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71. 发明专利

DE102010006052B4 Verfahren und Systeme zum Testen von Digital-Analogwandler/Verstärkerschaltungen 未知
公开(公告)号：DE102010006052B4
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：DE102010006052
申请日：2010-01-28
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： GOSHIMA YOSHIKUNI , TSUCHIYA SEIICHI , SANMIYA YOSHIMASA , KAY JOHN WILLIAM , LAI CHISING
IPC分类号： H03M1/66 , H03M1/10
摘要： Digital-Analog-Wandler-(DAC)/Verstärkertestsystem (200) zur Verwendung in einem Elektronenstrahl-(e-beam)Maskenschreiber, wobei der Elektronenstrahlmaskenschreiber dadurch gekennzeichnet ist, dass er eine Mehrzahl von Ablenkplatten (310, 312, 314, 316, 318, 320, 322 und 324) und eine Mehrzahl von DAC/Verstärker-Schaltungen (202, 204, 206, 208) zur Ausgabe analoger Spannungssignale enthält, wobei jede DAC/Verstärker-Schaltung (202, 204, 206, 208) einen ersten Ausgangsanschluss (234, 236, 238, 240) und einen zweiten Ausgangsanschluss (218, 222, 226, 230) aufweist, wobei die ersten Ausgangsanschlüsse (234, 236, 238, 240) der Mehrzahl von DAC/Verstärker-Schaltungen (202, 204, 206, 208) jeweils konfiguriert sind, Ausgangsanalogspannungen als Ablenkspannungen an Ablenkplatten des Elektronenstrahlmaskenschreibers bereitzustellen, wobei das Testsystem umfasst: eine Summierschaltung (248), die konfiguriert ist, die Ausgangsanalogspannungssignale an den zweiten Ausgangsanschlüssen (218, 222, 226, 230) zu empfangen, um alle empfangenen, analogen Spannungssignale zu summieren und um ein Summiersignal auszugeben, das die Summe der empfangenen Analogspannungssignale anzeigt; einen Signalgenerator (260) zum Erzeugen eines Austastsignals; und eine Analysatorschaltung (252), die konfiguriert ist, das Summiersignal zu empfangen, wobei die Analysatorschaltung (252) umfasst: eine programmierbare Hochgeschwindigkeitsdigitalisierschaltung (254), um das Summiersignal zu einem digitalisierten Summiersignal zu digitalisieren; und eine Fehlerdetektionsschaltung (256), die konfiguriert ist, das digitalisierte Summiersignal und das Austastsignal zu empfangen und das digitalisierte Summiersignal mit einem Fehlertoleranzbereich zu vergleichen, um zu überprüfen, ob das digitalisierte Summiersignal während eines Detektionszeitraums des Austastsignals innerhalb des Fehlertoleranzbereichs liegt.

72. 发明专利

DE102015225253A1 DAMPFPHASENWACHSTUMSVORRICHTUNG UND DAMPFPHASENWACHSTUMSVERFAHREN 未知
公开(公告)号：DE102015225253A1
公开(公告)日：2016-06-23
申请号：DE102015225253
申请日：2015-12-15
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUUSUKE
IPC分类号： C30B25/08 , C30B25/12 , C30B25/14
摘要： Die Dampfphasenwachstumsvorrichtung umfasst: eine Reaktionskammer; einen unteren Bereich, der unterhalb der Reaktionskammer vorgesehen ist; einen rotierenden Körper, der in der Reaktionskammer vorgesehen ist; eine rotierende Welle, die mit dem rotierenden Körper verbunden ist und ein unteres Ende aufweist, das in dem unteren Bereich vorgesehen ist; einen Abstützabschnitt, der in einem oberen Abschnitt des rotierenden Körpers vorgesehen ist und ein Substrat abstützt; ein Reaktionsgasbereitstellanschluss, der an der Reaktionskammer vorgesehen ist und ein Reaktionsgas zum Ausbilden einer Folie an dem Substrat in der Reaktionskammer bereitstellt; einen Rotationsmechanismus umfassend einen Rotor, wobei der Rotationsmechanismus in dem unteren Bereich vorgesehen ist und ausgebildet ist, um die rotierende Welle zu rotieren; ein erstes Lager, das in dem unteren Bereich vorgesehen ist und rotierbar die rotierende Welle abstützt; ein zweites Lager, das unterhalb des ersten Lagers in dem unteren Bereich vorgesehen ist, wobei das zweite Lager auf rotierende Weise die rotierende Welle abstützt; einen ersten Luftbereitstellanschluss, der oberhalb des Rotationsmechanismus und des ersten Lagers in dem unteren Bereich vorgesehen ist, wobei der erste Luftbereitstellanschluss ein erstes Gas in dem unteren Bereich bereitstellt; einen zweiten Luftbereitstellanschluss, der unterhalb des Rotationsmechanismus und des zweiten Lagers in dem unteren Bereich vorgesehen ist, wobei der zweite Luftbereitstellanschluss ein zweites Gas in dem unteren Bereich bereitstellt; einen ersten Auslassanschluss, der zwischen dem ersten Luftbereitstellanschluss und dem zweiten Luftbereitstellanschluss in dem unteren Bereich vorgesehen ist, wobei der erste Auslassanschluss das erste Gas und das zweite Gas aus dem unteren Bereich ausstößt; und einen zweiten Auslassanschluss, der in der Reaktionskammer vorgesehen ist, und ein überschüssiges Reaktionsgas und ein Reaktionsnebenprodukt, das durch die Ausbildung der Folie erzeugt wird, aus der Reaktionskammer ausstößt.

