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1. 发明专利

JP2015012274A 気相成長装置および気相成長方法有权
标题翻译：蒸气生长装置和蒸汽生长方法
公开(公告)号：JP2015012274A
公开(公告)日：2015-01-19
申请号：JP2013139086
申请日：2013-07-02
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0262 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/0254
摘要：【目的】プロセスガスとハロゲン系ガスの反応生成物の発生を抑制し、パーティクルを低減する気相成長装置を提供する。【構成】実施の形態の気相成長装置は、窒化物の成膜を行う反応室と、ハロゲン系ガスを供給する第1のガス供給路と、アンモニアガスを供給する第2のガス供給路と、反応室の上部に配置され、内部で反応室に至るまで、第1のガス供給路からハロゲン系ガスが供給されるガス流路と、第2のガス供給路からアンモニアガスが供給されるガス流路が分離され、反応室内にガスを供給するシャワープレートと、反応室内のシャワープレート下方に設けられ、基板を載置可能な支持部と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种通过防止产生工艺气体和卤素系气体的反应产物来减少颗粒的气相生长装置。解决方案：气相生长装置包括：用于沉积氮化物的反应室; 供给卤素气体的第一气体供给路径; 用于供应氨气的第二气体供给路径; 气体通道，其设置在所述反应器的上部，并且从所述第一气体供给路径向所述反应室供给卤素系气体; 用于在分离从第二气体供给路径供给氨气体的气体通道的同时向反应室供给气体的喷淋板; 以及支撑部，其设置在反应室内的喷淋板的下侧，并且其中可以安装基板。

2. 发明专利

JP2013074213A Deposition device and deposition method 有权
标题翻译：沉积装置和沉积方法
公开(公告)号：JP2013074213A
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：JP2011213505
申请日：2011-09-28
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー , Central Research Institute Of Electric Power Industry , 一般財団法人電力中央研究所 , Denso Corp , 株式会社デンソー , Toyota Motor Corp , トヨタ自動車株式会社
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO HIROSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition device and a deposition method which ensure stabilized deposition processing on a substrate by controlling outflow of reaction gas from a space where vapor phase growth reaction takes place.SOLUTION: A deposition device 100 includes a chamber 1 in which deposition processing is carried out by supplying reaction gas 4, a hollow cylindrical liner 2 provided in the chamber 1, a shower plate 15 provided above the liner 2 and transmitting the reaction gas 4, a purge gas supply port 50 through which purge gas 52 is introduced to a space B between the liner 2 and the inner wall 1a in the chamber 1, and a seal 51 disposed around the upper and lower parts of the liner 2 and closing the upper and lower ends of the space B. The deposition device 100 limits inflow of the reaction gas 4 in the space A, where vapor phase growth reaction takes place on a substrate 7, into the space B by purging the space B with the purge gas 52, and controls a predetermined amount of the purge gas 52 introduced into the space B to flow into the space A.
摘要翻译：解决的问题：提供一种沉积装置和沉积方法，其通过控制来自气相生长反应的空间的反应气体的流出来确保在基板上的稳定的沉积处理。解决方案：沉积装置100包括：腔室1，其中通过供应反应气体4，设置在腔室1中的中空圆柱形衬套2，设置在衬套2上方并传递反应的喷淋板15进行沉积处理气体4，吹扫气体供给口50，吹扫气体52通过该吹扫气体供给口50引导到室1内的衬垫2与内壁1a之间的空间B，以及设置在衬垫2的上部和下部的密封件51，关闭空间B的上端和下端。沉积装置100通过用空间B吹扫空间B来限制反应气体4在空间A中的流入，空气A中的气相生长反应在基板7上进行到空间B中吹扫气体52，并且控制引入空间B的预定量的吹扫气体52流入空间A.版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3. 发明专利

