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1. 发明专利

DE102017221163A1 Strukturinspektionseinrichtung, Strukturpositionsmesseinrichtung, Luftbildmesssystem, Verfahren zur Messung eines Luftbilds, Strukturpositionswiederherstellungseinrichtung, Verfahren zur Wiederherstellung einer Strukturposition, Luftbilddatenverarbeitungseinrichtung, Verfahren zur Verarbeitung von Luftbilddaten, Strukturbelichtungseinrichtung, Verfahren zur Belichtung einer Struktur, Verfahren zur Herstellung einer Maske, und Maskenherstellungssystem 未知
公开(公告)号：DE102017221163A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：DE102017221163
申请日：2017-11-27
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： YOSHITAKE SHUSUKE , ISOBE MANABU , SCHERÜBL THOMAS , BEYER DIRK , HEISIG SVEN
IPC分类号： G01B11/00 , G01M11/00 , G03F1/42 , G03F1/84 , G03F7/20
摘要： Eine Strukturinspektionseinrichtung umfasst: einen optischen Bilderfassungsmechanismus, um optische Bilddaten einer entsprechenden aufgeteilten Struktur für jede von Masken für Mehrfachstrukturierung zu erfassen, wurde gebildet; eine Positionsabweichungsabbild-erzeugende Verarbeitungsschaltung, um Positionsabweichungsabbilder zu erzeugen hinsichtlich der entsprechenden aufgeteilten Struktur; eine Differenzpositionswertabbild-erzeugende Verarbeitungsschaltung, um ein Differenzpositionswertabbild zu erzeugen, das einen Differenzwert zwischen relativen Positionsabweichungsbeträgen des jeweiligen Minimalelements der Positionsabweichungsabbilder definiert; eine Bereichsspezifizierungs-Verarbeitungsschaltung, um zumindest einen Bereich mit dem Differenzwert zu spezifizieren, der einen Grenzwert von Abstand zwischen Strukturen überschreitet, die Seite-an-Seite liegen mithilfe des Differenzpositionswertabbilds; und einen Ausgabemechanismus, um zumindest Koordinaten, einen Fehlertyp, und Informationen eines Referenzbilds jedes Bereichs auszugeben, der für den jeweiligen spezifizierten Bereich spezifiziert ist.

2. 发明专利

DE102006052015B4 Positionsmessvorrichtung und Positionsabweichungsmessverfahren 未知
公开(公告)号：DE102006052015B4
公开(公告)日：2019-03-21
申请号：DE102006052015
申请日：2006-11-03
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： YOSHITAKE SHUSUKE , TAMAMUSHI SHUICHI
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20
摘要： Positionsmessvorrichtung (600) zum Messen einer Position eines Musters, das auf ein Substrat geschrieben ist, wobei die Vorrichtung aufweist:ein Halteelement (650) mit Aufnahmeräumen, in denen ein Dreipunkthalteelement (220) zum Halten einer Rückseite eines Substrats (101), bei dem es sich um eine Maske handelt, an drei Punkten, und ein Vakuumspannelement (240, 252) zum Halten einer Rückseite eines Substrats (101), bei dem es sich um eine Maske handelt, bereitgestellt sind;eine Plattform (620), an der entweder das Dreipunkthalteelement (220) oder das Vakuumspannelement (240, 252), die wahlweise aus den Aufnahmeräumen des Halteelementes (650) bereitstellbar sind, befestigt ist;eine Vakuumpumpe (680) zum Halten und Spannen des Substrats durch das Vakuumspannelement (240, 252) in einem Zustand, in dem es an der Plattform (620) angeordnet ist; undeine Erfassungseinheit (610) zum Erfassen einer Position eines Musters, das auf das Substrat (101) geschrieben ist, welches durch das Dreipunkthalteelement (220), das an der Plattform (620) befestigt ist, gehalten ist, und zum Erfassen einer Position eines Musters, das auf das Substrat (101) geschrieben ist, das durch das Vakuumspannelement (240, 252) an der Plattform (620) gehalten ist.

3. 发明专利

DE102006052140A1 未知
公开(公告)号：DE102006052140A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：DE102006052140
申请日：2006-11-06
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： YOSHITAKE SHUSUKE , TAMAMUSHI SHUICHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/00 , G03F7/20
摘要： A charged particle beam writing method includes measuring a topography of a backside of a substrate without an influence of a gravity sag, calculating a first positional deviation amount of a pattern written on a frontside of the substrate in a case of the backside of the substrate having been corrected to be flat, based on the the backside topography of the substrate, calculating a first coefficient of a first approximate expression indicating a positional deviation correction amount for correcting the first positional deviation amount, based on the first positional deviation amount, adding the first coefficient to a second coefficient of a second approximate expression indicating a positional deviation correction amount for correcting a second positional deviation amount of the pattern written on the frontside of the substrate in a case of the backside of the substrate having not been corrected to be flat, and writing the pattern on the frontside of the substrate utilizing a charged particle beam, based on one of a positional deviation correction amount obtained by a third approximate expression indicating a positional deviation correction amount using a third coefficient obtained as a result of the adding, and the positional deviation correction obtained by the second approximate expression.

