明申请

WO2006049045A1 スルホン酸エステルを含有するリソグラフィー用反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成抗蚀膜的含硫化合物组合物
公开(公告)号：WO2006049045A1
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：PCT/JP2005/019612
申请日：2005-10-25
申请人：日産化学工業株式会社 , 岸岡高広 , 畑中真 , 木村茂雄
发明人：岸岡高広 , 畑中真 , 木村茂雄
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/14 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C08G59/1433 , C08G59/1483 , C08G59/26 , C08G59/28 , Y10S438/952
摘要： An antireflection film suitable for use in lithography process using light, such as ArF excimer laser or F2 excimer laser, that is high in the effect of prevention of reflection light, being free from intermixing with photoresist, and that exhibits an etching rate greater than that of photoresist, being capable of forming a photoresist pattern with no footing figuration at its underpart; and a composition for formation of antireflection film for lithography that is suitable for formation of the antireflection film. There is provided a composition for formation of antireflection film for lithography, comprising a polymer compound, a crosslinking compound, a crosslinking catalyst, a sulfonic ester compound and a solvent.
摘要翻译：适用于使用光的光刻工艺（例如ArF准分子激光或F2准分子激光器）的防反射膜，其具有防止反射光效果高，不与光致抗蚀剂混合的效果，并且表现出大于该光刻胶的蚀刻速率的光致抗蚀剂，能够在其下部形成无底纹的光致抗蚀剂图案; 以及用于形成适于形成抗反射膜的用于光刻的抗反射膜的组合物。提供了用于形成用于光刻的抗反射膜的组合物，其包含高分子化合物，交联化合物，交联催化剂，磺酸酯化合物和溶剂。

2. 发明申请

WO2005111724A1 ビニルエーテル化合物を含む反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：含有乙烯基醚化合物的抗反应膜成膜组合物
公开(公告)号：WO2005111724A1
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/JP2005/008617
申请日：2005-05-11
申请人：日産化学工業株式会社 , 畑中真 , 木村茂雄 , 榎本智之
发明人：畑中真 , 木村茂雄 , 榎本智之
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/091 , G03F7/095 , G03F7/11 , G03F7/168
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジスト用のアルカリ性現像液で現像できる反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物、及びその反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】　少なくとも二つのビニルエーテル基を有する化合物、少なくとも二つのフェノール性水酸基またはカルボキシル基を有するアルカリ可溶性化合物、光酸発生剤、及び溶剤を含む反射防止膜形成組成物。
摘要翻译：公开了用于形成抗反射膜的抗反射膜形成组合物，其用于半导体器件生产期间的光刻工艺中，并且可以用用于光致抗蚀剂的碱性显影剂显影。还公开了使用这种防反射膜形成组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。防反射膜形成组合物含有具有至少两个乙烯基醚基团的化合物，具有至少两个酚羟基或羧基的碱溶性化合物，光酸产生剂和溶剂。

3. 发明申请

WO2006040922A1 芳香族スルホン酸エステル化合物及び光酸発生剤を含む下層反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成含有芳香磺酸酯化合物和光致发光剂的底部抗反射涂层的组合物
公开(公告)号：WO2006040922A1
公开(公告)日：2006-04-20
申请号：PCT/JP2005/017734
申请日：2005-09-27
申请人：日産化学工業株式会社 , 畑中真 , 榎本智之 , 木村茂雄
发明人：畑中真 , 榎本智之 , 木村茂雄
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/42 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/091 , C09D163/00 , G03F7/0382
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジスト用のアルカリ性現像液で現像できる下層射防止膜を形成するための下層反射防止膜形成組成物、及びその下層反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】　ポリアミド酸、二つ以上のエポキシ基を有する架橋性化合物、芳香族スルホン酸エステル化合物、光酸発生剤及び溶剤を含む下層反射防止膜形成組成物。
摘要翻译：本发明提供一种用于形成底部抗反射涂层的底部抗反射涂层形成组合物，其用于制造半导体器件的光刻工艺中，并可用用于光致抗蚀剂的碱性显影液进行显影，以及用于使用底部抗反射涂层形成组合物形成光致抗蚀剂图案。用于解决问题的手段用于形成底部抗反射涂层的组合物，其包含聚酰胺酸，具有两个或更多个环氧基的交联性化合物，芳族磺酸酯化合物，光致酸产生剂和溶剂。

4. 发明申请

WO2006027950A1 ポリアミド酸を含む下層反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成低层反射防止膜的聚酰胺酸的组合物
公开(公告)号：WO2006027950A1
公开(公告)日：2006-03-16
申请号：PCT/JP2005/015276
申请日：2005-08-23
申请人：日産化学工業株式会社 , 畑中真 , 坂口崇洋 , 榎本智之 , 木村茂雄
发明人：畑中真 , 坂口崇洋 , 榎本智之 , 木村茂雄
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジストの現像に使用されるアルカリ性現像液で現像可能な下層反射防止膜を形成するための下層射防止膜形成組成物、及びその下層反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】　ポリアミド酸、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物、波長３６５ｎｍの光に対するモル吸光係数が５０００～１０００００（ｌ／ｍｏｌ・ｃｍ）である吸光性化合物、及び溶剤を含む下層反射防止膜形成組成物。
摘要翻译：本发明提供一种下层反射防止膜形成用组合物，其用于半导体器件制造的光刻工艺中，用于形成可由用于光致抗蚀剂显影的碱性显影剂显影的下层反射防止膜，以及提供使用下层防反射膜形成组合物形成光致抗蚀剂图案的方法。解决问题的手段下层防反射膜组合物包括聚酰胺酸，具有至少两个环氧基的化合物，摩尔光吸收系数为5,000-100,000（1 / mol·cm）的光吸收化合物与波长365nm的光和溶剂。

