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71. 发明公开

EP2871679A4 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
公开(公告)号：EP2871679A4
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP12880468
申请日：2012-07-03
申请人： SHINDENGEN ELECTRIC MFG
发明人： MATSUZAKI YOSHIFUMI
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/221 , H01L21/2254 , H01L29/0619 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要： The semiconductor device 100 of the present invention includes: a semiconductor base body 110 having an n + -type semiconductor layer 112 and an n - -type semiconductor layer 114; p + -type diffusion regions 120 selectively formed on a surface of the n - -type semiconductor layer 114; and a barrier metal layer 130 formed on a surface of the n - -type semiconductor layer 114 and surfaces of p + -type diffusion regions 120, forming a Schottky junction between the barrier metal layer 130 and the n - -type semiconductor layer 114, and forming an ohmic junction between the barrier metal layer 130 and the p + -type diffusion regions 120, wherein platinum which is heavy metal is diffused into the semiconductor base body 110 such that a concentration of platinum becomes maximum in a surface of the n - -type semiconductor layer 114. The semiconductor device 100 of the present invention can lower a forward drop voltage VF or can shorten a reverse recovery time trr while maintaining a high reverse withstand voltage VR and a low leak current IR. Further, the semiconductor device 100 of the present invention can acquire an excellent soft recovery characteristic.

72. 发明授权

EP1110236B1 NON-UNIFORM MINORITY CARRIER LIFETIME DISTRIBUTIONS IN HIGH PERFORMANCE SILICON POWER DEVICES 有权
标题翻译：联合国儿童基金会秘书长维多利亚·蒙特利尔
公开(公告)号：EP1110236B1
公开(公告)日：2006-10-18
申请号：EP99942012.8
申请日：1999-08-05
申请人： MEMC Electronic Materials, Inc.
发明人： FALSTER, Robert, J.
IPC分类号： H01L21/22 , H01L29/32
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221 , H01L21/3221 , H01L29/167 , H01L29/32
摘要： A process for heat-treating a single crystal silicon segment to influence the profile of minority carrier recombination centers in the segment. The segment has a front surface, a back surface, and a central plane between the front and back surfaces. In the process, the segment is subjected to a heat-treatment to form crystal lattice vacancies, the vacancies being formed in the bulk of the silicon. The segment is then cooled from the temperature of said heat treatment at a rate which allows some, but not all, of the crystal lattice vacancies to diffuse to the front surface to produce a segment having a vacancy concentration profile in which the peak density is at or near the central plane with the concentration generally decreasing in the direction of the front surface of the segment. Platinum atoms are then in-diffused into the silicon matrix such that the resulting platinum concentration profile is substantially related to the concentration profile of the crystal lattice vacancies.
摘要翻译：用于热处理单晶硅片段以影响片段中少数载流子复合中心的轮廓的方法。该段具有在前表面和后表面之间的前表面，后表面和中心平面。在该过程中，对该段进行热处理以形成晶格空位，该空位在大部分硅中形成。然后将该段从所述热处理的温度以允许一些但不是全部晶格空位扩散到前表面的速率冷却，以产生具有空位浓度分布的区段，其中峰密度在或者靠近中心平面，其浓度通常在段的前表面的方向上减小。铂原子然后扩散到硅基质中，使得所得到的铂浓度分布基本上与晶格空位的浓度分布相关。

73. 发明授权

EP0506170B1 Integrated structure of bipolar power device with high current density and fast diode and related manufacturing process 失效
标题翻译：双极型功率器件的集成结构具有高电流密度和快速二极管和它们的制备方法
公开(公告)号：EP0506170B1
公开(公告)日：1999-09-08
申请号：EP92200748.9
申请日：1992-03-17
申请人： Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno , STMicroelectronics S.r.l.
发明人： Frisina Ferruccio , Ferla, Giuseppe
IPC分类号： H01L27/07 , H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0761 , H01L21/221 , Y10S438/904

