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1. 发明公开

EP0370186A1 Verfahren zum axialen Einstellen der Trägerlebensdauer 失效
标题翻译： Verfahren zum轴向Einstellen derTrägerlebensdauer。
公开(公告)号：EP0370186A1
公开(公告)日：1990-05-30
申请号：EP89116527.6
申请日：1989-09-07
申请人： ASEA BROWN BOVERI AG
发明人： Beeler, Franz, Dr. , Halder, Erich, Dr. , Hüppi, Marcel, Dr.
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221 , H01L21/2633
摘要： Ein Verfahren zum axialen Einstellen der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement mit einem kristallinen Halbleitersubstrat (1), umfasst folgende Schritte:

a) Eindiffundieren von Fremdatomen in das Halbleitersubstrat, wobei die Fremdatome die Eigenschaft haben, dass sie (i) auf einem Gitterplatz rekombinationsaktiv und auf einem Zwischengitterplatz rekombinationsinaktiv sind und dass sie (ii) interstitiell und via Leerstellen-Mechanismus, aber nicht via Kick-out-Mechanismus diffundieren;
b) Bestrahlen des Halbleitersubstrats mit hochenergetischen Teilchen (6), sodass in einer vorgegebenen Tiefe ein gewünschtes Konzentrationsprofil von Gitterstörstellen entsteht;
c) thermisches Aktivieren der eindiffundierten Fremdatome.
摘要翻译：一种用于轴向调节具有晶体半导体衬底（1）的半导体部件中的载流子寿命的方法包括以下步骤：a）杂质原子扩散到半导体衬底中，杂质原子具有（i）复合的性质在晶格位置具有活性，并且在间质位点处重组失活，并且它们（ii）通过间隙扩散并且通过空位机制扩散，而不是通过踢出机制; b）用高能粒子（6）照射半导体衬底，使得在预定深度产生所需的晶格缺陷浓度分布; c）扩散的杂质原子的热活化

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