JP2015015429A 気相成長装置および気相成長方法有权
标题翻译：蒸气相生长装置和蒸汽相生长方法
公开(公告)号：JP2015015429A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013142616
申请日：2013-07-08
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/165 , C30B29/403 , C30B35/00
摘要：【目的】簡便な構成でプロセスガス中の有機金属の供給量を安定化させる気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、反応室と、有機金属供給源と第1の接続部で接続され、キャリアガス供給源に接続され、反応室に有機金属とキャリアガスを含むプロセスガスを供給するガス供給路と、有機金属供給源と第2の接続部で接続され、装置外にプロセスガスを排出するガス排出路と、ガス供給路のキャリアガス供給源側に設けられる第1のマスフローコントローラと、ガス供給路の反応室側に設けられる第1の調整部と、ガス排出路の装置外側に設けられる第2の調整部と、ガス供給路とガス排出路とを連通させる連通路と、を備える。そして、第1の調整部と第2の調整部のいずれか一方がバックプレッシャーレギュレータであり、他方がマスフローコントローラである。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供用于稳定处理气体中的有机金属的供给量的气相生长装置，其结构简单。根据实施方案的气相生长装置包括：反应室; 通过第一连接部与有机金属供给源连接的气体供给路径与载气供给源连接，向反应室供给包含有机金属和载气的处理气体，气体排出路径，其通过第二连接部连接到有机金属供给源，并且将处理气体排出到设备的外部; 设置在所述气体供给路径的载气供给源侧的第一质量流量控制部，设置在气体供给路径的反应室侧的第一调整单元; 设置在气体排出路径的装置的外侧的第二调整单元; 以及用于使气体供给路径与气体排出路连通的连通路径。第一和第二调节单元中的任一个是背压调节器，另一个是质量流量控制器。

4. 发明专利

JP2015002209A 気相成長装置および気相成長方法有权
标题翻译：蒸气沉积设备和方法
公开(公告)号：JP2015002209A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013124848
申请日：2013-06-13
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45504 , C23C16/303 , C23C16/4401 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C30B25/14 , C30B25/165
摘要：【目的】反応室側壁への膜堆積を抑制し、低欠陥の膜を基板に成膜する気相成長装置を提供する。【構成】実施形態の気相成長装置は、反応室と、反応室の上部に配置され、反応室内にガスを供給するシャワープレートと、反応室内のシャワープレート下方に設けられ、基板を載置可能な支持部と、プロセスガスを供給するプロセスガス供給路と、水素および不活性ガスから選ばれる第1および第2のパージガスとの混合ガスを供給するパージガス供給路とを備える。そして、シャワープレートの内側領域にプロセスガス噴出孔が設けられ、シャワープレートの外側領域にパージガスガス噴出孔が設けられる。そして、プロセスガス供給路がプロセスガス噴出孔に接続され、パージガス供給路がパージガス噴出孔に接続される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种气相沉积设备，其抑制在反应室的侧壁上的成膜沉积，并将具有低缺陷的膜沉积在基材上。溶液：蒸气沉积设备包括：反应室; 布置在所述反应室的上部的用于将气体供应到所述反应室中的喷淋板; 支撑部，其设置在所述反应室内的所述喷淋板的下方，并且能够安装基板; 用于提供处理气体的处理气体供给路径; 以及用于供应选自氢气和惰性气体的第一和第二吹扫气体的混合气体的吹扫气体供给路径。在喷淋板的内部区域设置有工艺气体喷射孔，并且在喷淋板的外部区域设置吹扫气体喷射孔。工艺气体供给路径连接到处理气体喷射孔，净化气体供给路径与净化气体喷射孔连接。

5. 发明专利

JP2014146767A Vapor-phase epitaxial device and vapor-phase epitaxial method 有权
标题翻译：蒸气相外延装置和蒸汽相外延方法
公开(公告)号：JP2014146767A
公开(公告)日：2014-08-14
申请号：JP2013016015
申请日：2013-01-30
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C23C16/303 , C23C16/45565 , C23C16/45574 , C30B25/12
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor-phase epitaxial device which can form a film excellent in uniformity on a substrate by making a flow of a process gas uniform and stable.SOLUTION: A vapor-phase epitaxial device comprises: a reaction chamber 10; a shower plate 100 for supplying a gas into the reaction chamber; and a support part 12 capable of mounting a substrate. The shower plate 100 comprises: a plurality of first crosswise direction gas flow paths 101 which are arranged in a first horizontal plane and extend in parallel with each other; a plurality of first lengthwise direction gas flow paths 121 which are connected to the first crosswise direction gas flow paths and extend in a lengthwise direction and have first gas vents on the reaction chamber side; a plurality of second crosswise direction gas flow paths 102 which are arranged in a second horizontal plane above the first horizontal plane and extend in the same direction with the first crosswise direction gas flow paths and in parallel with each other; and a plurality of second lengthwise direction gas flow paths 122 which are connected to the second crosswise direction gas flow paths and extend in a lengthwise direction through among the first crosswise direction gas flow paths and have second gas vents.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种气相外延装置，其可以通过使工艺气体的流动均匀且稳定地在基板上形成均匀性优异的膜。解决方案：气相外延装置包括：反应室10 ; 用于向反应室供给气体的喷淋板100; 以及能够安装基板的支撑部12。淋浴板100包括：多个第一横向气体流路101，其布置在第一水平面中并且彼此平行延伸; 多个第一长度方向气体流路121，其与第一横向气体流路连接并沿长度方向延伸，并且在反应室侧具有第一气体通气口; 多个第二横向气体流动路径102，其布置在第一水平面上方的第二水平面中并且沿着与第一横向气体流动路径相同的方向并且彼此平行地延伸; 以及多个第二长度方向气体流路122，其与第二横向气体流路连接，并且沿纵向方向延伸穿过第一横向气体流路，并具有第二排气口。