73. 发明专利

DE112014002916T5 Vorrichtung zum Ausbilden eines Siliciumcarbidhalbleiterfilms und Filmbildungsverfahren, welches diese verwendet 未知
公开(公告)号：DE112014002916T5
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：DE112014002916
申请日：2014-06-19
申请人： CENTRAL RES INST ELECT , DENSO CORP , NUFLARE TECHNOLOGY INC , TOYOTA MOTOR CO LTD
发明人： FUJIBAYASHI HIROAKI , TSUCHIDA HIDEKAZU , ADACHI AYUMU , NAITO MASAMI , ITO MASAHIKO , KAMATA ISAHO , ITO HIDEKI , NISHIKAWA KOICHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/42 , C23C16/455 , C30B29/36
摘要： In einer Vorrichtung zum Ausbilden eines Siliciumcarbidhalbleiterfilms werden durch erste bis dritte Einlässe (31–33) erste bis dritte Gase in jeweils erste bis dritte abgetrennte Kammern (41–43) eingeleitet. Die ersten und zweiten Gase sind Siliciumrohmaterial-enthaltendes Gas und Kohlenstoffrohmaterial-enthaltendes Gas, und das dritte Gas enthält weder Silicium noch Kohlenstoff. Die ersten und zweiten Gase werden unabhängig durch die ersten und zweiten Zuleitungspfade (41b, 42b), die sich jeweils von den ersten und zweiten abgetrennten Kammern erstrecken, dem Wachstumsraum zugeführt. Das dritte Gas wird von der dritten abgetrennten Kammer durch einen dritten Zuleitungspfad (43b) zwischen den ersten und zweiten Gasen zugeführt.

74. 发明专利

DE102014204876A1 Inspektionsverfahren und Inspektionsvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102014204876A1
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：DE102014204876
申请日：2014-03-17
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： TSUCHIYA HIDEO , ISOBE MANABU , AKIYAMA HIROTERU , YABE MAKOTO , INOUE TAKAFUMI , KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： G03F1/84 , H01L21/027
摘要： Ein Inspektionsverfahren und eine Inspektionsvorrichtung, die umfassen virtuelles Unterteilen einer Probe, in der eine Mehrzahl von Chip-Mustern ausgebildet wird, in eine Mehrzahl von streifenförmigen Streifen längs einer vorbestimmten Richtung, um ein Optikbild des Chip-Musters in jedem der Streifen zu erfassen, Durchführen von Filterung, basierend auf Design-Daten des Chip-Musters, um ein Referenzbild entsprechend dem Optikbild zu erzeugen, Vergleichen des Chip-Musters unter Verwendung eines Die-zu-Datenbank-Verfahrens und Vergleichen eines repetitiven Musterbereichs im Chip-Muster unter Verwendung eines Zellverfahrens, Ermitteln einer Abmessungsdifferenz oder/und eines Abmessungsverhältnisses zwischen einem Muster des Optikbildes und einem Muster des Referenzbilds, verglichen mit dem Muster des Optikbilds durch das Die-zu-Datenbank-Verfahren; und Ermitteln einer Abmessungsverteilung der Mehrzahl von Chip-Mustern aus der Abmessungsdifferenz oder/und dem Abmessungsverhältnis.

