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1. 发明专利

FR3070536A1 DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR 未知
公开(公告)号：FR3070536A1
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：FR1857860
申请日：2018-08-31
申请人： SHINDENGEN ELECTRIC MFG
发明人： NAKAMURA HIDEYUKI , MATSUZAKI YOSHIFUMI , ITO HIROKAZU
IPC分类号： H01L23/60 , H01L29/06 , H01L29/866
摘要： Un dispositif semi-conducteur (100) comporte : un substrat de base semi-conducteur du type n (110) ; une première zone semi-conductrice du type p (120) ; une zone semi-conductrice de surface du type p (130) comportant une pluralité de secondes parties d'angle (131) et une pluralité de secondes parties latérales (132) formées afin d'entourer la première zone semi-conductrice (120) comme on le voit sur une vue en plan, la zone semi-conductrice de surface du type p (130) présentant une concentration en dopant inférieure à la concentration en dopant de la première zone semi-conductrice (120) ; et une plaque de champ (154) formée dans une zone se recouvrant avec la zone semi-conductrice de surface (130) comme on le voit sur une vue en plan au moyen d'un film d'isolation (140), la plaque de champ (154) comportant une pluralité de parties d'angle de plaque de champ (155) et une pluralité de parties latérales de plaque de champ (156), dans lequel l'une d'une condition (1) pour laquelle une relation L1 & gt; L2 est établie au moins au niveau d'une partie de la zone semi-conductrice de surface (130) et d'une condition (2) pour laquelle une relation FP1 & gt; FP2 est établie au moins au niveau d'une partie de la plaque de champ (154) est satisfaite et une tension limite de la seconde partie latérale (132) est inférieure à une tension limite de la seconde partie d'angle (131). Selon le dispositif semi-conducteur de la présente invention, le dispositif semi-conducteur peut être miniaturisé davantage par comparaison à un dispositif semi-conducteur comportant une structure d'anneau de protection, et une résistance à la rupture de l'ensemble du dispositif peut être augmentée par comparaison à celle des dispositifs semi-conducteurs classiques.

2. 发明专利

DE112017008002T5 Halbleiterbauelement 未知
公开(公告)号：DE112017008002T5
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：DE112017008002
申请日：2017-08-31
申请人： SHINDENGEN ELECTRIC MFG
发明人： NAKAMURA HIDEYUKI , MATSUZAKI YOSHIFUMI , ITO HIROKAZU
IPC分类号： H01L21/822 , H01L27/04
摘要： Ein Halbleiterbauelement 100 enthält: ein Halbleiterbasissubstrat 110 vom n-Typ; einen ersten Halbleiterbereich 120 vom p-Typ; einen Oberflächenhalbleiterbereich 130 vom p-Typ, der eine Vielzahl von zweiten Eckabschnitten 131 und eine Vielzahl von zweiten Seitenabschnitten 132 hat, die gebildet sind den ersten Halbleiterbereich 120 in einer Draufsicht betrachtet zu umgeben, wobei der Oberflächenhalbleiterbereich 130 Dotierstoffkonzentration niedriger als Dotierstoffkonzentration des ersten Halbleiterbereichs 120 hat; und eine Feldplatte 154, die in einem Bereich gebildet ist, der den Oberflächenhalbleiterbereich 130 in einer Draufsicht betrachtet mittels eines Isolationsfilms 140 überlappt, wobei die Feldplatte 154 eine Vielzahl von Feldplatteneckabschnitten 155 und eine Vielzahl von Feldplattenseitenabschnitten 156 umfasst, wobei eine Bedingung (1), dass eine Beziehung von L1>L2 zumindest bei einem Abschnitt des Oberflächenhalbleiterbereichs 130 gilt, oder eine Bedingung (2), dass eine Beziehung von FP1>FP2 zumindest bei einem Abschnitt der Feldplatte 154 gilt, erfüllt wird und eine Spannungsfestigkeit des zweiten Seitenabschnitts 132 niedriger als eine Spannungsfestigkeit des zweiten Eckabschnitts 131 ist. Gemäß dem Halbleiterbauelement der vorliegenden Erfindung kann das Halbleiterbauelement verglichen mit einem Halbleiterbauelement, das eine Schutzringstruktur hat, weiter miniaturisiert werden und eine Durchbruchstärke des gesamten Bauelements kann verglichen mit herkömmlichen Halbleiterbauelementen erhöht werden.

3. 发明公开

EP2871679A4 SEMICONDUCTOR DEVICE 有权
公开(公告)号：EP2871679A4
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：EP12880468
申请日：2012-07-03
申请人： SHINDENGEN ELECTRIC MFG
发明人： MATSUZAKI YOSHIFUMI
IPC分类号： H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/872
CPC分类号： H01L29/36 , H01L21/221 , H01L21/2254 , H01L29/0619 , H01L29/167 , H01L29/32 , H01L29/66143 , H01L29/872
摘要： The semiconductor device 100 of the present invention includes: a semiconductor base body 110 having an n + -type semiconductor layer 112 and an n - -type semiconductor layer 114; p + -type diffusion regions 120 selectively formed on a surface of the n - -type semiconductor layer 114; and a barrier metal layer 130 formed on a surface of the n - -type semiconductor layer 114 and surfaces of p + -type diffusion regions 120, forming a Schottky junction between the barrier metal layer 130 and the n - -type semiconductor layer 114, and forming an ohmic junction between the barrier metal layer 130 and the p + -type diffusion regions 120, wherein platinum which is heavy metal is diffused into the semiconductor base body 110 such that a concentration of platinum becomes maximum in a surface of the n - -type semiconductor layer 114. The semiconductor device 100 of the present invention can lower a forward drop voltage VF or can shorten a reverse recovery time trr while maintaining a high reverse withstand voltage VR and a low leak current IR. Further, the semiconductor device 100 of the present invention can acquire an excellent soft recovery characteristic.

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