4. 发明专利

DE102006052015A1 未知
公开(公告)号：DE102006052015A1
公开(公告)日：2007-05-24
申请号：DE102006052015
申请日：2006-11-03
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： YOSHITAKE SHUSUKE , TAMAMUSHI SHUICHI
IPC分类号： G03F9/00 , G03F7/20

5. 发明专利

DE102006052140B4 Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren und Ladungsteilchenstrahl -Schreibvorrichtung 未知
公开(公告)号：DE102006052140B4
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：DE102006052140
申请日：2006-11-06
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： YOSHITAKE SHUSUKE , TAMAMUSHI SHUICHI
IPC分类号： H01L21/027 , G03F1/00 , G03F7/20
摘要： Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren zum Schreiben eines Musters auf eine Vorderseite eines Substrats (101) unter Verwendung eines Ladungsteilchenstrahls in einer Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung (100), wobei das Ladungsteilchenstrahl-Schreibverfahren die folgenden Schritte aufweist:Messen (S102) einer Topografie einer Rückseite eines Substrats (101) ohne einen Einfluss eines Schwerkraftdurchhangs;Berechnen (S108) eines ersten Positionsabweichungsmaßes eines auf eine Vorderseite des Substrats (101) geschriebenen Musters basierend auf der Rückseitentopografie des Substrats (101), in einem Fall, in dem die Rückseite des Substrats (101) derart korrigiert wurde, dass sie eben ist;Berechnen (S110) eines ersten Koeffizienten einer ersten Approximationsgleichung, die ein Positionsabweichungskorrekturmaß zum Korrigieren des ersten Positionsabweichungsmaßes anzeigt, basierend auf dem ersten Positionsabweichungsmaß;Addieren (S112) des ersten Koeffizienten zu einem zweiten Koeffizienten einer zweiten Approximationsgleichung,wobei die zweite Approximationsgleichung ein Positionsabweichungskorrekturmaß zum Korrigieren eines zweiten Positionsabweichungsmaßes des auf die Vorderseite des Substrats (101) geschriebenen Musters anzeigt, welches zweite Positionsabweichungsmaß eine Positionsabweichung aufgrund einer Deformation durch den Schwerkraftdurchhang sowie eine den Koordinaten der Ladungsteilchenstrahl-Schreibvorrichtung (100) eigene Positionsabweichung ist; undSchreiben (S114) des Musters auf die Vorderseite des Substrats (101) unter Verwendung eines Ladungsteilchenstrahls (200), basierend entweder auf einem Positionsabweichungskorrekturmaß, das durch eine dritte Approximationsgleichung ermittelt wurde, das ein Positionsabweichungskorrekturmaß unter Verwendung eines dritten Koeffizienten anzeigt, der als ein Ergebnis der Addition ermittelt wurde, oder auf dem Positionsabweichungskorrekturmaß, das durch die zweite Approximationsgleichung erzielt wurde.

7. 发明专利

DE102010011155B4 Schreibverfahren mit geladenem Partikelstrahl, Verfahren zum Erfassen der Position einer Referenzmarkierung für ein Beschreiben mit geladenem Partikelstrahl, und eine Schreibvorrichtung mit geladenem Partikelstrahl 未知
公开(公告)号：DE102010011155B4
公开(公告)日：2018-11-22
申请号：DE102010011155
申请日：2010-03-12
申请人： NUFLARE TECHNOLOGY INC
发明人： YOSHITAKE SHUSUKE
IPC分类号： H01J37/304 , G03F1/00 , G03F1/76 , G03F1/78 , G03F7/20 , H01J37/30 , H01L21/027 , H01L23/544
摘要： Schreibverfahren mit geladenem Partikelstrahl, umfassend:Bewegen eines Gestells (11) in X- und Y-Richtung,Abtasten einer am Gestell platzierten Probe (M) mit einem durch einen optischen Hebelsensor (14) über einer Referenzmarkierung (FM‘), die Stufen aufweist und an der am Gestell (11) platzierten Probe (M) ausgebildet ist, emittierten Lichts,wobei eine lichtemittierende Sektion (14a) des optischen Hebelsensors Licht emittiert, und eine lichtempfangende Sektion (14b) dann ein von der Probe (M) reflektiertes Licht empfängt,Erfassen einer Veränderung des Winkels des von der Probe (M) reflektierten Lichts,Erfassen von Positions-Koordinaten der Position des Gestells (11), an dem die Probe (M) platziert ist, über einen Gestellpositionserfasser (36) wenn der Winkel des reflektierten Lichts verändert wird,Berechnen der Position der Referenzmarkierung (FM‘), die an der am Gestell (11) platzierten Probe (M) ausgebildet ist auf der Basis der erfassten Positionskoordinaten,Spezifizieren einer Beziehung zwischen einer vorbestimmten Position eines in der Probe (M) gelegenen Defekts (D) auf der Basis der berechneten Position der Referenzmarkierung (FM‘), undBestimmen der Position eines Abschnitts, an dem ein Beschreiben auszuführen ist, auf der Basis einer Beziehung mit der vorbestimmten Position des Defekts (D),Verschieben der Position eines zu schreibenden Musters, um sicherzustellen, dass der Defekt (D) mit dem einem Ätzprozess unterworfenen Absorber (204) abgedeckt wird.

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