76. 发明专利

DE102007006504B4 Ablenkvorrichtung für Gerät zur Elektronenstrahllithographie sowie Gerät zur Elektronenstrahllithographie 未知
公开(公告)号：DE102007006504B4
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：DE102007006504
申请日：2007-02-09
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： SANMIYA YOSHIMASA , OHTOSHI KENJI , NISHIYAMA TETSURO
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/30 , H01L21/683

77. 发明专利

DE102006030555B4 未知
公开(公告)号：DE102006030555B4
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：DE102006030555
申请日：2006-07-03
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： IIZUKA OSAMU , HATTORI KIYOSHI
IPC分类号： H01J37/30 , H01L21/027
摘要： The method involves periodically correcting the drift of the electron beam once per time period while varying the length of the time period. In addition to the correction per time period, the drift of the electron beam is corrected irrespective of the elapsed time period, whenever a change occurs in the value of an interference factor that is greater or equal to a predetermined level. The interference factor may be a value of the external air pressure, temperature, magnetic field, vibration, coolant flow rate or power supply voltage. Independent claims are included for methods of writing on a workpiece using electron beams.

78. 发明专利

DE102007007080A1 未知
公开(公告)号：DE102007007080A1
公开(公告)日：2007-11-22
申请号：DE102007007080
申请日：2007-02-13
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： EMI KEIKO , SUZUKI JUNICHI , ABE TAKAYUKI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/20
摘要： A pattern generation method includes changing a dimension of a pattern included in each mesh-like region of a plurality of mesh-like regions by using an area of the pattern and a total sum of lengths of circumferential sides of the pattern included in each mesh-like region to correct a dimension error of the pattern, wherein the dimension error being caused by loading effects and the plurality of mesh-like regions being virtually divided from a pattern forming region of a target object, and generating a pattern of the dimension changed on the target object.

79. 发明专利

JP2017092140A シャワープレート、気相成長装置および気相成長方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017092140A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015217593
申请日：2015-11-05
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE , TAKAHASHI HIDESHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/06 , C23C16/45512 , C23C16/45572 , C23C16/52 , C30B25/00
摘要：【目的】均一性の高い膜を成膜できるシャワープレートを提供する。【構成】実施形態のシャワープレートは、複数のプロセスガスを混合する混合室と、混合された複数のプロセスガスが流れる複数の縦方向流路と、複数の縦方向流路間に設けられ冷媒が流れる横方向冷却流路と、を有し混合室下方に設けられた供給部と、供給部の周囲に設けられた外周部冷却流路と、を備える。【選択図】図1

80. 发明专利

JP2017083270A 検査方法および検査装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017083270A
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：JP2015211244
申请日：2015-10-27
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： INOUE HIROSHI , KIKUIRI NOBUTAKA
IPC分类号： G01N21/956 , G01B11/30 , G03F1/84
CPC分类号： G01B11/30 , G01N21/956 , G03F1/84
摘要：【課題】擬似欠陥を低減して正確な検査を行うことのできる検査方法および検査装置を提供する。【解決手段】光源の光を高解像度の光学系を介してマスクに照射し、高解像度の光学画像データを取得する。また、この光を低解像度の光学系を介して同じマスクに照射し、低解像度の光学画像データを取得する。マスクパターンの設計データに対し、マスクの製造プロセス、およびマスクパターンが半導体基板へ転写されて製造される半導体装置の製造プロセスの少なくとも一方で定められたマスクパターンの形状と寸法が反映されるように補正し、補正後の設計データから、高解像度の光学画像データと低解像度の光学画像データとに対応する各参照画像データを生成する。そして、低解像度の光学画像データにおける欠陥の情報を参照して、高解像度の光学画像データで検出された欠陥が、真の欠陥であるか擬似欠陥であるかを判定する。【選択図】図4

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