5. 发明申请

WO2005022261A1 ポリアミド酸を含む反射防止膜形成組成物审中-公开
标题翻译：用于形成抗反射膜的含聚氨酯的组合物
公开(公告)号：WO2005022261A1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/JP2004/012389
申请日：2004-08-27
申请人：日産化学工業株式会社 , 畑中真 , 榎本智之 , 木村茂雄
发明人：畑中真 , 榎本智之 , 木村茂雄
IPC分类号： G03F7/11
CPC分类号： G03F7/091 , Y10S438/952
摘要：【課題】　半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて使用され、フォトレジスト用のアルカリ性現像液で現像できる反射防止膜を形成するための反射防止膜形成組成物、及びその反射防止膜形成組成物を用いたフォトレジストパターンの形成方法を提供すること。【解決手段】　テトラカルボン酸二無水物化合物と少なくとも一つのカルボキシル基を有するジアミン化合物から製造されるポリアミド酸、少なくとも二つのエポキシ基を有する化合物、及び溶剤を含む反射防止膜形成組成物。
摘要翻译： [问题]公开了一种用于形成抗反射膜的组合物，其用于半导体器件生产中的光刻工艺中，并且可以用用于光致抗蚀剂的碱性显影溶液进行显影。还公开了通过使用这种用于形成抗反射膜的组合物来形成光致抗蚀剂图案的方法。解决问题的手段用于形成抗反射膜的组合物含有由四羧酸二酐化合物制得的聚酰胺酸和具有至少一个羧基的二胺化合物，具有至少两个环氧基的化合物和溶剂。

6. 发明专利

JP5884961B2 光ラジカル重合開始剤を含む感光性レジスト下層膜形成組成物有权
标题翻译：感光性抗蚀剂下层膜形成含有光自由基聚合引发剂组合物
公开(公告)号：JP5884961B2
公开(公告)日：2016-03-15
申请号：JP2011099707
申请日：2011-04-27
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大橋智也 , 岸岡高広 , 木村茂雄 , 西巻裕和 , 臼井友輝
IPC分类号： G03F7/11

7. 发明专利

JPWO2016158509A1 カチオン重合性レジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016158509A1
公开(公告)日：2018-01-25
申请号：JP2017509576
申请日：2016-03-18
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：緒方裕斗 , 木村茂雄 , 臼井友輝 , 大橋智也 , 岸岡高広
IPC分类号： G03F7/11 , C08G59/20 , C08G59/32 , C08G59/68
CPC分类号： C08G59/20 , G03F7/11
摘要：【課題】半導体装置製造のリソグラフィープロセスにおいて、半導体基板上に形成されたフォトレジスト層への露光照射光の基板からの反射を軽減させる下層反射防止膜として使用可能であるだけでなく、特に凹凸のある半導体基板を平坦に埋め込むための平坦化膜として好適に使用できるリソグラフィー用レジスト下層膜を形成するための組成物を提供すること。【解決手段】(A)分子内に環状脂肪族骨格と1つ以上のエポキシ基並びに光吸収部位を有する脂環式エポキシ化合物、(B)熱酸発生剤、及び(C)溶剤を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。【選択図】図1

8. 发明专利

JP5835587B2 単分子層又は多分子層形成用組成物有权
标题翻译：单层或多分子层形成用组合物
公开(公告)号：JP5835587B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2012538670
申请日：2011-10-07
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：岸岡高広 , 佐久間大輔 , 木村茂雄 , 西巻裕和 , 大橋智也 , 臼井友輝
IPC分类号： G03F7/18 , G03F7/11 , C08G77/392
CPC分类号： G03F7/0752 , C07F7/1836 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/165 , G03F7/20 , G03F7/30 , C08G77/28

9. 发明专利

JP6305342B2 光分解性材料、基板及びそのパターニング方法有权
公开(公告)号：JP6305342B2
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：JP2014540912
申请日：2013-10-11
申请人：国立大学法人富山大学 , 日産化学工業株式会社
发明人：岸岡高広 , 木村茂雄 , 広井佳臣 , 臼井友輝 , 北野博巳 , 中路正 , 源明誠
IPC分类号： C12M1/00 , C08F20/36 , G03F7/004 , G03F7/09 , G03F7/075
CPC分类号： C12M23/20 , C08F230/08 , C12M23/30 , C12M25/02 , C12M31/00 , G03F7/0757 , Y10T428/24479 , Y10T428/24802 , Y10T428/31612 , Y10T428/31663

10. 发明专利

JP2015172606A リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：使用它的光刻和半导体器件制造工艺的耐蚀层状膜组合物
公开(公告)号：JP2015172606A
公开(公告)日：2015-10-01
申请号：JP2012165086
申请日：2012-07-25
申请人：日産化学工業株式会社
发明人：大西竜慈 , 藤谷徳昌 , 木村茂雄 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/38 , C08G59/16 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G59/3236 , G03F7/091
摘要：【課題】レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程においてリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。【解決手段】シアヌレート誘導体と、ナフタレン環又はアントラセン環を含有する化合物を反応させた誘導体と、アルコール系溶剤を含むレジスト上層膜形成組成物を提供する。【化1】【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：为了提供在半导体器件的制造过程中用于光刻工艺的抗蚀剂上层成膜组合物，其不与抗蚀剂混合，并且特别是在EUV曝光期间阻挡不期望的曝光光，例如 UV和DUV，并且仅选择性地透射EUV，并且可以在曝光后用显影剂显影。解决方案：提供一种抗蚀剂上层成膜组合物，其包含通过使氰尿酸酯衍生物与含有萘或蒽环和醇溶剂。

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