6. 发明专利

JP2015002208A 気相成長装置有权
标题翻译：蒸气沉积装置
公开(公告)号：JP2015002208A
公开(公告)日：2015-01-05
申请号：JP2013124847
申请日：2013-06-13
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/45574 , C23C16/52 , C30B25/14 , C30B25/165 , H01L21/0254
摘要：【目的】プロセスガスの流れを適正化し、基板に均一性に優れた膜を形成可能な気相成長装置を提供する。【構成】実施の形態の気相成長装置は、反応室と、反応室の上部に配置され、反応室内にガスを供給するシャワープレートと、反応室内のシャワープレート下方に設けられ、基板を載置可能な支持部を備える。そして、シャワープレートが、異なる水平面内に配置される複数の第1および第2の横方向ガス流路と、第1および第2の横方向ガス流路に接続される第1および第2のガス噴出孔と、を備える。さらに、上記支持部の回転中心直上を通る中央ガス横方向ガス流路と、中央ガス横方向ガス流路に接続される第3のガス噴出孔を備える。そして、第1、第2のガス噴出孔、および中央ガス噴出孔から噴出されるガスが独立に制御可能に構成される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过使工艺气体流动适当地在基板上形成均匀性优异的膜的蒸镀装置。解决方案：根据实施方式的气相沉积装置包括：反应室; 淋浴板，其设置在反应室的上部并将气体供应到反应室中; 以及支撑部，其设置在反应室内的喷淋板的下侧，并且可以在其上安装基板。喷淋板包括设置在不同水平面内的多个第一和第二水平气体通道，以及连接到第一和第二水平气体通道的第一和第二气体排放孔。淋浴板还包括刚好在支撑部分的旋转中心上方的中心气体水平气体通道和连接到中心气体水平气体通道的第三气体发射孔。可以独立地控制从第一和第二排气孔和中心气体排放孔排出的气体。

7. 发明专利

JP2013207196A Deposition apparatus and deposition method 审中-公开
标题翻译：沉积装置和沉积方法
公开(公告)号：JP2013207196A
公开(公告)日：2013-10-07
申请号：JP2012076781
申请日：2012-03-29
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO HIROSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/44
CPC分类号： H01L21/02104 , C23C16/4585 , C30B25/10 , C30B25/12 , C30B25/14
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a deposition apparatus and a deposition method which inhibit a surplus thin film from being formed around a substrate in which deposition process is performed.SOLUTION: An epitaxial growth system 100 includes: a chamber 1; a reaction gas storage part 29 supplying a reaction gas 4 to the chamber 1; a susceptor 8 holding a substrate 7 placed on the chamber 1; a heater 9 heating the substrate 7 from below the susceptor 8; a rotation cylinder 17 supporting the susceptor 8 with its upper part, the rotation cylinder 17 where the heater 9 is disposed; a rotation shaft 16 disposed below the chamber 1 and rotating the rotation cylinder 17; a reflection ring 18 disposed so as to enclose the rotation cylinder 17 and reflecting heat from the heater 9; and an inert gas storage part 28 supplying an inert gas between the rotation cylinder 17 and the reflection ring 18. An upper end of the reflection ring 18 is placed so as to be higher than a surface of the substrate 7 and an upper end of the susceptor 8.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种抑制在其中进行沉积工艺的基板周围形成剩余薄膜的沉积设备和沉积方法。解决方案：外延生长系统100包括：室1; 将反应气体4供给到室1的反应气体存储部29; 保持放置在室1上的基板7的基座8; 加热器9，从基座8的下方加热基板7; 支撑基座8及其上部的旋转圆筒17，设置有加热器9的旋转圆筒17; 旋转轴16，其设置在室1的下方并旋转旋转筒17; 设置为围绕旋转筒17并反射来自加热器9的热量的反射环18; 以及在旋转圆筒17和反射环18之间供给惰性气体的惰性气体储存部28，将反射环18的上端设置成比基板7的表面高，感受器8。