74. 发明公开

EP0834909A3 Verfahren zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit eines mehrschichtigen Halbleiterbauelements 失效
标题翻译：一种用于提高多层半导体器件的介电强度的方法，
公开(公告)号：EP0834909A3
公开(公告)日：1998-06-10
申请号：EP97122692.3
申请日：1990-09-04
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： Die Erfindernennung liegt noch nicht vor
IPC分类号： H01L21/22 , H01L21/263 , H01L29/32
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221
摘要： Zur Erhöhung der Spannungsfestigkeit eines Halbleiterbauelements, das eine Folge von Halbleiterschichten (1 bis 4) alternierender Leitungstypen aufweist und mit einer Spannung beaufschlagt wird, die wenigstens einen der die Schichten voneinander trennenden pn-Übergänge (7) in Sperrichtung vorspannt, wird lediglich im lateralen Bereich (LBr) des Randabschlusses (12) dieses pn-Übergangs (7) die Trägerlebensdauer durch Einbringen von Atomen mit Rekombinationseigenschaften reduziert.

75. 发明授权

EP0488440B1 Process of introduction and diffusion of platinum ions in a slice of silicon 失效
标题翻译：用于引入和扩散铂离子进入硅晶片的方法
公开(公告)号：EP0488440B1
公开(公告)日：1996-03-13
申请号：EP91202986.5
申请日：1991-11-16
申请人： CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO
发明人： Frisina, Ferruccio , Tavolo, Nella , Raspagliesi, Mario
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22 , H01L29/167
CPC分类号： H01L21/221 , H01L21/26506 , Y10S438/904 , Y10S438/917

76. 发明公开

EP0632486A3 Epitaxial semiconductor material and method of fabricating same 失效转让
标题翻译：外延半导体材料和制造工艺。
公开(公告)号：EP0632486A3
公开(公告)日：1995-03-29
申请号：EP94302800.1
申请日：1994-04-20
申请人： GI CORPORATION
发明人： Chan, Joseph Y. , LaTerza, Larry , Garbis, Dennis , Einthoven, Willem G.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/322
CPC分类号： H01L29/66136 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/221 , H01L29/165 , H01L29/32
摘要： An epitaxial semiconductor material particularly suitable for a high switching rectifier has misfit dislocations (28, 30, 32) formed in the depletion region (16) adjacent a PN junction (20). A method is described for forming each Si/Ge misfit dislocation region (Fig. 2) epitaxially on a capped Si substrate (10). These misfit dislocation layers are formed in a step in a CVD reactor chamber at a lowered temperature. To enhance switching speed gold, and preferably gold and platinum, is diffused through the Si body and forms relatively large concentrations at the misfit dislocation sites. In a modification (Fig. 3) the misfit dislocations are provided just outside the depletion region (16).

77. 发明公开

EP0506170A1 Integrated structure of bipolar power device with high current density and fast diode and related manufacturing process 失效
标题翻译：双极型功率器件的集成结构具有高电流密度由未快速二极管和它们的制备方法。
公开(公告)号：EP0506170A1
公开(公告)日：1992-09-30
申请号：EP92200748.9
申请日：1992-03-17
申请人： CONSORZIO PER LA RICERCA SULLA MICROELETTRONICA NEL MEZZOGIORNO , SGS-THOMSON MICROELECTRONICS S.r.l.
发明人： Frisina Ferruccio , Ferla, Giuseppe
IPC分类号： H01L27/07 , H01L21/22
CPC分类号： H01L27/0761 , H01L21/221 , Y10S438/904
摘要： The structure consists of a single chip (1) of semiconductor material, which comprises an area (32) having a high lifetime of the minority carriers, which constitutes a bipolar power device with high current density, and at least one area (20, 21; 20', 21') with a reduced lifetime of the minority carriers, which constitutes a fast diode.
摘要翻译：具有少数载流子的高寿命，由此构成具有高电流密度的双极型功率器件的半导体材料，区域（32）的方法，包括的单个芯片（1）的结构besteht，和至少一个区域（20，21 ; 20”，21' ）与所述少数载流子的寿命缩短，从而构成几乎二极管。

