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1. 发明授权

EP0398120B1 Halbleiterbauelement 失效
公开(公告)号：EP0398120B1
公开(公告)日：1993-10-13
申请号：EP90108577.9
申请日：1990-05-07
申请人： ASEA BROWN BOVERI AG
发明人： Hüppi, Marcel, Dr.
IPC分类号： H01L29/32 , H01L21/263 , H01L21/324 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221 , H01L29/32

2. 发明公开

EP0398120A1 Halbleiterbauelement 失效
标题翻译：半导体设备。
公开(公告)号：EP0398120A1
公开(公告)日：1990-11-22
申请号：EP90108577.9
申请日：1990-05-07
申请人： ASEA BROWN BOVERI AG
发明人： Hüppi, Marcel, Dr.
IPC分类号： H01L29/32 , H01L21/263 , H01L21/324 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221 , H01L29/32
摘要： Um den Trade-off zwischen Vorwärtsspannungsabfall und Abschaltzeit insgesamt zu verbessern, wird in einer dotierten Zone (4) ein axial begrenzter Bereich (6) mit Rekombinationszentern vorgesehen. Die Rekombinationszentren bilden ein quer zur axialen Richtung ein- oder zweidimensional periodisch variierendes Trapdichteprofil. Die Periode entspricht etwa der Volumendiffusionslänge der Minoritätsladungsträger in der dotierten Zone. Vorzugsweise ändert sich das Trapdichteprofil von Abschnitten geringer Trapdichte (8a, 8b,...) zu Abschnitten hoher Trapdichte (7a, 7b,...) sprunghaft. Flächenmässig sind die Abschnitte geringer und diejenigen hoher Trapdichte etwa gleich gross.
摘要翻译：为了改善正向压降和总停机时间之间的折衷，轴向限定区域（6）在掺杂区设置有Rekombinationszentern（4）。复合中心形成单或横向于轴向方向二维地周期性变化的陷阱密度分布。期间大致对应于在所述掺杂区中的少数载流子的体积扩散长度。优选地，低陷阱密度（8A，8B，...），以高陷阱密度的部分的部分的陷阱密度分布（7A，7B，...）急剧变化。在面积方面，部分是较小的，而那些高陷阱密度大致相同的尺寸。

3. 发明公开

EP0370186A1 Verfahren zum axialen Einstellen der Trägerlebensdauer 失效
标题翻译： Verfahren zum轴向Einstellen derTrägerlebensdauer。
公开(公告)号：EP0370186A1
公开(公告)日：1990-05-30
申请号：EP89116527.6
申请日：1989-09-07
申请人： ASEA BROWN BOVERI AG
发明人： Beeler, Franz, Dr. , Halder, Erich, Dr. , Hüppi, Marcel, Dr.
IPC分类号： H01L21/263 , H01L21/22
CPC分类号： H01L21/263 , H01L21/221 , H01L21/2633
摘要： Ein Verfahren zum axialen Einstellen der Trägerlebensdauer in einem Halbleiterbauelement mit einem kristallinen Halbleitersubstrat (1), umfasst folgende Schritte:

a) Eindiffundieren von Fremdatomen in das Halbleitersubstrat, wobei die Fremdatome die Eigenschaft haben, dass sie (i) auf einem Gitterplatz rekombinationsaktiv und auf einem Zwischengitterplatz rekombinationsinaktiv sind und dass sie (ii) interstitiell und via Leerstellen-Mechanismus, aber nicht via Kick-out-Mechanismus diffundieren;
b) Bestrahlen des Halbleitersubstrats mit hochenergetischen Teilchen (6), sodass in einer vorgegebenen Tiefe ein gewünschtes Konzentrationsprofil von Gitterstörstellen entsteht;
c) thermisches Aktivieren der eindiffundierten Fremdatome.
摘要翻译：一种用于轴向调节具有晶体半导体衬底（1）的半导体部件中的载流子寿命的方法包括以下步骤：a）杂质原子扩散到半导体衬底中，杂质原子具有（i）复合的性质在晶格位置具有活性，并且在间质位点处重组失活，并且它们（ii）通过间隙扩散并且通过空位机制扩散，而不是通过踢出机制; b）用高能粒子（6）照射半导体衬底，使得在预定深度产生所需的晶格缺陷浓度分布; c）扩散的杂质原子的热活化

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