8. 发明专利

JP2013051351A Vapor-phase growth apparatus and vapor phase growth method 审中-公开
标题翻译：蒸汽相生长装置和蒸汽相生长方法
公开(公告)号：JP2013051351A
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：JP2011189354
申请日：2011-08-31
申请人： Nuflare Technology Inc , 株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人： NISHIBAYASHI MICHIO , YAMADA TAKUMI , SATO HIROSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/46 , H01L21/31
CPC分类号： C30B25/10 , C30B25/12 , C30B25/16
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vapor-phase growth apparatus and a vapor phase growth method which allow the control of temperature distribution in a wafer, and the further enhancement of the uniformity of the film thickness.SOLUTION: A vapor-phase growth apparatus according to the invention comprises: a reaction chamber into which a wafer is loaded; a gas supply mechanism for supplying a processing gas into the reaction chamber; a support part to put the wafer on; a heater for heating the wafer from the downside thereof; a rotation-control part for rotating the wafer; a gas-exhaust mechanism including an air outlet for exhausting the gas from the reaction chamber; a reflector provided below the heater for reflecting heat from the heater toward the backside of the wafer; and an up-and-down driving part for moving the reflector up and down.
摘要翻译：要解决的问题：提供允许控制晶片中的温度分布的气相生长装置和气相生长方法，并且进一步提高膜厚度的均匀性。解决方案：根据本发明的气相生长装置包括：加载晶片的反应室; 用于将处理气体供给到反应室中的气体供给机构; 将晶片放在支架上; 用于从其下侧加热晶片的加热器; 用于旋转晶片的旋转控制部分; 气体排出机构，包括用于从所述反应室排出气体的空气出口; 设置在加热器下方的反射器，用于将加热器的热量反射回晶片的背面; 以及用于上下移动反射镜的上下驱动部。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2017092140A シャワープレート、気相成長装置および気相成長方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017092140A
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2015217593
申请日：2015-11-05
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE , TAKAHASHI HIDESHI
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/06 , C23C16/45512 , C23C16/45572 , C23C16/52 , C30B25/00
摘要：【目的】均一性の高い膜を成膜できるシャワープレートを提供する。【構成】実施形態のシャワープレートは、複数のプロセスガスを混合する混合室と、混合された複数のプロセスガスが流れる複数の縦方向流路と、複数の縦方向流路間に設けられ冷媒が流れる横方向冷却流路と、を有し混合室下方に設けられた供給部と、供給部の周囲に設けられた外周部冷却流路と、を備える。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2015015430A 気相成長装置および気相成長方法有权
标题翻译：蒸气相生长装置和蒸汽相生长方法
公开(公告)号：JP2015015430A
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：JP2013142617
申请日：2013-07-08
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー , Nuflare Technology Inc
发明人： YAMADA TAKUMI , SATO YUSUKE
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455
CPC分类号： C30B25/14 , C30B25/16 , C30B25/165 , C30B29/406
摘要：【目的】プロセスガスの流れを安定させ、基板に均一な膜を形成可能な気相成長装置を提供する。【構成】実施の形態の気相成長装置は、反応室と、反応室に有機金属とキャリアガスを含む第1のプロセスガスを供給する第1のガス供給路と、反応室にアンモニアを含む第2のプロセスガスを供給する第2のガス供給路と、第1のガス供給路に接続され、第1のガス供給路に水素または不活性ガスの第1のキャリアガスを供給し、第1のマスフローコントローラを有する第1のキャリアガス供給路と、第1のガス供給路に接続され、第1のガス供給路に第1のキャリアガスと異なる水素または不活性ガスの第2のキャリアガスを供給し、第2のマスフローコントローラを有する第2のキャリアガス供給路と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过稳定工艺气体的流动在基板上形成均匀的膜的气相生长装置。解决方案：根据实施方案的气相生长装置包括：反应室; 用于将包括有机金属和载气的第一处理气体供应到所述反应室的第一气体供给路径; 第二气体供给路径，用于向所述反应室供给包括氨的第二处理气体; 连接到第一气体供给路径的第一载气供给路径，向第一气体供给路径供给作为第一载气的氢或惰性气体，并具有第一质量流量控制器; 以及与第一气体供给路径连接的第二载气供给路径，将与第一载气不同的第二载气的氢气或惰性气体供给到第一气体供给路径，具有第二质量流量控制器。

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