78. 发明公开

EP0398120A1 Halbleiterbauelement 失效
标题翻译：半导体设备。
公开(公告)号：EP0398120A1
公开(公告)日：1990-11-22
申请号：EP90108577.9
申请日：1990-05-07
申请人： ASEA BROWN BOVERI AG
发明人： Hüppi, Marcel, Dr.
IPC分类号： H01L29/32 , H01L21/263 , H01L21/324 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221 , H01L29/32
摘要： Um den Trade-off zwischen Vorwärtsspannungsabfall und Abschaltzeit insgesamt zu verbessern, wird in einer dotierten Zone (4) ein axial begrenzter Bereich (6) mit Rekombinationszentern vorgesehen. Die Rekombinationszentren bilden ein quer zur axialen Richtung ein- oder zweidimensional periodisch variierendes Trapdichteprofil. Die Periode entspricht etwa der Volumendiffusionslänge der Minoritätsladungsträger in der dotierten Zone. Vorzugsweise ändert sich das Trapdichteprofil von Abschnitten geringer Trapdichte (8a, 8b,...) zu Abschnitten hoher Trapdichte (7a, 7b,...) sprunghaft. Flächenmässig sind die Abschnitte geringer und diejenigen hoher Trapdichte etwa gleich gross.
摘要翻译：为了改善正向压降和总停机时间之间的折衷，轴向限定区域（6）在掺杂区设置有Rekombinationszentern（4）。复合中心形成单或横向于轴向方向二维地周期性变化的陷阱密度分布。期间大致对应于在所述掺杂区中的少数载流子的体积扩散长度。优选地，低陷阱密度（8A，8B，...），以高陷阱密度的部分的部分的陷阱密度分布（7A，7B，...）急剧变化。在面积方面，部分是较小的，而那些高陷阱密度大致相同的尺寸。

79. 发明授权

EP0140276B1 Power MOS FET and method of manufacturing the same 失效
标题翻译： POWER MOS FET及其制造方法
公开(公告)号：EP0140276B1
公开(公告)日：1990-07-04
申请号：EP84112505.7
申请日：1984-10-17
申请人： KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： Tanabe, Hirohito , Ohata, Yu , Suzuki, Kazuaki , Miwa, Yukiharu 207, Toshiba Shinkoyasu Apato , Nakayama, Yoshihito
IPC分类号： H01L29/167 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66712 , H01L21/221 , H01L29/167 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66734 , H01L29/7805 , H01L29/7813 , Y10S438/904

80. 发明公开

EP0370186A1 Verfahren zum axialen Einstellen der Trägerlebensdauer 失效
标题翻译： Verfahren zum轴向Einstellen derTrägerlebensdauer。
公开(公告)号：EP0370186A1
公开(公告)日：1990-05-30
申请号：EP89116527.6
申请日：1989-09-07
申请人： ASEA BROWN BOVERI AG
发明人： Beeler, Franz, Dr. , Halder, Erich, Dr. , Hüppi, Marcel, Dr.
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221 , H01L21/2633
摘要： Ein Verfahren zum axialen Einstellen der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement mit einem kristallinen Halbleitersubstrat (1), umfasst folgende Schritte:

a) Eindiffundieren von Fremdatomen in das Halbleitersubstrat, wobei die Fremdatome die Eigenschaft haben, dass sie (i) auf einem Gitterplatz rekombinationsaktiv und auf einem Zwischengitterplatz rekombinationsinaktiv sind und dass sie (ii) interstitiell und via Leerstellen-Mechanismus, aber nicht via Kick-out-Mechanismus diffundieren;
b) Bestrahlen des Halbleitersubstrats mit hochenergetischen Teilchen (6), sodass in einer vorgegebenen Tiefe ein gewünschtes Konzentrationsprofil von Gitterstörstellen entsteht;
c) thermisches Aktivieren der eindiffundierten Fremdatome.
摘要翻译：一种用于轴向调节具有晶体半导体衬底（1）的半导体部件中的载流子寿命的方法包括以下步骤：a）杂质原子扩散到半导体衬底中，杂质原子具有（i）复合的性质在晶格位置具有活性，并且在间质位点处重组失活，并且它们（ii）通过间隙扩散并且通过空位机制扩散，而不是通过踢出机制; b）用高能粒子（6）照射半导体衬底，使得在预定深度产生所需的晶格缺陷浓度分布; c）扩散的杂质原子的热活化

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